主副矩形同轴线尺寸不同的多孔定向耦合器制造技术

技术编号:8023716 阅读:206 留言:0更新日期:2012-11-29 05:48
本发明专利技术公开了主副矩形同轴线尺寸不同的多孔定向耦合器,包括主矩形同轴线和副矩形同轴线、以及耦合孔;主矩形同轴线和副矩形同轴线相互隔离,主矩形同轴线通过至少3个耦合孔与副矩形同轴线连通;至少1个耦合孔包括贴附在主矩形同轴线侧壁或\和副矩形同轴线侧壁的中空耦合管,中空耦合管靠近主矩形同轴线的侧壁连接有三端开口的耦合腔,耦合腔与中空耦合管导通,耦合腔位于主矩形同轴线和副矩形同轴线之间并与主矩形同轴线和副矩形同轴线导通;耦合孔沿主矩形同轴线的轴线方向排列,沿主矩形同轴线轴线方向相邻的耦合孔位于主矩形同轴线轴线的一侧;本发明专利技术的优点在于结构紧凑、加工简单、功率容量大、超宽工作带宽、插入损耗低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多孔定向耦合器,具体地说,是涉及一种利用多个孔进行耦合的主副矩形同轴线尺寸不同的多孔定向耦合器
技术介绍
定向耦合器是微波系统中应用广泛的一种微波器件,它的主要作用是将微波信号按一定的比例进行功率分配;定向耦合器由两根传输线构成,同轴线、矩形波导、圆波导、带状线和微带线等都可构成定向耦合器;所以从结构来看定向耦合器种类繁多,差异很大,但从它们的耦合机理来看主要分为四种,即小孔耦合、平行耦合、分支耦合以及匹配双T。在20世纪50年代初以前,几乎所有的微波设备都采用金属波导和波导电路,那个时候的定向I禹合器也多为波导小孔I禹合定向I禹合器;其理论依据是Bethe小孔I禹合理论, Cohn和Levy等人也做了很多贡献。随着航空和航天技术的发展,要求微波电路和系统做到小型化、轻量化和性能可靠,于是出现了带状线和微带线,随后由于微波电路与系统的需要又相继出现了鳍线、槽线、共面波导和共面带状线等微波集成传输线,这样就出现了各种传输线定向耦合器。传统单孔定向耦合器有一些的优点如结构简单、参数少,设计起来比较方便;但是它还存在着一些缺点如带宽窄、方向性差,只有在设计频率处工作合适,偏离开这个频率,方向性将降低。传统多孔定向耦合器虽然可以做到很宽的带宽、方向性也有很所改善,但也存在着一些缺点,如体积大、加工精度要求高、插入损耗高,特别是在毫米波太赫兹波段,过高的插损使该器件失去使用价值;这就激励我们去设计一种能克服这些缺点的新型多孔定向耦合器。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服传统定向耦合器的一些缺点,提供了一种紧凑型、插入损耗低、宽带的主副矩形同轴线尺寸不同的多孔定向耦合器。为了实现上述目的,本专利技术采用的技术方案如下主副矩形同轴线尺寸不同的多孔定向耦合器,包括相互隔离且结构一致的主矩形同轴线和副矩形同轴线、以及作为耦合通道的耦合孔;其中主矩形同轴线和副矩形同轴线都是由矩形波导和设置在矩形波导内的内置导体构成,其中所述耦合孔中加入了另一个轴线与耦合孔的轴线平行并与主矩形同轴线轴线垂直的柱状金属体;该柱状金属体的一端与对应的耦合孔的内壁连接;该柱状金属体的横截面的形状为多边形;主矩形同轴线通过至少3个孔耦合孔与副矩形同轴线连通,至少I个耦合孔包括贴附在主矩形同轴线侧壁或\和副矩形同轴线侧壁的中空耦合管,中空耦合管靠近主矩形同轴线的侧壁连接有三端开口的耦合腔,耦合腔与中空耦合管导通,耦合腔位于主矩形同轴线和副矩形同轴线之间并与主矩形同轴线和副矩形同轴线导通;所述耦合孔沿主矩形同轴线的轴线方向排列,沿主矩形同轴线轴线方向相邻的耦合孔位于主矩形同轴线轴线的一侧;沿主矩形同轴线轴线方向上,相邻两耦合孔的孔心间距在主矩形同轴线的波导波长的209^30%之间; 