改进的多晶织构组合物和方法技术

提供了一种用于织构多晶半导体的水溶性酸性组合物，其包括碱性化合物，氟化物离子和氧化剂。还提供了一种织构方法。织构后的多晶半导体具有减小的光入射反射率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种改进的酸性多晶半导体织构组合物和方法。本专利技术尤其涉及一种提供各向同性蚀刻并减小入射光反射率的改进的酸性多晶半导体织构组合物和方法。
技术介绍
典型地，多晶半导体晶片由硅或其它相似的陶瓷材料制成并具有从几千埃到2_3μπι变化的粒度。这种晶片可以用于光电装置，例如太阳能电池的制备。太阳能电池是一种将入射到其表面的光能如阳光转化为电能的装置。利用化学气相沉积工艺来制备多晶硅半导体晶片，其中硅烷在高温分解到衬底表面上从而形成锭或相似种类的物品。所述锭利用合适的切割锯和行业中常规的方法切割成不同尺寸和形状的晶片。对晶片表面的锯伤可能会增加晶片的反射率达35%及更大。高反射率降低晶片的入射光吸收能力，并影响使 用所述晶片的太阳能电池的性能。已经尝试了多种通过减小入射到太阳能电池表面上的光的反射率来增加光的吸收率的方法。减小入射光的反射率提高了将光转化电能的效率。代表性地，对半导体晶片的表面进行织构从而减小入射光反射率。常用碱性材料如氢氧化钠和氢氧化钾进行织构(texturing);然而，这些碱性织构材料表现的各向异性太强而不能成为有效的多晶晶片织构试剂。另外，这些碱性金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合物，包括一种或多种碱性化合物，一种或多种氟化物离子源，一种或多种氧化剂源，并且pH小于7。

【技术特征摘要】
2011.04.21 US 61/477,9331.一种组合物，包括一种或多种碱性化合物，一种或多种氟化物离子源，一种或多种氧化剂源，并且pH小于7。2.根据权利要求I所述的组合物，所述一种或多种碱性化合物选自链烷醇胺和季铵化合物。3.根据权利要求2所述的组合物，所述链烷醇胺具有通式 R3-nN(CmH2m(OH))n，其中R是氢原子或具有1-4个碳的烷基，m是2-4的整数，η是1_3的整数。4.根据权利要求2所述的组合物，所述季铵化合物具有通式5.根据权利要求I所述的组合物，所述一种或多种氟化物离子选自二氟化合物和氟化盐。6.根据权利要求I所述的组合物，所述一种或多种氧化剂选自过氧化氢及其盐，次氯酸盐，过硫酸盐，过氧有机酸，高锰酸盐，次氯酸钠，过碳酸钠，氯...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·K·巴尔，C·欧康纳，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：