【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种功能设备的制造方法、铁电体材料层的制造方法、场效应晶体管的制造方法和薄膜晶体管、场效应晶体管以及压电式喷墨头。
技术介绍
图65是用于说明现有薄膜晶体管900的图。现有薄膜晶体管900如图65所示,具备源极950以及漏极960 ;沟道层940,其位于源极950与漏极960之间;栅极920,其用于控制沟道层940的导通状态;栅极绝缘层930,其形成于栅极920与沟道层940之间,并由铁电体材料构成。此外,于图65中,附图标记910是表示绝缘基板。在现有薄膜晶体管900中,作为构成栅极绝缘层930的材料使用铁电体材料(例如BLT (Bi4^xLaxTi3O12)、PZT (Pb (ZrxTi1J O3))。此外,作为构成沟道层940的材料使用氧化物导电性材料(例如,铟锡氧化物(ITO))。若根据现有薄膜晶体管900,则由于作为构成沟道层的材料使用氧化物导电性材料,所以能够提高载流子浓度。此外,由于作为构成栅极绝缘层的材料使用铁电体材料,所以能以低驱动电压来快速地进行切换。其结果,能以低驱动电压来快速地控制大的电流。现有薄膜晶体管能以图66所示的现有 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:下田达也,德光永辅,宫迫毅明,金田敏彦,
申请(专利权)人:独立行政法人科学技术振兴机构,
类型:
国别省市:
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