具有能量消散结构的医疗电引线制造技术

本发明专利技术提供一种医疗引线组件，该医疗引线组件包括引线本体，该引线本体具有构造成联接于可植入医疗装置的近侧端部和远侧端部。引线组件还包括电极组件（200），该电极组件位于引线本体的近侧端部处，该电极组件包括末端电极（36）、电联接于末端电极（36）的导电的电极轴（203）、以及能量消散结构（201），该能量消散结构在高频下不导电地联接于导电的电极轴（203）的至少一部分，以将来自末端电极（36）的由高频信号在引线内感应出的电流的至少一部分改向到能量消散结构（201）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可植入医疗装置(MD)，并且更具体地涉及具有导电套管头的医疗电引线，该导电套管头用于使由高频信号感应的电流改向。
技术介绍
在医疗领域中，可植入引线用于多种医疗装置。例如，可植入引线通常用于形成可植入心脏起搏器的一部分,心脏起搏器通过递送起搏、心律转变或除颤脉冲来向心脏提供治疗性刺激。脉冲能经由电极来递送到心脏，该电极设置在引线上，例如通常设置在引线的远侧端部附近。在此情况下，引线可使电极相对于各种心脏位置来定位，以使起搏器能将脉冲递送到适当的位置。引线还用于感测目的，或用于感测和刺激目的。可植入引线还用于神经装置、肌肉刺激治疗、感测患者血液内的化学状态的装置和胃系统刺激器。有时，具有可植入引线的患者会从对他或她的人体的特定区域所拍摄的磁共振图像中获益。磁共振成像(MRI)技术可实现心脏和脉管系统的软组织的非常有效的图像。MRI过程还能在不将大剂量辐射递送到患者人体的情况下获得这些特征的图像，并由此，MRI过程可以可靠和安全地反复进行。然而，MRI装置可在10兆赫或更大的频率下工作，这会引起将能量传递到引线。特别是，高频场在引线内感应出电压，从而致使引线的电势比周围组织的大。实际上，引线表现为一种天线。电流会由于感应电压从电极流到电极附近的组织内。因此，期望开发出减小传导到电极附近的组织的电流量的引线。
技术实现思路
本专利技术提供一种医疗引线组件，该医疗引线组件包括引线本体，该引线本体具有构造成联接于可植入医疗装置的近侧端部和远侧端部。引线组件还包括电极组件，该电极组件位于引线本体的近侧端部处，该电极组件包括末端电极、电联接于末端电极的导电的电极轴、以及导电套管头，该导电套管头在高频下不导电地联接于导电的电极轴的至少一部分，以将来自末端电极的、由高频信号在引线内感应出的电流改向到导电套管头。在一个示例中，本专利技术涉及一种医疗电引线，该医疗电引线包括引线本体，该引线本体具有构造成联接于可植入医疗装置的近侧端部和远侧端部；以及电极组件，该电极组件位于引线本体的远侧端部处。电极组件包括末端电极、电联接于末端电极的导电的电极轴，以及能量消散结构，该能量消散结构在高频下不导电地联接于导电的电极轴的至少一 部分，以将由来自末端电极的高频信号在引线内感应出的能量改向到能量消散结构。此总结意在提供对本专利技术中所述的主题的概述，并不意在提供在附图和下面说明中详细描述的技术的排他性或穷举的阐释。在以下的附图和说明中阐述一个或多个示例的进一步细节。从说明书和附图以及从下述声明中可显示出其它特征、目的和优点。附图说明图I是示出医疗装置暴露于破坏性能量场的环境的概念图。图2是根据本专利技术的实施例的示例性医疗装置系统的概念立体图，该医疗装置系统包括联接到弓I线的可植入医疗装置。图3是定位在医疗引线的远侧端部处的示例性电极组件的纵向剖视图。图4示出电极组件的导电元件上的多层绝缘材料。图5A示出联接到用于电极组件的导电密封件的导电环的剖视图。图5B示出联接到用于电极组件的导电密封件的导电环的俯视图。 图5C示出联接到电极组件的轴的导电密封件和导电环的剖视图。图示出电极组件的导电密封件的斜视图。图6是定位在医疗引线的远侧端部处的另一示例性电极组件的纵向剖视图。图7是示出表示在正常起搏状况期间图I和2的医疗系统的示例性电路的电路图。图8是不出表不在暴露于破坏性能量场期间图I和2的医疗系统的不例性电路的电路图。