一种磁通变换器的驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种磁通变换器的驱动电路，包括：连接于微处理器和磁通变换器之间的复位芯片、MOSFET管、第二电容以及调节电阻(R1)；其中，所述复位芯片的电源脚，与微处理器的I/O口相连，所述复位芯片的地脚与直流电源的地相连，所述复位芯片的复位脚与MOSFET管的栅极相连；所述MOSFET管的源极与直流电源的地相连，MOSFET管的漏极与磁通变换器的负极相连；所述第二电容的正极与磁通变换器的正极相连，并与所述调节电阻串联于直流电源的正极上，所述第二电容的负极与直流电源的地相连。该驱动电路解决了磁通变换器长时间通电导致的脱扣器烧坏问题，同时该复位芯片能解决I/O口的快速瞬变引起的电流干扰问题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电路，尤其涉及一种磁通变换器的驱动电路。技术背景 随着嵌入式微处理器技术的发展，越来越多的数字化控制器引入到了传统的低压电器中。在新型的低压电器中，一般通过电流互感器来感应信号，通过微处理器来分析判断，最后通过磁通变换器来驱动低压电器的触头或机构，实现低压电器的断开或跳闸。因此，磁通变换器起着传统低压电器机构与新型的数字化控制器的信号传递作用。对于磁通变换器的驱动电路，其用于接受来自微处理器的信号(高电平5V/3. 3V,低电平0V)，然后通过对电容的充放电，实现对磁通变换器的控制。如图I所示，为磁通变换器驱动电路在低压电器中的位置。驱动电路的稳定性和可靠性，关系整个磁通变换器，甚至整个低压电器的性能。对于磁通变换器的驱动电流，要求其抗干扰，电路稳定性高；动作可靠性高；动作迅速；磁通变换器不长时间通电；控制方法简单，不独立占用MCU的资源。现有的磁通变换器驱动电路大多通过继电器来实现，成本较高，体积较大，且容易误动作。因此，设计一种可靠的磁通变换器驱动电路，防止各种干扰信号下的误动作，对于新型低压电器的可靠运行将具有重要意义。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是现有磁通变换器驱动电路设计不合理使磁通变换器长时间通电导致的脱扣器烧坏，磁通变换器在干扰信号下误动作的问题，进而提供一种结构简单、性能可靠的磁通变换器驱动电路。为解决上述问题，本技术提供一种磁通变换器的驱动电路，其包括连接于微处理器和磁通变换器(KM)之间的复位芯片(ICl )、M0SFET管(Ql )、第二电容(C2)以及调节电阻(Rl);其中，所述复位芯片(ICl)的电源脚，与微处理器的I/O 口相连，所述复位芯片(ICl)的地脚与直流电源的地相连，所述复位芯片(ICl)的复位脚与MOSFET管(Ql)的栅极相连；所述MOSFET管(Ql)的源极与直流电源的地相连，MOSFET管(Ql)的漏极与磁通变换器(KM)的负极相连；所述第二电容(C2)的正极与磁通变换器(KM)的正极相连，并与所述调节电阻(Rl)串联于直流电源的正极上，所述第二电容(C2)的负极与直流电源的地相连。所述MOSFET管(Ql)的栅极与源极之间连接有第一电容(Cl)。所述磁通变换器(KM)的两端并联有续流二极管(D1)，所述续流二极管(Dl)的阳极与MOSFET管(Ql)的漏极连接，所述续流二极管(Dl)的阴极与所述第二电容(C2)的正极连接。所述第二电容(C2)为电解电容。本技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点(I)本技术的驱动电路采用复位芯片以及MOSFET管，相比于继电器的驱动电路来讲，结构简单，体积小巧。并且，复位芯片可以将微处理器的高电平，变成了高电平的一个脉冲，解决磁通变换器长时间通电导致的脱扣器烧坏问题，同时该复位芯片能解决I/o口的快速瞬变弓I起的电流干扰问题。(2)进一步的，本技术的驱动电路在复位芯片后设有第一电容，其可以缓冲经过复位芯片之后的I/o 口干扰。(3)在磁通变换器的两端并联有二极管，当流过磁通变换器中的电流消失时，磁通变换器产生的感应电动势通过该续流二极管和磁通变换器构成的回路做功而消耗掉。从而保护了电路中的其它元件的安全。 附图说明为了使本技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本技术的具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明，其中图I是磁通变换器驱动电路在系统中的位置示意图；图2是本技术的磁通变换器驱动电路的原理图。