功率转换装置制造方法及图纸

本发明专利技术获得降低构成功率转换装置的FET的发热、并提高最大输出功率的改良后的功率转换装置。其具有：进行开关动作的2个1组的半导体开关，其中半导体开关由FET1a、FET1b和反并联连接于FET1a、FET1b的回流二极管构成；以及平滑电容器，通过半导体开关的FET1a、FET1b的互补开关动作进行功率转换，这种功率转换装置包括：对流过半导体开关的电流的方向进行检测的电流传感器；以及在流过半导体开关的电流的方向为负时、抽去半导体开关的PWM选通脉冲信号的导通信号的选通脉冲生成部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用场效应晶体管和二极管的功率转换装置。
技术介绍
作为现有的使用宽带隙半导体元件的功率转换装置，存在一种具有2个半导体开关的电压型功率转换装置，其中半导体开关由宽带隙半导体FET(场效应晶体管)和反向并联连接(反并联连接)于上述FET的宽带隙半导体回流二极管构成，且上述2个半导体开关与起到作为电压源作用的电容器相连接。该功率转换装置通过使上述2个半导体开关FET互补地进行开关动作来进行功率转换。相对于硅半导体IGBT和二极管而言，宽带隙半导体FET和二极管可在高温下进行动作，且开关损耗较小。因此，通过用宽带隙半导体来替换硅半导体，从而可减小半导体的 面积，或可简化对半导体进行冷却的冷却器。此外，通过进行高频开关动作，可实现电容器或电抗器等无源元器件的小型化，从而可实现功率转换装置的小型化。使用FET作为半导体开关元件的情况下，可不使用回流二极管，而使用内置寄生于FET中的二极管(体二极管)。但是，由于可通过使用可进行高速动作的肖特基势垒二极管等作为回流二极管来改善开关动作的特性，因此利用回流二极管。此外，在宽带隙半导体即SiC半导体FET中，若体二极管通电，则可预想本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率转换装置，具有：进行开关动作的2个1组的半导体开关(S1a、S1b)，其中半导体开关由FET(FET1a、FET1b)和反并联连接于所述FET(FET1a、FET1b)的回流二极管(D1a、D1b)构成；以及平滑电容器(C1)，仅使所述2个1组的半导体开关(S1a、S1b)中的一方通电，通过开关动作进行功率转换，这种电压型的功率转换装置(10)的特征在于，包括：对流过所述半导体开关(S1a、S1b)的电流的方向进行检测的单元(CS1)；以及控制部(11)，该控制部(11)在流过所述半导体开关(S1a、S1b)的电流的方向为负时，使所述半导体开关(S1a、S1b)的PWM选通脉冲信号成为...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：池田又彦，小林胜，森武直纪，三井贵夫，前川博敏，石桥诚治，井出之上慎介，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：