一种自激振荡式高频电子发生器制造技术

本实用新型专利技术提出了一种自激振荡式高频电子发生器，包括与外加电流输入电流相连的半桥启动式触发电路，与所述的触发电路相连的变压器耦合电路，与所述的变压器耦合电路相连的谐振匹配电路，所述的谐振匹配电路与高压气体放电灯相连，所述的谐振匹配电路由两个金氧半场效晶体管相串接而成，所述的两个金氧半场效晶体管的漏极均与触发电路相连，栅极均与所述的变压器耦合电路相连。本实用新型专利技术的一种自激振荡式高频电子发生器电路简单、造价低、效率高、温升小、工作可靠。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种自激振荡式高频电子发生器。
技术介绍
众所周知，高压气体放电灯(High intensity Discharge, HID)是萊、钠、金、氣灯的统称，即汞灯、钠灯、金卤灯、氙灯。其中氙灯的原理是在UV-cut抗紫外线水晶石英玻璃管内，以多种化学气体充填，其中大部份为氙气(Xenon)与碘化物等惰性气体，然后再透过增压器(Ballast)将低压(如12伏持)直流电压瞬间增压至23000伏特的电流，经过高压震幅激发石英管内的氙气电子游离，在两电极之间产生光源，这就是所谓的气体放电。而由氙气所产生的白色超强电弧光，可提高光线色温值，类似白昼的太阳光芒，HID工作时所需的电流量仅为3. 5A，亮度是传统卤素灯泡的三倍，使用寿命比传统卤素灯泡长10倍。用高频正弦波电压驱动高压气体放电灯灯管，能降低电极的溅射损耗，并且电弧稳定，对延长灯管的寿命十分有利，高频相对エ频又会提高15%左右的光效。事实上，上世纪80年代末研究HID灯电子镇流器吋，就是用高频频率点灯的，但最初使用频率大都在20KHz-70KHz左右，很少超过120KHz。更高的频率由于技术难度和造价问题，只停留在实验室，未能形成产品。所以，一方面是高频段250KHz以上的研发工作陷入困境，而250KHz以下的频率却刚好落在‘声共振’和‘飘弧’的‘窗ロ’之内。在电子式镇流器中，目前较多使用低频方波驱动模式，而高频驱动模式应用较少。原因在于HID灯在某个高频段应用中存在‘声共振’问题，实验表明，在10KHz-250KHz这ー频段发生‘声共振’的概率最高。
技术实现思路
本技术提出一种自激振荡式高频电子发生器，解决了现有技术中“声共振”，功率不恒定的问题。本技术的技术方案是这样实现的本技术公开了ー种自激振荡式高频电子发生器，包括与外加电流输入电流相连的半桥启动式触发电路，与所述的触发电路相连的变压器耦合电路，与所述的变压器耦合电路相连的谐振匹配电路，所述的谐振匹配电路与高压气体放电灯相连，所述的谐振匹配电路由两个金氧半场效晶体管相串接而成，所述的两个金氧半场效晶体管的漏极均与触发电路相连，栅极均与所述的变压器耦合电路相连。在本技术所述的自激振荡式高频电子发生器中，所述的自激振荡式高频电子发生器还包括滤波电路，连接于所述的谐振匹配电路及所述的高压气体放电灯之间，用于对所述的谐振匹配电路进行滤波。在本技术所述的自激振荡式高频电子发生器中，所述的高压气体放电灯两端设置双向钳位ニ极管，用于将输出至所述的高压气体放电灯保护在安全范围内。在本技术所述的自激振荡式高频电子发生器中，所述的变压器耦合电路输入端设置双向钳位ニ极管，用于将输出至所述的变压器耦合电路输入端的电压保护在安全范围内。在本技术所述的自激振荡式高频电子发生器中，所述的变压器耦合电路具有初级线圈以及与之耦合的两个次级线圈，所述的触发电路产生的触发脉冲通过变压器的初级线圈耦合到两个次级线圈，在所述的金氧半场效晶体管两个栅极形成两个相位相反、幅度相等的感应电压，使所述的谐振匹配电路轮流导通，产生‘拉’、‘灌’电流，并在所述的金氧半场效晶体管的中点产生幅度接近400V的方波输出至所述的高压气体放电灯。实施本技术的一种自激振荡式高频电子发生器，具有以下有益的技术效果电路简单、造价低、效率高、温升小、工作可靠，可作35米高杆照明，g在取代目前常用的400W高压钠灯。