具体实施方式以下将结合附图，使用以下实施例对本技术进行进一步阐述。图2所示为本技术的驱动电路的电路图。其包括连接于微处理器和磁通变换器KM之间的复位芯片ICl、MOSFET管Ql、第二电容C2以及调节电阻Rl ;其中，所述复位芯片ICl的电源脚，与微处理器的I/O 口相连，所述复位芯片ICl的地脚与直流电源的地相连，所述复位芯片ICl的复位脚与MOSFET管Ql的栅极相连；所述MOSFET管Ql的源极与直流电源的地相连，MOSFET管Ql的漏极与磁通变换器KM的负极、续流二极管Dl的阳极相连；所述第二电容C2的正极与磁通变换器KM的正极、续流二极管Dl的阴极相连，并与所述调节电阻Rl串联于直流电源的正极上，所述第二电容C2的负极与直流电源的地相连。所述调节电阻Rl其可调整充电时间；所述第二电容C2为电解电容，所述调节电阻Rl以及所述第二电容C2的参数根据磁通变换器参数选取。所述MOSFET管Ql的栅极与源极之间连接有第一电容Cl。用于缓冲复位芯片后的I/O 口干扰。本实施例中，所述的MOSFET管Ql型号为IRF7493 ;所述的复位芯片ICl的型号为IMP810o该磁通变换器的驱动电路工作过程如下正常工作时，I/O 口输出低电平，复位芯片ICl输出为低电平，MOSFET管Ql不导通，直流电源对电容进行充电。当发生故障时候，I/O 口输出高电平5V，复位芯片ICl输出240mS的高电平5V脉宽，MOSFET管Ql检测到>3. 5V的电压即导通，从而使电解电容C2对磁通变换器进行供电，磁通变换器动作。所述复位芯片ICl将微处理器的高电平，变成了高电平的一个脉冲，解决磁通变换器长时间通电的问题，同时，解决I/o 口的快速瞬变问题。所述续流二极管Dl并联在所述磁通变换器KM的两端，所述磁通变换器KM在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的元件产生反向电压。续流二极管Dl和磁通变换器KM构成的回路做功而消耗掉，从而保护了电路中的其它元件的安全，防止不安装所述续流二极管Dl时，反向电压高于元件的反向击穿电压时，把其他电气兀件损坏。显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或 变动仍处于本技术创造的保护范围之中。权利要求1.ー种磁通变换器的驱动电路，其特征在干其包括 连接于微处理器和磁通变换器(KM)之间的复位芯片(ICl )、MOSFET管(Ql)、第二电容(C2)以及调节电阻(Rl)； 其中，所述复位芯片(ICl)的电源脚，与微处理器的I/O ロ相连，所述复位芯片(ICl)的地脚与直流电源的地相连，所述复位芯片(ICl)的复位脚与MOSFET管(Ql)的栅极相连；所述MOSFET管(Ql)的源极与直流电源的地相连，MOSFET管(Ql)的漏极与磁通变换器(KM)的负极相连； 所述第二电容(C2)的正极与磁通变换器(KM)的正极相连，并与所述调节电阻串联(Rl)于直流电源的正极上，所述第二电容(C2)的负极与直流电源的地相连。2.根据权利要求I所述的磁通变换器驱动电路，其特征在于 所述MOSFET管(Ql)的栅极与源极之间连接有第一电容(Cl)。3.根据权利要求I或2所述的磁通变换器驱动电路，其特征在于 所述磁通变换器(KM)的两端并联有续流ニ极管(D1)，所述续流ニ极管(Dl)的阳极与MOSFET管(Ql)的漏极连接，所述续流ニ极管(Dl)的阴极与所述第二电容(C2)的正极连接。4.根据权利要求3所述的磁本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁通变换器的驱动电路，其特征在于：其包括：连接于微处理器和磁通变换器（KM）之间的复位芯片（IC1）、MOSFET管（Q1）、第二电容（C2）以及调节电阻(R1)；其中，所述复位芯片（IC1）的电源脚，与微处理器的I/O口相连，所述复位芯片（IC1）的地脚与直流电源的地相连，所述复位芯片（IC1）的复位脚与MOSFET管（Q1）的栅极相连；所述MOSFET管（Q1）的源极与直流电源的地相连，MOSFET管（Q1）的漏极与磁通变换器（KM）的负极相连；所述第二电容（C2）的正极与磁通变换器（KM）的正极相连，并与所述调节电阻串联（R1）于直流电源的正极上，所述第二电容（C2）的负极与直流电源的地相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄世泽，朱谅，杨阳，杨佰传，屠瑜权，
申请(专利权)人：浙江中凯科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：