12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆制造技术

本实用新型专利技术涉及一种水下用抗电磁干扰型综合电缆，包括在1.0mm2导体（1-1）外挤包一层绝缘层AⅠ构成的绝缘线、在0.35mm2导体BⅠ外挤包一层绝缘层AⅡ和二根填芯对绞并绕包隔离层CⅠ后编织屏蔽层DⅠ构成的0.35mm2屏蔽双绞线Ⅰ、在二根0.35mm2导体BⅡ外分别挤包一层绝缘层AⅢ对绞后编织屏蔽层DⅡ构成的0.35mm2屏蔽双绞线Ⅱ、还包括隔离层CⅡ、总屏蔽层、加强层、隔离层CⅢ、护套，0.35mm2屏蔽双绞线Ⅰ外依次设有六根0.35mm2屏蔽双绞线Ⅰ和二根0.35mm2屏蔽双绞线Ⅱ、绕包隔离层CⅡ、编织总屏蔽层、编织加强层、绕包隔离层CⅢ、挤出护套。特点是：芳纶加强层采用编织形式，方便了该电缆在设备上装配的操作。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种水下用抗电磁干扰型综合电缆，特别涉及一种包括数据传输、信号控制集一体的用于水下声纳系统的12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆。
技术介绍
普通的水下用综合电缆的芳纶加强层多采用成束形式束绞于电缆中，在装配过程中带来诸多不便。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的不足，本技术提供了一种多芯多种截面结构复杂的，具有抗拉力、高耐压、抗电磁干扰等特点的，用于水下接收声纳的12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆。本技术为实现上述目的，所采用的技术方案是一种12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆，其特征在于包括在I. Omm2导体(1-1)外挤包一层绝缘层A I构成的绝缘线、在O. 35mm2导体B I外挤包一层绝缘层A II和二根填芯对绞并绕包隔离层C I后编织屏蔽层D I构成的O. 35mm2屏蔽双绞线I、在二根O. 35mm2导体B II外分别挤包一层绝缘层AIII对绞后编织屏蔽层D II构成的O. 35_2屏蔽双绞线II、还包括隔离层C II、总屏蔽层、加强层、隔离层CIII、护套，所述O. 35mm2屏蔽双绞线I外依次设有六根O. 35mm2屏蔽双绞线I和二根O. 35mm2屏蔽双绞线II、绕包隔离层C II、编织总屏蔽层、编织加强层、绕包隔离层CIII、挤出护套。本技术的有益效果是采用镀锡铜线导体，具有优异的抗氧化及焊接能力。采用辐照交联聚乙烯绝缘，具有优异的电气性能，耐高温性能。由电气绝缘用聚酯薄膜构成的隔离层保证了电缆圆整同时进一步提高绝缘能力。各屏蔽层均采用镀锡铜线，屏蔽具有良好的防氧化性及焊接性，更有效防止电缆内部各线组间及外界对电缆的干扰。芳纶加强层采用编织形式，编织于总屏蔽外，不仅保证了该水下用综合电缆的拉断力，还具有伸长率小、杨氏模量高、不熔化、不助燃和耐腐蚀等优点，符合了水下电缆对拉力的要求，而且方便了该电缆在设备上装配的操作。隔离层采用无纺布保证了电缆圆整，采用聚氨酯护套，具有耐磨及抗压的能力。附图说明图I为本技术的结构示意图。图2为本技术绝缘线的结构示意图。图3为本技术O. 35mm2屏蔽双绞线I的结构示意图。图4为本技术O. 35mm2屏蔽双绞线II的结构示意图。具体实施方式如图1、2、3、4所示，一种12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆，包括在I. Omm2导体1-1外挤包一层绝缘层A I 1-2构成的绝缘线I、在O. 35mm2导体B I 2_1外挤包一层绝缘层A II 2-2和二根填芯2-3对绞并绕包隔离层C I 2-4后编织屏蔽层D I 2-5构成的O. 35mm2屏蔽双绞线I 2、在二根O. 35mm2导体B II 3-1外分别挤包一层绝缘层AIII 3-2对绞后编织屏蔽层D II 3-3构成的O. 35mm2屏蔽双绞线II 3、还包括隔离层C II 4、总屏蔽层5、加强层6、隔离层C III 7、护套8，O. 35mm2屏蔽双绞线I 2外依次设有六根O. 35mm2屏蔽双绞线I 2和~■根O. 35mm屏蔽双纟父线II 3、绕包隔尚层C II 4、编织总屏蔽层5、编织加强层6、绕包隔离层C III 7、挤出护套8。六根O. 35mm2屏蔽双绞线I 2和二根O. 35mm2屏蔽双绞线II 3的排列顺序为，三根O.35mm2屏蔽双绞线I 2顺序排列为一组，二组对称设置，在二组之间各设置二根O. 35mm2屏蔽双绞线II 3。 绝缘层A I 1-2采用乙丙橡胶绝缘。绝缘层A II 2-2、绝缘层AIII 3-2均采用辐照交联聚乙烯绝缘。隔离层、C I 2-4、隔离层C II 4均采用聚酯薄膜。屏蔽层D I 2-5、屏蔽层D II 3-3、总屏蔽层5均采用镀锡铜线。加强层6采用芳纶丝。隔离层C III 7采用无纺布。护套8采用聚氨酯。权利要求1.