一种学习机电路中的FLASH存储模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种学习机电路中的FLASH存储模块，包括有TF卡芯片T1，TF卡芯片T1的VSS引脚共接后接地，TF卡芯片T1的DET引脚、D0引脚～D3引脚、SCK引脚、CMD引脚分别接入学习机的主控芯片，且DET引脚、D1引脚、D0引脚、CMD引脚、D3引脚、D2引脚分别通过电阻接入电压VDD_SD，TF卡芯片T1的VDD引脚还直接接入电压VDD_SD。本实用新型专利技术能有效提高FLASH存储模块存储数据的稳定性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及学习机电路领域，具体为一种学习机电路中的FLASH存储模块。
技术介绍
学习机是一种电子教学类产品，在国内学生群体中应用广泛。学习机一般由主控模块及其外围的其他电路构成，如FLASH存储模块等。现有技术学习机FLASH存储模块数据存储不稳定，易丢失数据。
技术实现思路
本技术目的是提供一种学习机电路中的FLASH存储模块，以解决现有技术学习机FLASH存储模块数据存储不稳定的问题。为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案为一种学习机电路中的FLASH存储模块，其特征在于包括有TF卡芯片Tl，所述TF卡芯片Tl的VSS引脚共接后接地，TF卡芯片Tl的DET引脚、DO引脚 D3引脚、SCK引脚、CMD引脚上分别有导线接入学习机的主控芯片，且DET引脚通过电阻R39、D1引脚通过电阻R32、D0引脚通过电阻R33、CMD引脚通过电阻R34、D3引脚通过电阻R35、D2引脚通过电阻R36分别接入电压VDD_SD，所述TF卡芯片Tl的VDD引脚还直接接入电压VDD_SD。本技术中，TF卡芯片的VSS引脚分别共接后接地，DET引脚、DO引脚 D3引脚、SCK引脚、CMD引脚除通过导线接入学习机主控芯片外，还分别通过电阻接入电压VDD_SD,这样可有效提高TF卡芯片的数据存储稳定性。本技术能有效提高FLASH存储模块存储数据的稳定性。附图说明图I为本技术的电路原理图。具体实施方式如图I所示。一种学习机电路中的FLASH存储模块，包括有TF卡芯片T1，TF卡芯片Tl的VSS引脚共接后接地，TF卡芯片Tl的DET引脚、DO引脚 D3引脚、SCK引脚、CMD引脚上分别有导线接入学习机的主控芯片，且DET引脚通过电阻R39、D1引脚通过电阻R32、DO引脚通过电阻R33、CMD引脚通过电阻R34、D3引脚通过电阻R35、D2引脚通过电阻R36分别接入电压VDD_SD，TF卡芯片Tl的VDD引脚还直接接入电压VDD_SD。权利要求1. 一种学习机电路中的FLASH存储模块，其特征在于包括有TF卡芯片Tl，所述TF卡芯片Tl的VSS引脚共接后接地，TF卡芯片Tl的DET引脚、DO引脚 D3引脚、SCK引脚、CMD引脚上分别有导线接入学习机的主控芯片，且DET引脚通过电阻R39、D1引脚通过电阻R32、D0引脚通过电阻R33、CMD引脚通过电阻R34、D3引脚通过电阻R35、D2引脚通过电阻R36分别接入电压VDD_SD，所述TF卡芯片Tl的VDD引脚还直接接入电压VDD_SD。专利摘要本技术公开了一种学习机电路中的FLASH存储模块，包括有TF卡芯片T1，TF卡芯片T1的VSS引脚共接后接地，TF卡芯片T1的DET引脚、D0引脚～D3引脚、SCK引脚、CMD引脚分别接入学习机的主控芯片，且DET引脚、D1引脚、D0引脚、CMD引脚、D3引脚、D2引脚分别通过电阻接入电压VDD_SD，TF卡芯片T1的VDD引脚还直接接入电压VDD_SD。本技术能有效提高FLASH存储模块存储数据的稳定性。文档编号G11C16/06GK202632548SQ201220201398公开日2012年12月26日 申请日期2012年5月7日 优先权日2012年5月7日专利技术者蒋智谋 申请人:安徽状元郎电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种学习机电路中的FLASH存储模块，其特征在于：包括有TF卡芯片T1，所述TF卡芯片T1的VSS引脚共接后接地，TF卡芯片T1的DET引脚、D0引脚～D3引脚、SCK引脚、CMD引脚上分别有导线接入学习机的主控芯片，且DET引脚通过电阻R39、D1引脚通过电阻R32、D0引脚通过电阻R33、CMD引脚通过电阻R34、D3引脚通过电阻R35、D2引脚通过电阻R36分别接入电压VDD_SD，所述TF卡芯片T1的VDD引脚还直接接入电压VDD_SD。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋智谋，
申请(专利权)人：安徽状元郎电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：