具体实施例方式本专利技术提供一种用于医疗引线的电极组件，该电极组件将由高频信号(例如，大于或等于IMHz )感应出的相当大一部分电流改向成远离与患者组织接触的引线电极，例如，末端电极，而不对与低频信号(例如，小于或等于IkHz)相关的一小部分电流改向。替代地，由高频信号感应的电流被引导到能量消散结构，并通过该能量消散结构来消散，该能量消散结构诸如是在引线的远侧端部附近的导电套管头。通过将由高频信号感应的电流改向成远离末端电极，在电极末端暴露于高频信号时电极末端不经历电流密度的浪涌，这又消除了从末端电极递送到末端电极周围的组织的不想要的热量。由此，具有根据本专利技术中所述的技术来构造的医疗电引线的患者可在不大幅影响医疗电引线的操作的情况下经历MRI过程。尽管在MRI过程的情景下所述，但本专利技术的技术还可允许患者经历其它医疗过程，这些医疗手术采用会影响医疗电引线的操作的高频信号，医疗手术诸如是电烙术、透热疗法、消融术、电治疗术、磁治疗术等。此外，文中所述的电极组件还可减小在非医疗环境下遇到的高频信号的影响，诸如在具有RF安全门的环境中。图I是示出医疗装置系统13暴露于破坏性能量场11的环境10的概念图。系统13包括可植入医疗装置(IMD) 14和一个或多个医疗引线组件15a、15b，这些医疗引线组件从IMD14延伸到患者12体内的目标位置。IMD14被植入到患者12体内，以向患者12提供治疗和/或监测患者的生理状况。IMD14可以是向患者12提供治疗、监测患者12的状况或两者皆有的多种装置中的任一种。例如，頂D14可以是经由可植入的引线组件15a、15b提供电刺激治疗的装置，这些引线组件包括一个或多个电极。在一些情况下，頂D14可以是经由引线来向患者12的心脏提供呈心律管理治疗形式的电刺激治疗的装置，这些引线植入到心脏的一个或多个心房和/或心室内。在其它情况下，IMD14可以是向患者12的肌肉、器官或神经附近的组织位置提供电刺激的装置，这些组织诸如是迷走神经、脊柱、脑部、胃部、骨盆底等附近的组织。环境10包括产生破坏性能量场11的能量源，而医疗装置系统13暴露于该能量源。在图I中所示的示例中，能量源或破坏性场源是MRI扫描仪16。尽管本专利技术的技术是关于由MRI扫描仪16产生的破坏性能量场11来描述的，但医疗装置系统13可用于存在其它类型的、医疗和非医疗的破坏性能量场的环境内。例如，医疗装置系统13可用于如下环境中破坏性能量场11由其它源产生，诸如外部心律转变装置、外部除颤器、电烙装置、透热装置、消融装置、辐射治疗装置、电治疗装置、磁治疗装置、CT扫描仪、X射线机、RFID安全门或具有辐射能量以产生磁场、电磁场、电场或其它类型破坏性能量场的装置的任何其它环境。MRI扫描仪16米用磁场和RF场来产生用于诊断损伤、疾病和/或紊乱的人体结构的图像。特别是，MRI扫描仪16可产生静态磁场、梯度磁场和RF场。静态磁场是不变化的磁场，无论MRI扫描是否在进行中，该磁场通常总是存在于MRI扫描仪16周围。梯度磁场 是脉动的磁场，该磁场通常仅在扫描进行的同时存在。RF磁场是脉动的磁场，该磁场通常仅在扫描进行的同时存在。破坏性能量场11的幅度、频率或其它特征可基于产生场的MRI扫描仪的类型或正在进行的MRI扫描的类型来变化。由MRI扫描仪16产生的各种类型的场中的一些或所有会干预医疗装置系统13的一个或多个部件的操作，例如頂D14和/或从MD14延伸的医疗引线组件15a、15b。换言之，由MRI扫描仪16产生的各种类型的场中的一个或多个可弥补破坏性能量场11。例如，由MRI扫描仪16产生的RF场会在耦合于MD14的一个或多个医疗引线组件15a、15b上感应出能量。MD的部件上或引线组件15a、15b上感应的能量会造成末端电极经历电流密度的浪涌，这又会造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·泰克曼，K·R·赛弗特，
申请(专利权)人：美敦力公司，
类型：
国别省市：