一种12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆，其特征在于包括在I. Omm2导体(1_1)夕卜挤包一层绝缘层A I (1-2)构成的绝缘线(I)、在O. 35mm2导体B I (2_1)外挤包一层绝缘层A II (2-2)和二根填芯(2-3)对绞并绕包隔离层C I (2-4)后编织屏蔽层D I (2-5)构成的O. 35mm2屏蔽双绞线I (2)、在二根O. 35mm2导体B II (3_1)外分别挤包一层绝缘层A III(3-2)对绞后编织屏蔽层D II (3-3)构成的O. 35mm2屏蔽双绞线II (3)、还包括隔离层C II(4)、总屏蔽层(5)、加强层(6)、隔离层CIIK7)、护套(8)，所述O. 35mm2屏蔽双绞线I (2)外依次设有六根O. 35mm2屏蔽双绞线I (2)和二根O. 35mm2屏蔽双绞线II (3)、绕包隔离层C II(4)、编织总屏蔽层(5)、编织加强层(6)、绕包隔离层C 111(7)、挤出护套(8)。2.根据权利要求I所述的12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆，其特征在于所述的六根O. 35mm2屏蔽双绞线I (2)和二根O. 35mm2屏蔽双绞线II (3)的排列顺序为，三根O. 35mm2屏蔽双绞线I (2)顺序排列为一组，二组对称设置，在二组之间各设置二根O. 35mm2屏蔽双绞线II (3)。3.根据权利要求I所述的12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆，其特征在于所述的绝缘层A I (1-2)采用乙丙橡胶绝缘。4.根据权利要求I所述的12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆，其特征在于所述的绝缘层A II (2-2)、绝缘层A 111(3-2)均采用辐照交联聚乙烯绝缘。5.根据权利要求I所述的12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆，其特征在于所述的隔离层、C I (2-4)、隔离层C II (4)均采用聚酯薄膜。6.根据权利要求I所述的12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆，其特征在于所述的屏蔽层D I (2-5)、屏蔽层D II (3-3)、总屏蔽层(5)均采用镀锡铜线。7.根据权利要求I所述的12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆，其特征在于所述的加强层(6)采用芳纶丝。8.根据权利要求I所述的12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆，其特征在于所述的隔离层C 111(7)采用无纺布。9.根据权利要求I所述的12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆，其特征在于所述的护套(8)采用聚氨酯。专利摘要本技术涉及一种水下用抗电磁干扰型综合电缆，包括在1.0mm2导体(1-1)外挤包一层绝缘层AⅠ构成的绝缘线、在0.35mm2导体BⅠ外挤包一层绝缘层AⅡ和二根填芯对绞并绕包隔离层CⅠ后编织屏蔽层DⅠ构成的0.35mm2屏蔽双绞线Ⅰ、在二根0.35mm2导体BⅡ外分别挤包一层绝缘层AⅢ对绞后编织屏蔽层DⅡ构成的0.35mm2屏蔽双绞线Ⅱ、还包括隔离层CⅡ、总屏蔽层、加强层、隔离层CⅢ、护套，0.35mm2屏蔽双绞线Ⅰ外依次设有六根0.35mm2屏蔽双绞线Ⅰ和二根0.35mm2屏蔽双绞线Ⅱ、绕包隔离层CⅡ、编织总屏蔽层、编织加强层、绕包隔离层CⅢ、挤出护套。特点是芳纶加强层采用编织形式，方便了该电缆在设备上装配的操作。文档编号H01B7/14GK202662338SQ20122027952公开日2013年1月9日 申请日期2012年6月14日 优先权日2012年6月14日专利技术者耿鹏, 秦殊刚, 高玉敏, 韩长超, 侯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种12芯水下用抗电磁干扰型综合电缆，其特征在于：包括在1.0mm2导体（1？1）外挤包一层绝缘层AⅠ（1？2）构成的绝缘线（1）、在0.35mm2导体BⅠ（2？1）外挤包一层绝缘层AⅡ（2？2）和二根填芯（2？3）对绞并绕包隔离层CⅠ（2？4）后编织屏蔽层DⅠ（2？5）构成的0.35mm2屏蔽双绞线Ⅰ（2）、在二根0.35mm2导体BⅡ（3？1）外分别挤包一层绝缘层AⅢ（3？2）对绞后编织屏蔽层DⅡ（3？3）构成的0.35mm2屏蔽双绞线Ⅱ（3）、还包括隔离层CⅡ（4）、总屏蔽层（5）、加强层（6）、隔离层CⅢ（7）、护套（8），所述0.35mm2屏蔽双绞线Ⅰ（2）外依次设有六根0.35mm2屏蔽双绞线Ⅰ（2）和二根0.35mm2屏蔽双绞线Ⅱ（3）、绕包隔离层CⅡ（4）、编织总屏蔽层（5）、编织加强层（6）、绕包隔离层CⅢ（7）、挤出护套（8）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：耿鹏，秦殊刚，高玉敏，韩长超，侯潭斌，戴显尧，李兆楠，潘甬津，
申请(专利权)人：天津六〇九电缆有限公司，
类型：实用新型
国别省市：