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是本技术一种自激振荡式高频电子发生器硬件构造示意图；图2本技术一种自激振荡式高频电子发生器硬件局部电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请參阅图I及图2，本技术的较佳实施例，一种自激振荡式高频电子发生器，包括与外加电流输入电流相连的半桥启动式触发电路1，与触发电路I相连的变压器耦合电路2，与变压器耦合电路2相连的谐振匹配电路3，谐振匹配电路3与高压气体放电灯6相连，谐振匹配电路3由两个金氧半场效晶体管Q1、Q2相串接而成，两个金氧半场效晶体管的漏极均与触发电路I相连，栅极均与变压器耦合电路2相连。其中，作为本技术的较佳实施例的ー种变形，自激振荡式高频电子发生器还包括由多个电容及电感组成的滤波电路5及保护电路4，连接于谐振匹配电路3及高压气体放电灯6之间，滤波电路5用于对谐振匹配电路3进行滤波，保护电路4用于保护经过滤波电路5的电流过大，烧毁滤波电路5及高压气体放电灯6。高压气体放电灯6两端设置双向钳位ニ极管TVS1，用于将输出至高压气体放电灯6保护在安全范围内。变压器耦合电路2输入端设置双向钳位ニ极管TVS2，用于将输出至变压器耦合电路2输入端的电压保护在安全范围内。 由于在HID两端并联了双向TVSI钳位ニ极管，有效保护了 HID管得过触发，延长灯管寿命。在Tl变压器的初级并联TVS2，使半桥上下臂的MOSFET的到更有效的保护，当输出端异常或触发失败吋，TVS2能将NI端的电位控制在安全2之内。实测结果显示该专利技术安全可Φ，光效提尚。本技术的一种自激振荡式高频电子发生器工作过程为变压器耦合电路2具有初级线圈NI以及与之耦合的两个次级线圈Ν2、Ν3，触发电路I产生的触发脉冲通过变压器的初级线圈NI耦合到两个次级线圈Ν2、Ν3，在两个金氧半场效晶体管Q1、Q2的两个栅极形成两个相位相反、幅度相等的感应电压，使谐振匹配电路3轮流导通，产生‘拉’、‘灌’电流，并在金氧半场效晶体管Q1、Q2的中点产生幅度接近400V的方波输出至所述的高压气体放电灯6。实施本技术的一种自激振荡式高频电子发生器，具有以下有益的技术效果 电路简单、造价低、效率高、温升小、工作可靠，可作35米高杆照明，旨在取代目前常用的400W高压钠灯。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自激振荡式高频电子发生器，包括与外加电流输入电流相连的半桥启动式触发电路，与所述的触发电路相连的变压器耦合电路，与所述的变压器耦合电路相连的谐振匹配电路，所述的谐振匹配电路与高压气体放电灯相连，其特征在于，所述的谐振匹配电路由两个金氧半场效晶体管相串接而成，所述的两个金氧半场效晶体管的漏极均与触发电路相连，栅极均与所述的变压器耦合电路相连。

【技术特征摘要】
1.一种自激振荡式高频电子发生器，包括与外加电流输入电流相连的半桥启动式触发电路，与所述的触发电路相连的变压器耦合电路，与所述的变压器耦合电路相连的谐振匹配电路，所述的谐振匹配电路与高压气体放电灯相连，其特征在于，所述的谐振匹配电路由两个金氧半场效晶体管相串接而成，所述的两个金氧半场效晶体管的漏极均与触发电路相连，栅极均与所述的变压器耦合电路相连。2.根据权利要求I所述的自激振荡式高频电子发生器，其特征在于，所述的自激振荡式高频电子发生器还包括滤波电路，连接于所述的谐振匹配电路及所述的高压气体放电灯之间，用于对所述的谐振匹配电路进行滤波。3.根据权利要求I至2任一项所述的自激振荡式高频电子发生器，其特征在于，所述的高压气体放电灯两端设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢立山，陈裕嘉，袁青辉，杨红敏，
申请(专利权)人：深圳市格林莱电子技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：