【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳电池
，特别是涉及一种。
技术介绍
以GaAs为代表的III - V族太阳电池因其光电转换效率高而倍受青睐。作为太阳电池衬底的Ge由于与GaAs材料的晶格常数接近(它们的晶格失配度为0. 1%)，一定的生长条件下，在Ge片上外延生长GaAs材料制成的太阳电池具有很高的性能，因此Ge片上外延生长GaAs材料已成为GaAs太阳电池领域中重要的衬底片。但是由于Ge材料价格较高、重量较大，提高了电池的成本和重量。而Si材料相对于Ge材料来说不仅价格较便宜，而且重量轻，如果能将Ge与Si结合起来作为GaAs太阳电池衬底片，减少Ge的用量，能够降低GaAs太阳电池的生产成本还能够降低电池的重量。基于此，如何将Ge与Si结合起来作为 GaAs太阳电池衬底片，已成为本领域技术人员研究的热点。目前公知的将Ge与Si结合起来的方法是在Si片上直接外延生长Ge材料，但是由于Ge与Si的晶格失配较大，达到4. 18%，造成Ge与Si产生大量的位错，不仅加大了外延生长的难度，最重要的是会造成对太阳电池性能的影响。
技术实现思路
本专利技术为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种格较便宜、重量轻，制作简单，并且不影响太阳电池性能的。本专利技术包括如下技术方案，其特点是包括以下制备过程⑴进行材料的p+型掺杂在清洗后的Si片和Ge片上分别进行浓度为1018-1019cm_3的p+型掺杂，形成深度为2000-3000nm的Si片p+型掺杂区和Ge片p+型掺杂区；⑵Ge片上注入H+离子在掺杂剂后形成的Ge片p+型掺杂区上，注入能量115_180keV、剂量IO16-IO...
【技术保护点】
GaAs太阳电池用Ge/Si衬底片的制备方法，其特征在于：包括以下制备过程：⑴进行材料的p+型掺杂在清洗后的Si片和Ge片上分别进行浓度为1018？1019cm？3的p+型掺杂，形成深度为2000？3000nm的Si片p+型掺杂区和Ge片p+型掺杂区；⑵Ge片上注入H+离子在掺杂剂后形成的Ge片p+型掺杂区上，注入能量115？180keV、剂量1016？1017cm？2、离子束电流80？150μA，Ge片p+型掺杂区上形成深度为500？1000nm的Ge片H+离子注入区；⑶抛光对⑴中掺杂后的Si片和⑵中注入H+离子后的Ge片进行抛光前清洗，然后采用化学机械抛光法对Si片p+型掺杂区表面和Ge片H+离子注入区表面进行粗抛、精抛和水抛，再对Si片和Ge片进行抛光后清洗；⑷等离子活化在完成抛光、清洗的Si片p+型掺杂区和Ge片H+离子注入区进行压力为40？50毫托，射频功率为50？100W，采用氩气或氧气作为等离子体，氩气或氧气以流速为50？100sccm，同时轰击30？60秒，对Si片p+型掺杂区和Ge片H+离子注入区表面进行等离子体活化；⑸低温键合将离子体活化后的Si片p+型掺杂区表面和...
【技术特征摘要】
1.GaAs太阳电池用Ge/Si衬底片的制备方法，其特征在于包括以下制备过程 ⑴进行材料的P+型掺杂 在清洗后的Si片和Ge片上分别进行浓度为IO18-IO19cnT3的p+型掺杂，形成深度为2000-3000nm的Si片p+型掺杂区和Ge片p+型掺杂区； ⑵Ge片上注入H+离子 在掺杂剂后形成的Ge片p+型掺杂区上，注入能量115-180keV、剂量1016-1017cm_2、离子束电流80-150 ii A，Ge片p+型掺杂区上形成深度为500_1000nm的Ge片H+离子注入区； ⑶抛光 对⑴中掺杂后的Si片和⑵中注入H+离子后的Ge片进行抛光前清洗，然后采用化学机械抛光法对Si片p+型掺杂区表面和Ge片H+离子注入区表面进行粗抛、精抛和水抛，再对Si片和Ge片进彳T抛光后清洗； ⑷等离子活化 在完成抛光、清洗的Si片p+型掺杂区和Ge片H+离子注入区进行压力为40-50毫托，射频功率为50-100W，采用氩气或氧气作为等离子体，氩气或氧气以流速为50-100sCCm，同时轰击30-60秒，对Si片p+型掺杂区和Ge片H+离子注入区表面进行等离子体活化； (5)低温键合 将离子体活化后的Si片p+型掺杂区表面和Ge片H+离子注入区表面作为键合面贴合在一起，置入键合腔；键合腔内压力为0. 5-lMPa、气体为N2,以10-15°C /min的速度升温至300-400°C后，再以3-5°C /min的速度降温至室温，对Si片和Ge片进行1_2小时的键合，形成键合体； (6)退火 对键合体进行退火，退火温度350-450°C，时间1-2小时； (7)剥离 采用Smart-...
【专利技术属性】
技术研发人员：高鹏，王帅，刘如彬，康培，孙强，穆杰，
申请(专利权)人：天津蓝天太阳科技有限公司，中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。