磁控管的阴极陶瓷结构制造技术

一种磁控管的阴极陶瓷结构，设置在由磁控管中的阴极封盖所围成的下部密封室下侧，在阴极陶瓷上端设置分别支撑中央导杆和侧面导杆并连接阴极引出线的两个互不接触的半月形焊接片；与焊接片上固定中央导杆、侧面导杆的位置各自相对应，在阴极陶瓷上端分别设置两个盲孔；与焊接片上连接的阴极引出线的位置相对应，设置由上至下穿透阴极陶瓷的通孔，两条阴极引出线分别从阴极陶瓷的通孔中穿过，阴极陶瓷的上端设置两个凹槽，每个凹槽内分别设置一个盲孔和一个通孔，两个焊接片分别对应设置于凹槽内，从而将两个焊接片通过绝缘的陶瓷材质完全隔开，彻底消除了在磁控管焊接组装时两绝缘片之间发生接触和连结的可能性，提高了磁控管产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁控管的
，具体涉及ー种在阴极陶瓷上端分别设置两个容纳焊接片的凹槽，从而防止两个焊接片相互接触的磁控管的阴极陶瓷结构。
技术介绍
图I是现有技术的磁控管结构纵剖视图；图2是现有技术中磁控管的阴极陶瓷结构的示意图；图3是现有技术中磁控管的阴极陶瓷结构的俯视图；图4是现有技术中磁控管的阴极陶瓷结构的纵剖图。如图所示，磁控管主要包括有正电极部；负电极部；磁极部；微波发射部。正电极部由圆桶形状的阳极外壳11，在阳极外壳11的内壁上形成有多个放射状的叶片12，叶片上 下沟槽中焊接内外环构成。负电极部包括在中心轴上由W (钨)和TH (钍)元素形成的螺旋形状并可放射热电子的灯丝13 ;在叶片12的末端和灯丝13之间形成使热电子旋转的作用空间14 ;为了防止从灯丝13放射出来的热电子从中心轴上下方向脱离，在灯丝13的上端和下端形成上部密封件15和下部密封件16 ;为了支撑灯丝13及引入电源，设计了贯通下部密封件16并连接上部密封件15的灯丝中央导杆17和与中央导杆17—起引入电源并连接下部密封件16的侧面导杆18。磁极部包括固定在阳极外壳11的上端和下端且能形成磁通的上磁极20，下磁极21 ;为了能使作用空间14上形成磁场，在上磁极20的上端和下磁极21的下端安装磁铁22。在上磁极20的上部和下磁极21的下部设置起到磁通作用的上部密封室41和下部密封室42，上部密封室和下部密封室分别由天线封盖100和阴极封盖103分隔出的空间形成；为了在作用空间14里产生的高频波发射到外部，设有连接在叶片12并贯通上磁极20和上部密封室41中央引出来的天线51 ;为了冷却在作用空间14里产生并通过叶片12传递的热量，设置有冷却片61。在磁控管的下端对应下磁极的下部密封室位置设置阴极陶瓷31，阴极陶瓷与形成下部密封室的阴极封盖紧密结合；在阴极陶瓷31中设置两条穿过阴极陶瓷的阴极引出线35，另外设置具有滤波功能的滤波线圈32，两段滤波线圈分别通过阴极引出线连接灯丝的中央导杆17 —端和侧面导杆18的一端；包围滤波线圈设置由金属材质构成的屏蔽盒34，屏蔽盒内部形成密闭的空间，屏蔽盒上部形成通孔，阴极陶瓷的下端穿过屏蔽盒上部的通孔并与屏蔽盒相固定，连接滤波线圈32，并跨接于电源两端从外部引入电源的电容器33。另外还有把冷却片61保护在内部并将冷却片61传递的热量散出的外壳19等部件。外壳19包括从上侧容纳内部装置的上壳19a和从下侧容纳内部装置的下壳19b。图中所示的排气管60是磁控管组装以后，进行排气エ序时为了把磁控管变成真空状态切断的部分。下面说明如上所述的磁控管工作情況。在磁铁22产生的磁场通过上磁极20和下磁极21形成磁通时，在叶片12和灯丝13之间形成磁场。当通过电容器33进行通电的时候，灯丝13在大约2000K温度下放射热电子，热电子在灯丝13与正电极部之间的4. O KV到4. 4KV和在磁铁22产生的磁场的作用下的作用空间14进行旋转。这样，在通过中央导杆17和侧面导杆18向灯丝13通电的时候，在叶片12和灯丝13之间产生2450MHZ左右的电场，使热电子在作用空间14内通过电场和磁场的作用下变成谐波，并使谐波传递到连接叶片12的天线51发射到外部。在作用空间产生的不仅有用于烹调的基本波(2450MHZ)，还有基本波频率整数倍的高频谐波，主要包括第二高频谐波(4900MHZ)、第三高频谐波(7350MHZ)、第四高频谐波(9. 8GHZ)、第五高频谐波(12. 5GHZ)等。基本波用于对微波炉内的物品加热，整数倍高频谐波容易对周围的电器元件造成強烈的电磁干扰，而且对人体有害，因此必须尽量减少高频谐波从磁控管中泄漏。