铁电存储器制造技术

本实用新型专利技术提供了具有铁电材料元件的存储器支持。一种铁电存储器，包括：第一字线；第一和第二位线；第一铁电晶体管，具有并具有与第一位线耦合的第一导电端子、可以与第二位线关联的第二导电端子和与第一字线耦合的控制端子；读取电学量的生成器，与第一字线耦合，并配置成经由第一字线将第一铁电晶体管的控制端子偏置到第一偏置值；感测电学量的生成器，连接在第一和第二位线之间，并配置成生成第一和第二位线之间的电势差；读取和比较电路，耦合到第一和/或第二位线，并配置读取输出电学量并将输出电学量与多个比较值相比较以生成比较的结果；以及控制逻辑，连接到读取和比较电路并配置成基于比较结果来确定待读取的逻辑数据的逻辑值。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种铁电存储器，具体来说涉及一种配备由铁电材料制成的元件的存储器。
技术介绍
如已知的那样，在存储系统的情形中，感受到对实现具有高数据传输速率(比特速率)的高存储容量、同时减少制造成本和占用面积的需要。当前最广泛使用的存储系统，即硬盘驱动器(具有小型尺寸)和闪速RAM在增加数据存储容量和读取/写入速度以及减少其尺寸方面存在固有技术限制。在所提出的创新方案中，使用由铁电材料制成的存储介质的存储系统是非常有前途的，其中单个比特的读取/写入是通过与铁电材料的铁电畴相互作用而进行。如已知的那样，铁电材料具有可以通过所施加的电场而反转的自发极化；如图I中所示，所述材料还呈现根据所施加的电压V的极化电荷Q(或等价地极化P)的图中的迟滞循环，利用该迟滞循环有可能以比特的形式存储信息。具体地，在不存在加在介质上的偏置电压(V = O)的情况下，存在图中的处于稳定状态中的两个点(由“b”和“e”表示)，所述两个点具有不同的极化，具体地为相等的和相反的不同的极化。所述点甚至可以保持在稳定状态达若干年，从而维持所存储的二进制数据(例如，具有正电荷+Qh的点“b”对应于“O”，而具有负电荷-Qh本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铁电存储器，其特征在于包括：？第一字线(18a)；？第一位线(16a)和第二位线(17a)；？第一铁电晶体管(14)，其具有处于可以与逻辑数据的高逻辑值或低逻辑值相关联的稳定极化状态的铁电材料层(26)，并且具有与所述第一位线耦合的第一导电端子(20a)、可以与所述第二位线(20b)相关联的第二导电端子和与所述第一字线耦合的控制端子(20c)；？读取电学量(Vread)的生成器，其与所述第一字线(18a)耦合，并且被配置用于经由所述第一字线(18a)将所述第一铁电晶体管(14)的控制端子(20c)偏置到第一偏置值，使得不导致所述铁电材料层(26)的稳定极化状态的变化；？感测电学量(Vsen...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：A·M·斯卡利亚，M·格雷科，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：