液晶基电调成像波谱面阵红外探测芯片制造技术

技术编号:8160212 阅读:264 留言:0更新日期:2013-01-07 18:51
本发明专利技术公开了一种液晶基电调成像波谱面阵红外探测芯片,包括陶瓷外壳、谱红外成像探测架构以及金属散热板,谱红外成像探测架构设置在陶瓷外壳内,并包括驱控与图像预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及电调成像波谱液晶模块,三者同轴顺序设置,电调成像波谱液晶模块用于接收目标红外入射光,通过其内的多级次高反射干涉相干提取红外入射光中的谱红外光,并传送到面阵非制冷红外探测器,面阵非制冷红外探测器用于对谱红外光进行光电转换,以生成电响应信号。本发明专利技术具有结构紧凑,成像波谱响应迅速,可执行任意的波谱切入、凝视或跳转,谱成像探测效能高,易与其它光学/光电/机械结构耦合,以及环境适应性好等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于红外成像探測
,更具体地,涉及ー种液晶基电调成像波谱面阵红外探测芯片
技术介绍
一般而言,源于地球、太阳、星体、干扰或欺骗性光源的光频电磁辐射构成了目标的背景光场。自然或者人工物质结构在材料、组分、能态、构造、形貌、活性以及生存环境方面的差异,使其呈现各异的自发辐射以及对外界电磁辐射的反射、散射或者透射属性,但均有本征的可标记的特征谱电磁信息。它们一般以纳米/亚纳米级谱宽的电磁形态呈现出来,分布在紫外、可见光、红外以及THz谱域。如火箭、飞行器以及导弹的尾焰光辐射呈现窄带连续谱,以及峰值辐射功率随尾焰温度的变化而改变。人工红外源通常表现出微米尺度 的辐射带宽,并且随温度变化改变其辐射功率和波长。高相干激光其谱宽常被约束在纳米/亚纳米尺度。爆燃或爆炸发光则与物质的高温燃烧发光类似,其能谱在微米/亚微米范围,并具有窄带连续性、非匀质性和时序性。目前广泛使用的碳材料、工程塑料、陶瓷、玻璃钢、多种无机非金属复合材料对电磁辐射的响应或扰动,则主要存在于远红外甚至THz谱域。基干物质谱辐射属性的图谱一体化成像技木,目前已应用于环境监视,恐怖装置鉴别,探測使用了工程塑料、高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶基电调成像波谱面阵红外探测芯片,其特征在于,包括陶瓷外壳、谱红外成像探测架构以及金属散热板;所述谱红外成像探测架构设置在陶瓷外壳内,并包括驱控与图像预处理模块、面阵非制冷红外探测器、以及电调成像波谱液晶模块,三者同轴顺序设置;所述金属散热板设置在所述陶瓷外壳后部,并与其固联用于芯片散热;所述电调成像波谱液晶模块用于接收目标红外入射光,通过其内的多级次高反射干涉相干提取所述红外入射光中的谱红外光,并传送到所述面阵非制冷红外探测器;所述面阵非制冷红外探测器用于对所述谱红外光进行光电转换,以生成电响应信号;所述驱控与图像预处理模块用于对所述电响应信号进行量化、配准和校正,以获得谱红外图像数据...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张新宇佟庆康胜武罗俊桑红石张天序
申请(专利权)人:华中科技大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1