【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电カ电子半导体器件应用领域，具体讲涉及一种基于焊接型IGBT与压接型ニ极管反并联结构的换流単元。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是 20 世纪80年代中期出现的ー种半导体电カ开关器件，它的输入控制部分为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET,Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor),输出级为双极结型晶体管，兼有MOSFET和电カ晶体管的优点高输入阻抗，电压控制，驱动功率小，开关速度快，工作频率可达10 40kHz，饱和压降低，电压电流容量较大，安全工作区宽，但 单个IGBT的电压、电流允许值很难再提高，为了应用于高电压、大功率的领域，可以采用模块化多电平和H桥级联多电平的方法。模块化多电平技术和H桥级联多电平技术均为ー种多电平换流器技木，每相桥臂采用多个电气、结构和功能相同的子単元串联而成，并且将直流侧支撑电容分散集成到单个子单元中，每个子単元包含ー个直流电源(一般为直流储能电容)，单个子単元主功率开关管的不...
【技术保护点】
一种换流单元，包括IGBT模块和电容，其特征在于：所述IGBT模块包括反并联的焊接型IGBT和压接型二极管；所述IGBT模块与所述电容并联。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴锐，温家良，韩健，陈中圆，蔚泉清，贾娜，
申请(专利权)人：中国电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：
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