用于汽车系统的低频发射保护电路技术方案

本实用新型专利技术提出了一种用于汽车系统的低频发射保护电路，包括电源、互补MOS驱动电路和低频天线，所述的低频天线与互补MOS驱动电路电连接，还包括过压保护电路和稳压电路，所述的过压保护电路与电源、互补MOS驱动电路电性连接，所述的稳压电路与过压保护电路、互补MOS驱动电路电性连接。本实用新型专利技术尤其适用于汽车无钥匙进入系统的低频发射保护电路，其能够实现对尖峰脉冲的吸收和稳压，有效的保证了互补MOS驱动电路免受异常尖峰脉冲的损坏。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于汽车领域，具体是一种用于汽车系统的低频发射保护电路。
技术介绍
汽车无钥匙进入系统通常会采用互补MOS驱动电路作为低频发射天线的驱动。互补MOS驱动电路(如MICREL公司的MIC4425和Microchip公司的MCP14E5)的最高工作电压，都不超过20V。但是汽车在启动或继电器释放的时候，均会产生各种尖峰脉冲。 如果不对尖峰脉冲进行限压吸收，则很容易造成互补MOS驱动电路的损坏。为避免互补MOS驱动电路的损坏，通常的设计如图I所示，电源输出端串联一保险丝，保险丝的输出端再串联一二极管，二极管输出端接互补MOS驱动电路且加一 TVS管做过压保护。普通轿车均使用12V蓄电池，启动后工作电压大概在14V。TVS管如果选择的保护电压过低，容易造成TVS管频繁动作，吸收过多能量导致损坏。但是如果选择的保护电压过高，会导致不能吸收各种异常尖峰脉冲，导致互补MOS驱动电路损坏。对于普通的汽车电气设备，一般会选用反向断态电压(Vrwm)为18V的TVS管，如LITTLEFUSE公司的5KP18A。查数据手册会发现其反向工作电压(Vbr)的最小值已经达到20V，而普通TVS管的保护电压值，已经在所选互补MOS驱动电路的上限，在异常情况下仍然很容易照成互补MOS驱动电路的损坏，致使发射天线无法正常工作。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种用于汽车系统的低频发射保护电路，其能够有效可靠地实现对尖峰脉冲的吸收和稳压，从而避免互补MOS驱动电路的损坏。为实现上述目的，本技术采用了以下技术方案一种用于汽车系统的低频发射保护电路，包括电源、互补MOS驱动电路和低频天线，所述的低频天线与互补MOS驱动电路电连接，还包括过压保护电路和稳压电路，所述的过压保护电路与电源、互补MOS驱动电路电性连接，所述的稳压电路与过压保护电路、互补MOS驱动电路电性连接。具体的，所述的稳压电路设置了稳压二极管、三极管等器件，稳压二极管为三极管提供稳定的工作电压使三极管工作在稳定状态，进而三极管稳定的输出信号驱动互补MOS驱动电路；所述的过压保护电路设置了保险丝和压敏电阻，保险丝设置于电源的输出端，压敏电阻置于三极管集电极与电源地之间。本技术的有益效果在于当采用上述设计以后，通过稳压电路保证了互补MOS驱动电路处于正常的工作电压下，当电源输入尖峰脉冲电信号时，通过过压保护电路的设置，电源处于断开状态直至电源供电正常，从而保护了互补MOS驱动电路，避免其受到尖峰脉冲的损坏。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有技术一种用于汽车无钥匙进入系统的低频发射保护电路的电路连接示意图；图2为本技术的电路原理方框图；图3为本技术用于汽车无钥匙进入系统的一种具体实施例的电路连接示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图2所示，一种用于汽车系统的低频发射保护电路，包括电源、互补MOS驱动电路30和低频天线40，所述的低频天线40与互补MOS驱动电路30电连接，还包括过压保护电路10和稳压电路20，所述的过压保护电路10与电源、互补MOS驱动电路30电性连接，所述的稳压电路20与过压保护电路10、互补MOS驱动电路30电性连接。进一步的，如图3所示，所述的过压保护电路10包括保险丝Fl和压敏电阻RV1，该保险丝Fl的一端与电源电连接，另一端与稳压电路20电连接；所述的压敏电阻RVl的一端与稳压电路20电连接，另一端接地。