本实用新型专利技术涉及一种直流离子流场校验装置，该校验装置由校核区、电晕注入区及电晕发生区构成，校核区、电晕注入区及电晕发生区自下向上依次设置。与现有技术相比，本实用新型专利技术结构简单，使用方便，通过测量离子流情况下的场强就可以计算得到离子流场中的离子迁移率，而且还可以适用于500kV的高压场合。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种校验装置，尤其是涉及ー种直流离子流场校验装置。
技术介绍
在我国±500kV直流输电工程上马前期，在国内仅西安交通大学针对如何测量离子流情况下的场强问题和解决离子流场数值计算中的离子迁移率的选取问题，制作过临时性的小型简易的离子流场发生装置。到目前为止，国内尚无任何一家高电压实验室或电磁环境实验室装备有实用型的离子流发生器和直流场强实验校验装置，因此，目前亟待解决这ー技术问题
技术实现思路
本技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种结构简单、使用方便的直流离子流场校验装置。本技术的目的可以通过以下技术方案来实现ー种直流离子流场校验装置，设置在金属支架上，其特征在干，该校验装置由校核区、电晕注入区及电晕发生区构成，所述的校核区、电晕注入区及电晕发生区自下向上依次设置。所述的校核区包括上校核板、下校核板、均压环及均压电阻，上校核板及下校核板之间为进行校核的区域，均压环及均压电阻设在上校核板及下校核板之间，确保校核区内是均匀电场。所述的下校核板为可移动式的地电位极板，下校核板的中心位置设置可更换的金属盖板。所述的校核区外接高压直流电源。所述的电晕注入区设在校核区上部，电晕注入区顶部为一电晕控制栅网板，该电晕控制栅网板与上校核板之间为电晕注入的区域。所述的电晕注入区外接高压直流电源，调节高压直流电源的输出至电晕控制栅网板的控制电压，进而控制进入注入区的带电离子数量以及离子流的大小。所述的电晕发生区设在电晕注入区的上部，电晕发生区顶部为一平行电晕丝网，该平行电晕丝网与电晕控制栅网板之间为电晕发生的区域。所述的电晕发生区外接高压直流电源，使电晕丝网周围产生带电离子，带电离子的扩散流动形成离子流。所述的电晕发生区的上部还设置有金属盖板，该金属盖板的两侧设有防晕环。与现有技术相比，本技术结构简单，使用方便，通过测量离子流情况下的场强就可以计算得到离子流场中的离子迁移率，而且还可以适用于500kV的高压场合。附图说明图I为本技术的结构示意图。图中，I为校核区、11为下校核板、12为均压环、13为均压电阻、14为上校核板、15为直流场强表、2为电晕注入区、21为电晕控制栅网板、3为电晕发生区、31为平行电晕丝网、4为金属盖板、5为防晕环、6为偏置电阻、7为金属支架。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细说明。实施例ー种直流离子流场校验装置，其结构如图I所示，该装置设置在金属支架7上，由自下向上依次设置校核区I、电晕注入区2及电晕发生区3构成。校核区I包括下校核板11、均压环12、均压电阻13及上校核板14，上校核板14及下校核板11之间为进行校核的区域，均压环12及均压电阻13设在上校核板14及下校核板11之间，确保校核区内是均匀电场。使用的下校核板11为电动丝杆顶升结构原理的可移动式下极板，使得校验区平行平板间距可控制调节，并且做到了下校核板11与上校核板14两块平行电极板各处间距误差不大于设定间距的1% (实际上已经做到了不大于O. 5% )，以满足不同实验研究工作的需要。下校核板11的中心位置设置了ー块可更换的面积为50 X 50cm2的金属盖板，下校核板11中心直径70cm区域为被校核仪器的放置区，并且还放置有直流场强表15，经测试证明，该区域内电场的不均匀度不大于3%。校核区I外接的高压直流电源提供直流静电场校核电压。电晕注入区2设在校核区I的上部，电晕注入区2顶部为一电晕控制栅网板21，该电晕控制栅网板21与上校核板11之间为电晕注入的区域。离子流经电晕控制栅网板21进入注入区。电晕控制栅网板21用以控制进入注入区的带电离子数量，离子流的大小，电晕注入区2外接高压直流电源，调节高压直流电源的输出至电晕控制栅网板的控制电压，进而控制进入注入区的带电离子数量以及离子流的大小。电晕发生区3设在电晕注入区2的上部，电晕发生区3顶部为一平行电晕丝网31，该平行电晕丝网31与电晕控制栅网板21之间为电晕发生的区域。电晕发生区3外接高压直流电源，使电晕丝网周围产生带电离子，带电离子的扩散流动形成离子流。另外，在电晕发生区3的上部还设置有金属盖板4，该金属盖板4的两侧设有防晕环5，装置的侧部还安装有偏置电阻6。权利要求1.ー种直流离子流场校验装置，设置在金属支架上，其特征在干，该校验装置由校核区、电晕注入区及电晕发生区构成，所述的校核区、电晕注入区及电晕发生区自下向上依次设置。2.根据权利要求I所述的ー种直流离子流场校验装置，其特征在于，所述的校核区包括上校核板、下校核板、均压环及均压电阻，上校核板及下校核板之间为进行校核的区域，均压环及均压电阻设在上校核板及下校核板之间。3.根据权利要求2所述的ー种直流离子流场校验装置，其特征在干，所述的下校核板为可移动式的地电位极板，下校核板的中心位置设置可更换的金属盖板。4.根据权利要求I所述的ー种直流离子流场校验装置，其特征在于，所述的校核区外接高压直流电源。5.根据权利要求2所述的ー种直流离子流场校验装置，其特征在于，所述的电晕注入区设在校核区上部，电晕注入区顶部为一电晕控制栅网板，该电晕控制栅网板与上校核板之间为电晕注入的区域。6.根据权利要求I所述的ー种直流离子流场校验装置，其特征在于，所述的电晕注入区外接高压直流电源。7.根据权利要求5所述的ー种直流离子流场校验装置，其特征在于，所述的电晕发生区设在电晕注入区的上部，电晕发生区顶部为一平行电晕丝网，该平行电晕丝网与电晕控制栅网板之间为电晕发生的区域。8.根据权利要求I所述的ー种直流离子流场校验装置，其特征在于，所述的电晕发生区外接高压直流电源。9.根据权利要求I所述的ー种直流离子流场校验装置，其特征在于，所述的电晕发生区的上部还设置有金属盖板，该金属盖板的两侧设有防晕环。专利摘要本技术涉及一种直流离子流场校验装置，该校验装置由校核区、电晕注入区及电晕发生区构成，校核区、电晕注入区及电晕发生区自下向上依次设置。与现有技术相比，本技术结构简单，使用方便，通过测量离子流情况下的场强就可以计算得到离子流场中的离子迁移率，而且还可以适用于500kV的高压场合。文档编号G01R35/00GK202502237SQ201220109379公开日2012年10月24日 申请日期2012年3月21日 优先权日2012年3月21日专利技术者江建华, 王黎明, 苏磊 申请人:上海市电力公司, 华东电力试验研究院有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种直流离子流场校验装置，设置在金属支架上，其特征在于，该校验装置由校核区、电晕注入区及电晕发生区构成，所述的校核区、电晕注入区及电晕发生区自下向上依次设置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：苏磊，江建华，王黎明，
申请(专利权)人：上海市电力公司，华东电力试验研究院有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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