一种多晶硅打压用单相干式变流变压器制造技术

一种多晶硅打压用单相干式变流变压器，由铁芯、不少于2个的低压绕组输入单元、静电屏蔽层、低压绕组以及高压绕组构成；其中，所述每一个低压绕组输入单元由隔离开关、熔断器和双向可控硅开关相互串联组成；所述不少于1个抽头的低压绕组的一端与1个低压绕组输入单元中的双向可控硅开关一端连接，其抽头分别与其它低压绕组输入单元中的双向可控硅开关一端连接；所述低压绕组的另一端连接变流变压器输出端子，且低压绕组输入单元中的隔离开关的输入端连接变流变压器输入端子以采集电压信号；所述高压绕组的输出端输出电压信号；所述静电屏蔽层绕在低压绕组外层，且一端接地。是一种结构简单、运行可靠、性能高的多晶硅打压用单相干式变流变压器。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于变压器
，尤其是一种多晶硅打压用単相干式变流变压器。(ニ)
技术介绍
目前，现有的多晶硅打压用干式单相变流变压器多为非包封的単相普通干式变压器，其存在的主要问题是1、防潮、防尘能力差；2、变压器外观不美观；3、变压器输出电压档位少，不能满足多晶硅打压使用的要求；4、输入侧可控硅导通时，对输出电压的波形影响较大。(三)
技术实现思路
·本技术的目的在于设计一种多晶硅打压用単相干式变流变压器，它可以克服现有技术存在的不足，是ー种结构简单、运行可靠、性能高的多晶硅打压用单相干式变流变压器。本技术的技术方案一种多晶硅打压用単相干式变流变压器，其特征在于它是由铁芯、不少于2个的低压绕组输入单元、静电屏蔽层、不少于I个抽头的低压绕组以及不少于I个抽头的高压绕组构成；其中，所述每ー个低压绕组输入単元由隔离开关、熔断器和双向可控硅开关相互串联组成；所述不少于I个抽头的低压绕组的一端与I个低压绕组输入单元中的双向可控硅开关一端连接，其抽头分别与其它低压绕组输入単元中的双向可控硅开关一端连接；所述低压绕组的另一端连接变流变压器输出端子，且低压绕组输入单元中的隔离开关的输入端连接变流变压器输入端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅打压用单相干式变流变压器，其特征在于它是由铁芯、不少于2个的低压绕组输入单元、静电屏蔽层、不少于1个抽头的低压绕组以及不少于1个抽头的高压绕组构成；其中，所述每一个低压绕组输入单元由隔离开关、熔断器和双向可控硅开关相互串联组成；所述不少于1个抽头的低压绕组的一端与1个低压绕组输入单元中的双向可控硅开关一端连接，其抽头分别与其它低压绕组输入单元中的双向可控硅开关一端连接；所述低压绕组的另一端连接变流变压器输出端子，且低压绕组输入单元中的隔离开关的输入端连接变流变压器输入端子以采集电压信号；所述高压绕组的输出端输出电压信号；所述静电屏蔽层绕在低压绕组外层，且一端接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵忠云，刘培欣，刘利艳，韩辉，周芳，余晓斌，李涛，刘政，
申请(专利权)人：天津天能变压器有限公司，
类型：实用新型
国别省市：