作为本技术的一个具体实施例，设置压敏电阻RVl的阀值电压为40V，当电源输入电压未超过40V时，压敏电阻RVl处于无动作的高阻状态；当电源输入为大于40V的尖峰脉冲电压时，其阻抗急剧下降，流过它的电流激增，实现对尖峰脉冲电压的吸收。优选的，所述的保险丝Fl为自恢复保险丝，保险丝Fl的耐电流可根据现有技术进行选用，当电路中的电流大于保险丝Fl的耐电流时，保险丝Fl切断电源，异常电源或过电流消失后，保险丝Fl自行复位。因而其设置起到了过流保护作用，且自恢复保险丝具有自行复位功能，无需拆换，使用方便。进一步的，如图3所示，本技术的稳压电路20包括限流电阻R1、限流电阻R2、二极管Dl、稳压二极管VDl和三极管Ql，所述的二极管Dl与保险丝Fl电性连接，所述的三极管Ql与互补MOS驱动电路30电性连接。更进一步的，如图3所示，所述的限流电阻Rl的一端与保险丝Fl电性连接，另一端与所述的稳压二极管VDl的负极电性连接，所述的稳压二极管VDl的正极接地；所述的二极管Dl的正极与保险丝Fl电连接，该二极管Dl的负极与所述的限流电阻R2的一端电连接，所述的限流电阻R2的另一端与稳压二极管VDl的负极电连接；所述的三极管Ql的集电极与二极管Dl的负极电连接，该三极管Ql的基极与稳压二极管VDl的负极电连接，该三极管Ql的发射极与所述的互补MOS驱动电路30电性连接。稳压二极管VDl为三极管Ql提供稳定的工作电压，使三极管Ql工作在稳定状态，进而三极管Ql稳定的输出信号驱动互补MOS驱动电路30工作。本技术在该具体实施例中设计稳压二极管VDl的反向导通电压为18V，从而限制三极管Ql的基极电压在18V以内，保证三极管Ql的射级电压不超过17. 3V，从而保证互补MOS驱动电压不会超过器件允许的20V极限工作电压。稳压二极管VDl配合限流电阻R1、R2实现对40V以内的大功率浪涌的吸收。通过合理设计限流电阻Rl的阻值，可保证稳压二极管VDl不被烧毁。因互补MOS驱动电路30如果工作电压降低，将显著降低低频天线40发射距离，所以将Rl接在反向保护二极管前，可以保证正常工作时，通过Ql的压降不会超过O. 7V (即三极管Ql的BE级压降)，以保证在汽车电瓶长时间存放，电压在11. 7V时，互补MOS驱动电路30的工作电压不低于11V。优选的，所述的三极管Ql为NPN型大功率三极管，在本技术的具体实施例中，三极管Ql的选择并不限于此种NPN型大功率三极管，可根据具体设计的电路进 行选择。该优选实施例中选用NPN型大功率三极管，稳压二极管VDl可将稳压后的电压直接施加在三极管Ql的集电极，三极管Ql的发射极输出信号可直接接入互补MOS驱动电路30，由此可简化电路，较为方便的在电路板上进行布线。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于汽车系统的低频发射保护电路，包括电源、互补MOS驱动电路（30）和低频天线（40），所述的低频天线（40）与互补MOS驱动电路（30）电连接，其特征在于：还包括过压保护电路（10）和稳压电路（20），所述的过压保护电路（10）与电源、互补MOS驱动电路（30）电性连接，所述的稳压电路（20）与过压保护电路（10）、互补MOS驱动电路（30）电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种用于汽车系统的低频发射保护电路，包括电源、互补MOS驱动电路(30)和低频天线(40)，所述的低频天线(40)与互补MOS驱动电路(30)电连接，其特征在于还包括过压保护电路(10)和稳压电路(20)，所述的过压保护电路(10)与电源、互补MOS驱动电路(30)电性连接，所述的稳压电路(20)与过压保护电路(10)、互补MOS驱动电路(30)电性连接。2.根据权利要求I所述的用于汽车系统的低频发射保护电路，其特征在于所述的过压保护电路(10)包括保险丝Fl和压敏电阻RV1，该保险丝Fl的一端与电源电连接，另一端与稳压电路(20)电连接；所述的压敏电阻RVl的一端与稳压电路(20)电连接，另一端接地。3.根据权利要求2所述的用于汽车系统的低频发射保护电路，其特征在于所述的保险丝Fl为自恢复保险丝。4.根据权利要求2所述的用于汽车系统的低频发射保护电路，其特征在于所述的稳压电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，
申请(专利权)人：重庆桴之科科技发展有限公司，
类型：实用新型
国别省市：