跳闸控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种跳闸控制电路，包括光耦前端控制部分（1）、光耦后端跳闸部分（2）、位移寄存器控制部分（3），该位移控制寄存器控制部分由一个位移寄存器N602、第三限流电阻R6、第四限流电阻R8、三极管V4、三极管V3、电阻R5与电阻R7组成，位移寄存器N602的清零端、时钟端、输入端分别与处理器的IO引脚连接，位移寄存器N602的一个输出端通过第三限流电阻R6、三极管V4、三极管V3与三极管V2的基极连接。本实用新型专利技术能有效避免误跳闸。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种跳闸控制电路，包括光耦前端控制部分（1）、光耦后端跳闸部分（2），光耦前端控制部分（1）包括第一限流电阻R4、三极管V2、第二限流电阻R1及光耦E1的发光二级管，第一限流电阻R4的一端与处理器的一个IO引脚连接，第一限流电阻R4的另一端与三极管V2的基极连接，三极管V2的发射极接地，三极管V2的集电极与光耦E1的发光二级管的负极连接，光耦E1的发光二级管的正极与第二限流电阻R1的一端连接，第二限流电阻R1的另一端与电源连接，其特征在于：该跳闸控制电路还包括位移寄存器控制部分（3），该位移控制寄存器控制部分（3）由一个位移寄存器N602、第三限流电阻R6、第四限流电阻R8、三极管V4、三极管...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐海江，郭飞，刘校峰，
申请(专利权)人：宁波三星电气股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：