溶解磷酸二氢钾粉末的方法技术

技术编号:8186927 阅读:428 留言:0更新日期:2013-01-09 22:54
本发明专利技术公开了一种溶解磷酸二氢钾粉末的方法,其包括以下步骤:(1)在反应釜中加入超纯水并对反应釜进行加热;(2)开始启动反应釜内搅拌杆进行搅拌;(3)在反应釜内温度达到30-135℃时,以50-75Kg/小时的速度将磷酸二氢钾粉末投入反应釜中;(4)对反应釜内部温度进行检测,当反应釜内部温度低于30℃时,停止将磷酸二氢钾粉末投入反应釜,在反应釜内部温度达到30-135℃时,继续将磷酸二氢钾粉末投入反应釜中;(5)反复执行步骤(4),在超纯水与磷酸二氢钾粉末的质量比达到1:0.5-0.7时停止向反应釜内投入磷酸二氢钾粉末,保持反应釜内温度在30-135℃,并搅拌1-2小时;本发明专利技术通过加热并精确控制加热的温度实现磷酸二氢钾粉末的充分溶解。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种溶解方法,特别是ー种溶解磷酸ニ氢钾粉末的方法,属于磷酸ニ氢钾提纯エ艺

技术介绍
KDP晶体是用磷酸盐作原料,KDP是用磷酸ニ氢钾做原料在水溶掖中生长,目前大尺寸的KDP晶体是激光核聚变的关键材料之一,在激光核聚变中应用的KDP要求有高的透过率和高的损伤阀值,这些指标要求晶体要高度纯洁,这就需要高度纯洁的原料。磷酸ニ氢钾的纯度越高,生长的晶体可以越大,在制作镜片时也就意味着所做的镜片可以越大,这样在単位时间内可经过的光束可以越多,光束经过该晶体镜片以后,可以 发生ー个骤变,可以将其升温,就是传统意义上的激光。因此,磷酸ニ氢钾的纯度非常重要。磷酸ニ氢钾晶体的粉末提纯是将磷酸ニ氢钾中的游离的金属离子,包括其他杂质,有效的控制在0. 02ppm以下,使其对晶体的生长具有可控性,使晶体变得纯净以及物理特性固定。目前国产的磷酸ニ氢钾有害杂质的含量在IOppm以下,目前尚无简单可靠的方法对磷酸ニ氢钾提纯。提纯水溶性试剂一般用重结晶的方法,利用杂质在晶体中和溶剂中分凝系数的差别达到纯化的目的。重结晶法中首先将磷酸ニ氢钾粉末溶解在超纯水中,溶解是否充分直接影响磷酸ニ氢钾提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溶解磷酸二氢钾粉末的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)在反应釜中加入超纯水并对反应釜进行加热;(2)开始启动反应釜内搅拌杆进行搅拌,搅拌速度为100?150转/分钟;(3)在反应釜内温度达到30?135℃时,以50?75Kg/小时的速度将磷酸二氢钾粉末投入反应釜中;(4)对反应釜内部温度进行检测,当反应釜内部温度低于30℃时,停止将磷酸二氢钾粉末投入反应釜,在反应釜内部温度达到30?135℃时,继续将磷酸二氢钾粉末投入反应釜中;(5)反复执行步骤(4),在超纯水与磷酸二氢钾粉末的质量比达到1:0.5?0.7时停止向反应釜内投入磷酸二氢钾粉末,保持反应釜内温度在30?135℃,并搅拌1?2...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:皇甫杏花
申请(专利权)人:常熟市圆启晶体材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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