【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于材料化学
,尤其涉及一种在ITO导电玻璃基底上制备SnO2与P3HT杂化的异质结薄膜的方法。
技术介绍
全球能源需求逐年增加,太阳能的开发利用已成为世界关注的热点课题。在太阳能电池的发展历程中,可分为以单晶硅和多晶硅为材料的第一代太阳能电池,利用薄膜材料完成光电转换的第二代太阳能电池,在薄膜电池的基础上引入有机物和无机纳米科技的第三代太阳能电池,第四代电池主要为多层结构。人们正不断寻找新的材料和方法,期望使用简单的生产工艺制备出低成本高效率的太阳能电池。有机物薄膜太阳能电池受到极大关注,利用有机物的可溶性,在常温常压下直接在电极表面成膜,形成活性层。但由于有机物自身的电荷迁移率较低,因此目前为止其能量转化效率并不理想。与有机物不同,大多无机半导体材料都具有较高的电荷迁移率,所以人们综合有机物和无机物各自的优点,制备出有机无机杂化薄膜的太阳能电池。美国加利福尼亚州立大学伯克利分校的Alivisatos研究组报道了使用CdSe半导体纳米棒作为受体,与P3HT共混制备的共轭聚合物/无机半导体纳米晶杂化薄膜太阳电池,能量效率达到1.7%。η型无机半导 ...
【技术保护点】
一种无机/有机杂化的异质结薄膜太阳能电池器件,其特征在于,它为ITO/SnO2:P3HT/Al无机/有机杂化的异质结薄膜太阳能电池器件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张艳鸽,王敏,李品将,白赢赢,李明,郑直,张福捐,杨风岭,
申请(专利权)人:许昌学院,
类型:发明
国别省市:
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