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一种SnO2与P3HT杂化异质结薄膜太阳能电池的制备方法技术

技术编号:8162791 阅读:301 留言:0更新日期:2013-01-07 20:20
一种SnO2与P3HT杂化异质结薄膜太阳能电池的制备方法。该方法用硫粉、过硫酸铵和金属锡靶为原料,以无水乙醇、DMF及蒸馏水作溶剂,经过水热与溶剂热热处理即在ITO导电玻璃基底上制备出SnO2薄膜。先溶剂热法合成SnS,其SnS作制备SnO2的前驱物,从Sn2+到Sn4+的氧化反应更简单,耗能低;合成的SnS形貌为片状连接网络结构,可为SnO2生长提供模板,制备出分布均匀的疏松结构,增大SnO2薄膜比表面积,使与P3HT杂化形成网络互穿时两者有更好的接触,以提高器件的光电转换性能。然后在其表面旋涂P3HT,120℃退火处理2h,即得到SnO2与P3HT杂化的异质结薄膜。该方法步骤简单,无需使用任何表面活性剂和其它化学添加剂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料化学
,尤其涉及一种在ITO导电玻璃基底上制备SnO2与P3HT杂化的异质结薄膜的方法。
技术介绍
全球能源需求逐年增加,太阳能的开发利用已成为世界关注的热点课题。在太阳能电池的发展历程中,可分为以单晶硅和多晶硅为材料的第一代太阳能电池,利用薄膜材料完成光电转换的第二代太阳能电池,在薄膜电池的基础上引入有机物和无机纳米科技的第三代太阳能电池,第四代电池主要为多层结构。人们正不断寻找新的材料和方法,期望使用简单的生产工艺制备出低成本高效率的太阳能电池。有机物薄膜太阳能电池受到极大关注,利用有机物的可溶性,在常温常压下直接在电极表面成膜,形成活性层。但由于有机物自身的电荷迁移率较低,因此目前为止其能量转化效率并不理想。与有机物不同,大多无机半导体材料都具有较高的电荷迁移率,所以人们综合有机物和无机物各自的优点,制备出有机无机杂化薄膜的太阳能电池。美国加利福尼亚州立大学伯克利分校的Alivisatos研究组报道了使用CdSe半导体纳米棒作为受体,与P3HT共混制备的共轭聚合物/无机半导体纳米晶杂化薄膜太阳电池,能量效率达到1.7%。η型无机半导体与P型半导体的聚合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无机/有机杂化的异质结薄膜太阳能电池器件,其特征在于,它为ITO/SnO2:P3HT/Al无机/有机杂化的异质结薄膜太阳能电池器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张艳鸽王敏李品将白赢赢李明郑直张福捐杨风岭
申请(专利权)人:许昌学院
类型:发明
国别省市:

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