磁控管的天线侧扼流结构，包括设置于磁控管的阳极外壳上部并形成上 部密封室的天线封盖100和密闭焊接干天线封盖内部并与天线封盖内壁共同形成扼流槽102的筒状扼流壁101 ;天线封盖上部的天线出口处向上部密封室内侧弯曲形成扼流筒，扼流筒与扼流壁之间同样形成扼流槽102，扼流筒、天线封盖与扼流壁共轴。中央导杆17贯通磁控管的下部密封件16且连接上部密封件15，支撑灯丝13并为灯丝引入电源，其下端通过焊接片与阴极引出线35相连接；侧面导杆18连接磁控管的下部密封件16，与中央导杆配合向灯丝引入电源，侧面导杆的下端通过焊接片与阴极引出线35相连接。现有技术的磁控管的阴极陶瓷31结构，设置在由磁控管中的阴极封盖103所围成的下部密封室42下侧，在阴极陶瓷上端设置分别支撑中央导杆和侧面导杆并连接阴极引出线的两个互不接触的半月形焊接片；与焊接片上固定中央导杆、侧面导杆的位置各自相对应，在阴极陶瓷上端分别设置两个盲孔38 ;与焊接片上连接的阴极引出线的位置相对应，设置由上至下穿透明极陶瓷的通孔39，两条阴极引出线分别从阴极陶瓷的通孔中穿过，并与屏蔽盒中的滤波线圈相连接。阴极陶瓷的上端内部分别形成与焊接片相互对应的两个凸台36，每个凸台分别对应设置ー个盲孔和一个通孔，两个凸台之间通过凹陷37的空间隔开，附图3中阴影部分即为阴极陶瓷上端凹陷的部分。两凸台之间互不接触，且两凸台的外围也都分别设置凹陷部分，凹陷37将两凸台36包围，使凸台在阴极陶瓷的上端处于相对隔离的状态。但是现有技术存在以下不足 磁控管阴极陶瓷结构中，焊接片分别设置在阴极陶瓷上端的两个凸台上，凸台之间以及焊接片之间都通过阴极陶瓷上形成的凹陷部分隔开，焊接片之间并不存在限位保护结构及保护措施，在磁控管阴极整体组装焊接的过程中，焊接片容易发生位置移动，从而易于造成两片焊接片之间直接发生接触连结，导致磁控管产品不良。
技术实现思路
本专利技术为解决现有技术中存在的技术问题而提供一种在阴极陶瓷上端分别设置两个容纳焊接片的凹槽，从而防止两个焊接片相互接触的磁控管的阴极陶瓷结构。本专利技术为解决现有技术中存在的技术问题所采取的技术方案是 本专利技术的磁控管的阴极陶瓷结构，设置在由磁控管中的阴极封盖所围成的下部密封室下侧，在阴极陶瓷上端设置分别支撑中央导杆和侧面导杆并连接阴极引出线的两个互不接触的半月形焊接片；与焊接片上固定中央导杆、侧面导杆的位置各自相对应，在阴极陶瓷上端分别设置两个盲孔；与焊接片上连接的阴极引出线的位置相对应，设置由上至下穿透明极陶瓷的通孔，两条阴极引出线分别从阴极陶瓷的通孔中穿过，阴极陶瓷的上端设置两个凹槽，每个凹槽内分别设置一个盲孔和一个通孔，两个焊接片分别对应设置于凹槽内，两个凹槽之间通过阴极陶瓷自身形成的槽壁隔开。本专利技术还可以采用如下技术措施 所述的阴极陶瓷上端设置的凹槽的横截面的形状和大小与焊接片的形状和大小分别对应。所述的阴极陶瓷的上端形成的两个凹槽之间互不连通。 本专利技术具有的优点和积极效果是 本专利技术的磁控管的阴极陶瓷结构中，在阴极陶瓷的上端设置两个凹槽，将两个焊接片分别设置于凹槽内，两凹槽之间互不连通，从而将两个焊接片通过绝缘的陶瓷材质完全隔开，彻底消除了在磁控管焊接组装时两绝缘片之间发生接触和连结的可能性，提高了磁控管产品的可靠性。另外，凹槽的形状和大小与焊接片相对应，焊接片在组装过程中与凹槽之间紧密配合，通过凹槽可以完成对焊接片的位置限定，可以省略焊接片与阴极陶瓷焊接固定之前的点焊接定位步骤，从而提高了生产效率。附图说明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控管的阴极陶瓷结构，设置在由磁控管中的阴极封盖所围成的下部密封室下侧，在阴极陶瓷上端设置分别支撑中央导杆和侧面导杆并连接阴极引出线的两个互不接触的半月形焊接片；与焊接片上固定中央导杆、侧面导杆的位置各自相对应，在阴极陶瓷上端分别设置两个盲孔；与焊接片上连接的阴极引出线的位置相对应，设置由上至下穿透阴极陶瓷的通孔，两条阴极引出线分别从阴极陶瓷的通孔中穿过，其特征在于：阴极陶瓷的上端设置两个凹槽，每个凹槽内分别设置一个盲孔和一个通孔，两个焊接片分别对应设置于凹槽内，两个凹槽之间通过阴极陶瓷自身形成的槽壁隔开。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李彬，
申请(专利权)人：乐金电子天津电器有限公司，
类型：发明
国别省市：