主矩形同轴线的尺寸表示为al*hl,副矩形同轴线的尺寸表示为a2*h2,al、a2分别表示为主矩形同轴线和副矩形同轴线外导体的宽度,hi、h2分别表示为主矩形同轴线和副矩形同轴线外导体的高度; 主矩形同轴线的尺寸和副矩形同轴线的尺寸情况如下 情况A :当主矩形同轴线的尺寸小于副矩形同轴线的尺寸时, h2*15% < hi < h2*85% 或 \ 和 a2*15% < al < a2*85% ; 情况B :当主矩形同轴线的尺寸大于副矩形同轴线的尺寸时, hl*15% < h2 < hl*85% 或 \ 和 al*15% < a2 < al*85% ; 情况C :主矩形同轴线的尺寸等于副矩形同轴线的尺寸时, al=a2 且 hl=h2。当主矩形同轴线和副矩形同轴线的尺寸选取上述三种不同的情况,可以得到三种不同的结果。以往人们都是优先选择相同的矩形同轴线作为波导定向耦合器的传输通道,但是当选用情况A或情况B时,在毫米波段和太赫兹波段可以得到低插损、方向性更好的多孔定向耦合器。也就是这个额外的自由度可以帮助我们设计出方向性更好的多孔定向耦合器。耦合孔在其俯视方向上的投影形状为圆形,耦合腔在其俯视方向上的投影形状为半圆形,中空耦合管在其俯视方向上的投影形状为半圆形。由于传统的多孔定向耦合器,主矩形同轴线和副矩形同轴线的尺寸均采用相同尺寸,同时传统的多孔定向耦合器中的耦合孔的位置设置在主矩形同轴线和副矩形同轴线之间。而本专利技术的改进点为1、将传统的耦合孔的位置进行调整,相应的设计出与调整后结构相匹配的耦合孔,即本专利技术中的耦合孔由耦合腔和中空耦合管组成,其中设置位置时,耦合腔设置在主矩形同轴线和副矩形同轴线之间的,用以连通主矩形同轴线和副矩形同轴线,由于还设置有中空耦合管,可进一步的增强耦合性;2、由于实验发现,当我们采用普通尺寸的主矩形同轴线和副矩形同轴线进行设计时,普通结构的方向性要比相同尺寸的方向性好,因此,本专利技术中采用的主矩形同轴线和副矩形同轴线在在尺寸方面做出调整,可额外的增加耦合器的方向性。因此设计时,优先设置耦合孔中的中空耦合管贴附在主矩形同轴线侧壁或\和副矩形同轴线侧壁。进一步的优先设置为主矩形同轴线和副矩形同轴线的尺寸均采用普通尺寸。按照上述优先设置成的耦合器进行耦合输出时,其工作过程为微波首先通过主矩形同轴线,在结构耦合孔处时,通过耦合腔将微波耦合到副矩形同轴线,在中空耦合管的作用下进行加强耦合,使其方向性变强,进一步的由于主矩形同轴线和副矩形同轴线的尺寸采用普通尺寸;因此在上述加强耦合的基础还可以进一步的进行耦合加强。所述柱状金属体部分延伸进行主矩形同轴线的内部。所述主矩形同轴线内置导体的轴线和副矩形同轴线内置导体的轴线相互平行。所述主矩形同轴线或\和副矩形同轴线的一端或两端还连接有弯曲波导。所述主矩形同轴线或\和副矩形同轴线在其一端或两端连接有与外界器件匹配的匹配结构。耦合孔的部分在主矩形同轴线或副矩形同轴线以外,或同时在主矩形同轴线和副矩形同轴线外。单孔定向耦合器在方向性上有相对窄的带宽,于是人们想到了设计一系列耦合孔,这一系列的耦合孔组成一个阵列,若干个阵列还可以叠加起来,由此来综合耦合度和方向性响应。利用小孔的方向性和阵列的方向性在耦合端叠加,就可以获得更好的方向性,并且这个额外的自由度还可以提高带宽。