存储器装置及系统中的引导分区制造方法及图纸

本发明专利技术包含存储器装置及系统中的引导分区以及与其相关联的方法。一个或一个以上实施例包含存储器单元阵列，其中所述阵列包含一引导分区及一定数目个额外分区。顺序逻辑单元识别符与所述额外分区相关联，且不和所述顺序逻辑单元识别符成序列的逻辑单元识别符与所述引导分区相关联。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体来说涉及半导体存储器装置、方法及系统，且更特定来说涉及存储器装置及系统中的引导分区。
技术介绍
通常提供存储器装置作为计算机及其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可装卸装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)及快闪存储器以及其它存储器。快闪存储器装置可用作各种各样的电子应用的易失性及非易失性存储器。快闪存 储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储器单元。快闪存储器的使用包含用于固态驱动器(SSD)、个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、蜂窝式电话、便携式音乐播放器(例如，MP3播放器)及电影播放器以及其它电子装置的存储器。例如程序代码的数据、用户数据及/或例如基本输入/输出系统(BIOS)的系统数据通常存储于快闪存储器装置中。两种常见类型的快闪存储器阵列架构为“NAND”及“N0R”架构，如此称谓是因为每一者的基本存储器单元配置所布置成的逻辑形式。NAND阵列架构将其存储器单元阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼尔·A·加尔博，维克托·Y·蔡，威廉·H·拉德克，克里希纳穆·R·达特拉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：