【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺
,特别涉及一种兆声波换能器的连接盖。
技术介绍
半导体清洗工艺面对集成电路线宽越变越小,影响硅片不良率的粒子越来越小,而颗粒越小越难清洗的挑战时,兆声波清洗越来越受到人们的重视,兆声波清洗的机理是由高能频振效应并结合化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗的。在清洗时,由换能器发出波长为Iym频率为O. 8兆赫的高能声波,溶液分子在这种声波的推动下作加速运动,最大瞬时速度可达到30cm/s。因此,形成不了超声波清洗那样的气泡,而只能以高速的流体波连续冲击晶片表面,使硅片表面附着的污染物的细小微粒被强制除去并进入到清洗液中。但是在产生高能声波的同时由于往复和高频振动不可避免的会释放出一些热量,当热量长时间堆积并且得不到释放将严重影响换能器产生高能波的能力和相应元件的使用时间后寿命,所以为了更好的保证兆声波清洗的效果和换能器的使用寿命,与其相配套的冷却是非常有必要的。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是,针对现有技术的不足,提供一种兆声波换能器的连接盖,具有能够冷却压电晶体以及将气液隔离的密封结构,使压电晶体频繁振 ...
【技术保护点】
一种兆声波换能器的连接盖,其特征在于,包括:连接盖本体、环形内腔、凹槽、冷却气进气通道和冷却气出气通道,所述环形内腔外侧壁与连接盖本体内侧壁连接,所述凹槽至少为一个,其均匀设置在环形内腔内侧壁上,所述冷却气进气通道一端的进气口设置于连接盖本体上,另一端气口设置于环形内腔内侧壁上,所述冷却气出气通道一端的出气口设置于连接盖本体上,另一端气口设置于环形内腔外侧壁上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:初国超,吴仪,王锐廷,
申请(专利权)人:北京七星华创电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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