将耦合孔沿主矩形同轴线一侧排列后,在满足耦合加强的条件下,即相邻两耦合孔的孔心间距应设置在主矩形同轴线的中心工作频率的波导波长的209^30%之间,可以在加强耦合的基础上减小体积,从而进一步提高该多孔矩形波导定向耦合器的优越性。同时,优先选择横截面为矩形柱状金属体设置在耦合孔内,且柱状金属体在耦合孔内的位置不受限制,可根据实际需求进行设置。 一般的主矩形同轴线的轴线和副矩形同轴线的轴线之间的角度为0°至180°之间。为了使其整个耦合器的体积减少,我们优先考虑主矩形同轴线的轴线和副矩形同轴线的轴线平行设置。耦合孔在其俯视方向的投影形状不受限制,当考虑制作成本时,我们优先考虑能简易批量生产的圆形或三角形或四边形。增加柱状金属体时,所述耦合孔和柱状金属体体在俯视方向的投影形状为Y字形或十字型和其它多于4个分支的星状。由于传统的多孔定向耦合器的耦合孔的位置设置在主矩形同轴线和副矩形同轴线之间。而本专利技术的改进点为1、将传统的耦合孔的位置进行调整,相应的设计出与调整后结构相匹配的耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】
主副矩形同轴线尺寸不同的多孔定向耦合器,其特征在于:包括相互隔离且结构一致的主矩形同轴线(1)和副矩形同轴线(2)、以及作为耦合通道的耦合孔(3);其中主矩形同轴线(1)和副矩形同轴线(2)都是由矩形波导和设置在矩形波导内的内置导体构成,其中所述耦合孔(3)中加入了另一个轴线与耦合孔(3)的轴线平行并与主矩形同轴线(1)轴线垂直的柱状金属体(4);该柱状金属体(4)的一端与对应的耦合孔(3)的内壁连接;该柱状金属体(4)的横截面的形状为多边形;主矩形同轴线(1)通过至少3个孔耦合孔(3)与副矩形同轴线(2)连通,至少1个耦合孔(3)包括贴附在主矩形同轴线(1)侧壁或\和副矩形同轴线(2)侧壁的中空耦合管(32),中空耦合管(32)靠近主矩形同轴线(1)的侧壁连接有三端开口的耦合腔(31),耦合腔(31)与中空耦合管(32)导通,耦合腔(31)位于主矩形同轴线(1)和副矩形同轴线(2)之间并与主矩形同轴线(1)和副矩形同轴线(2)导通;所述耦合孔(3)沿主矩形同轴线(1)的轴线方向排列,沿主矩形同轴线(1)轴线方向相邻的耦合孔(3)位于主矩形同轴线(1)轴线的一侧;沿主矩形同轴线(1)轴线方向上,相邻两耦合孔(3)的孔心间距在主矩形同轴线(1)的波导波长的20%~30%之间;主矩形同轴线(1)的尺寸表示为:a1*h1,副矩形同轴线(2)的尺寸表示为:a2*h2,a1、a2分别表示为主矩形同轴线(1)和副矩形同轴线(2)外导体的宽度,h1?、h2分别表示为主矩形同轴线(1)和副矩形同轴线(2)外导体的高度;主矩形同轴线(1)的尺寸和副矩形同轴线(2)的尺寸情况如下:情况A:当主矩形同轴线(1)的尺寸小于副矩形同轴线(2)的尺寸时,h2*15%<h1<h2*85%或\和a2*15%<a1<a2*85%;情况B:当主矩形同轴线(1)的尺寸大于副矩形同轴线(2)的尺寸时,h1*15%<h2<h1*85%或\和a1*15%<a2<a1*85%;情况C:主矩形同轴线(1)的尺寸等于副矩形同轴线(2)的尺寸时,a1=a2且h1=h2。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王清源谭宜成
申请(专利权)人:成都赛纳赛德科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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