双晶片无基板压电加速度传感器制造技术

技术编号:8066698 阅读:170 留言:0更新日期:2012-12-08 02:51
本实用新型专利技术提供一种双晶片无基板压电加速度传感器,属于一种加速度传感器。两片上下表面有银镀层的梯形压电晶片一和梯形压电晶片二通过导电胶合层粘接,信号输出电极的一端连接在靠近夹持端的导电胶合层处,信号输出电极的另一端与靠近夹持端的表层银镀层连接,质量块与梯形压电晶片的上底连接。优点是:结构强度得到了加强,压电陶瓷层可以产生更多的电荷,从而增加信号强度,节省了成本。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于一种压电加速度传感器,尤其是指一种梯形晶片式压电加速度传感器。
技术介绍
压电式加速度传感器具有结构简单、省电、不易被电磁干扰且易于加工和集成等特点,在监控传感领域具有广阔的应用前景。晶片式压电加速度传感器作为压电加速度传感器中的一种,采用悬臂式固定方法,是一种针对低频振动的高灵敏度加速度传感器。传统的晶片式压电加速度传感器采用的压电振子都由铜基板与压电陶瓷层粘合而成,其缺点是 灵敏度低。
技术实现思路
本技术提供一种双晶片无基板压电加速度传感器,以解决目前加速度传感器存在的灵敏度低的问题。本技术采取的技术方案是两片上下表面有银镀层的梯形压电晶片一和梯形压电晶片二通过导电胶合层粘接,信号输出电极的一端连接在靠近夹持端的导电胶合层处,信号输出电极的另一端与靠近夹持端的表层银镀层连接,质量块与两片梯形压电晶片的上底连接。本技术的两片梯形压电晶片为等腰梯形,梯形下底与腰所夹内角的角度是45度 70度、且下底长度与梯形高度的比是I : (O. 73 2)。本技术的优点在于结构新颖简单,压电陶瓷片形状由矩形改成梯形,与相同面积与长度的矩形压电晶片相比,结构强度得到了加强,压电陶瓷层可以产生更多的电荷,从而增加信号强度。两压电陶瓷的连接方式取消了传统的铜基板粘连,增加了压电陶瓷的变形量,信号强度随之提高,节省了成本。在大型工程结构的低频振动监测中具有较好的应用前景。附图说明图I是本技术的结构示意图;图2是图I的俯视图。具体实施方式实施例I两片上下表面有银镀层的梯形压电晶片一 I和梯形压电晶片二 2通过导电胶合层6粘接,信号输出电极的一端3连接在靠近夹持端的导电胶合层处,信号输出电极的另一端4与靠近夹持端的表层银镀层连接,质量块5与两片梯形压电晶片的上底连接;所述的两片梯形压电晶片为等腰梯形,梯形下底与腰所夹内角的角度是45度、且下底长度与梯形高度的比是I 0. 73。实施例2两片上下表面有银镀层的梯形压电晶片一 I和梯形压电晶片二 2通过导电胶合层6粘接,信号输出电极的一端3连接在靠近夹持端的导电胶合层处,信号输出电极的另一端4与靠近夹持端的表层银镀层连接,质量块5与两片梯形压电晶片的上底连接;所述的两片梯形压电晶片为等腰梯形,梯形下底与腰所夹内角的角度是57度、且下底长度与梯形高度的比是I :1. 36。实施例3两片上下表面有银镀层的梯形压电晶片一 I和梯形压电晶片二 2通过导电胶合层6粘接,信号输出电极的一端3连接在靠近夹持端的导电胶合层处,信号输出电极的另一端4与靠近夹持端的表层银镀层连接,质量块5与两片梯形压电晶片的上底连接;所述的两片梯形压电晶片为等腰梯形,梯形下底与腰所夹内角的角度是75度、且下底长度与梯形高度 的比是I :2。梯形压电晶片的下底为固定端,通过夹持固定,固定后成为一个悬臂梁,传感器基频可由夹持深度和质量块的重量调节;当加速度产生变化时,上下两个梯形压电晶片的应力产生变化,由正压电效应而产生电压信号,从作为信号输出端的电极输出电压信号。权利要求1.一种双晶片无基板压电加速度传感器,其特征在于两片上下表面有银镀层的梯形压电晶片一和梯形压电晶片二通过导电胶合层粘接,信号输出电极的一端连接在靠近夹持端的导电胶合层处,信号输出电极的另一端与靠近夹持端的表层银镀层连接,质量块与两片梯形压电晶片的上底连接。2.根据权利要求I所述的双晶片无基板压电加速度传感器,其特征在于两片梯形压电晶片为等腰梯形,梯形下底与腰所夹内角的角度是45度 70度、且下底长度与梯形高度的比是I :(0. 73 2)。专利摘要本技术提供一种双晶片无基板压电加速度传感器,属于一种加速度传感器。两片上下表面有银镀层的梯形压电晶片一和梯形压电晶片二通过导电胶合层粘接,信号输出电极的一端连接在靠近夹持端的导电胶合层处,信号输出电极的另一端与靠近夹持端的表层银镀层连接,质量块与梯形压电晶片的上底连接。优点是结构强度得到了加强,压电陶瓷层可以产生更多的电荷,从而增加信号强度,节省了成本。文档编号G01H11/08GK202582711SQ201220225668公开日2012年12月5日 申请日期2012年5月19日 优先权日2012年5月19日专利技术者曾平, 汪澎, 温建明, 王淑云, 程光明, 马继杰, 张忠华 申请人:浙江师范大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双晶片无基板压电加速度传感器,其特征在于:两片上下表面有银镀层的梯形压电晶片一和梯形压电晶片二通过导电胶合层粘接,信号输出电极的一端连接在靠近夹持端的导电胶合层处,信号输出电极的另一端与靠近夹持端的表层银镀层连接,质量块与两片梯形压电晶片的上底连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:曾平汪澎温建明王淑云程光明马继杰张忠华
申请(专利权)人:浙江师范大学
类型:实用新型
国别省市:

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