氰戊菊酯分子印迹传感器及制备方法和检测方法技术

本发明专利技术涉及氰戊菊酯的检测方法及其分子印迹传感器和该传感器的制备方法。该检测方法包括：提供氰戊菊酯分子印迹电化学传感器及其DPV检测体系，并拟合浓度计算式；提供待测样液；检测样液峰值电流I样；计算氰戊菊酯浓度。该分子印迹传感器包括：作为基体的金电极以及在金电极表面通过电聚合方法制备的氰戊菊酯分子印迹传感器膜，该传感器膜保留了对氰戊菊酯分子识别的分子印迹空穴。该传感器的制备方法包括：预处理金电极；制备聚合液；制备聚合膜；洗脱氰戊菊酯模板分子。本发明专利技术利用电化学检测方式，免去众多复杂的前处理工作，仪器简单，成本低，可实现现场环境中氰戊菊酯的检测。本发明专利技术传感器制备过程简单，选择性好，灵敏度高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及农药检测
，尤指一种氰戊菊酯的检测方法及其分子印迹传感器和该传感器的制备方法。
技术介绍
拟除虫菊酯类农药应用相当广泛，而氰戊菊酯又是其中很主要的一种成分。目前，氰戊菊酯类农药残留检测方法主要是色谱法和免疫法。色谱法包括以下几个步骤一、农药标准样品的配制；二、样品制备；三、样品提取与净化；四、色谱分析。其中步骤三的提取过程如下称取捣碎样品25. 0g，加入按石油醚丙酮=I 1形成的溶液IOOmL,置组织捣碎机中勻楽；提取2min,真空抽滤,分别用25mL混合溶剂洗涤滤渣，过滤好的溶液用等体积饱和硫酸钠溶液加入分液漏斗萃取，剧烈振摇lmin， 分出有机相，浓缩至2mL上净化柱。步骤三的净化过程如下在I. 5cm (ID) X20cm玻璃层析柱中，加入Icm高无水硫酸钠，再加入5g弗罗里硅土载体(5%蒸馏水脱活)，上层再加入Icm高无水硫酸钠；加正己烷20 mL预洗层析柱，弃去淋洗液；从提取滤液中移取ImL人柱中，用100 mL(石油醚):V (乙酸乙酯)=98 :2淋洗，浓缩至20mL待测。步骤四中，色谱柱HP-5, 30mX0. 25mmX0. 25iim ;气体流速氮气；柱前压15psi ;尾吹气60mL / min ;温度柱温60°C保持2min，再以30°C / min升到至280°C，保持20min ;进样口 250°C ;检测器300°C。色谱法存在的缺点主要有前处理过程复杂，仪器成本高，操作复杂，对所需的试剂要求高等。免疫法的具体步骤如下1、半抗原的制备；2、制备蛋白质-半抗原偶联物；3、单克隆和多克隆抗体的制备；4、抗原的固定；5、酶联免疫法分析。免疫法存在的缺点主要有抗原抗体的制备过程耗时长，成本高。虽然现有技术也有利用分子印迹技术进行样品检测，但分子印迹技术是一个很大的范围，而且每种物质的检测都需要具体深入的研究，因分子印迹膜的制备和工艺条件优化方面的技术难度，现有技术仍无法应用分子印迹传感器来检测氰戊菊酯农药。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于提供一种氰戊菊酯农药分子印迹电化学传感器，以便能低成本、快速地检测出氰戊菊酯农药。本专利技术要解决的另一技术问题在于提供一种氰戊菊酯农药分子印迹电化学传感器的制备方法，以克服现有技术检测设备制备成本高，工艺复杂，制备过程耗时长等问题 本专利技术要解决的再一技术问题在于提供一种氰戊菊酯的检测方法，以克服现有检测技术的操作复杂、成本高、检测耗时等问题。为解决上述技术问题，本专利技术的采取的技术方案是提供一种氰戊菊酯分子印迹传感器，包括作为基体的金电极以及在金电极表面通过电聚合的方法制备而成的氰戊菊酯分子印迹传感器膜；该传感器膜保留了对氰戊菊酯分子识别的分子印迹空穴；所述氰戊菊酯分子印迹传感器膜是聚邻氨基苯硫酚聚合膜。进一步地，膜厚度范围是0. 2 0. 4iim ;所述金电极直径0>=2 3 mm ;以1(3 为探针分子，以5 mmol/L K3 及0. I mol/L KCl的混合液为背景溶液，所述分子印迹电化学传感器用于差分脉冲法在I. OX 10_8 5. OX 10—3mol/L浓度范围内检测方程为A I=alnc+b 其中a，b为常数；DPV峰电流变化值」I= I0-I样，I0为背景溶液的峰值电流，I样为待测样品的峰值电流；C为样液中氰戊菊酯的mol/L浓度。为解决上述技术问题，本专利技术的采取的又一技术方案是提供氰戊菊酯分子印迹传感器的制备方法，主要包括以下制备步骤 1)金电极的预处理； 2)聚合液的制备配制功能单体邻氨基苯硫酚的乙腈溶液，并加入氰戊菊酯的乙腈溶液和四丁基高氯酸铵溶液，从而制得聚合液； 3)聚合膜的制备将聚合液置于电解池并将金电极悬于聚合液中，引发邻氨基苯硫酚在金电极表面进行电化学聚合反应，在氰戊菊酯模板分子周围生成邻氨基苯硫酚聚合物并沉积到金电极表面，氰戊菊酯分子被包埋于聚合膜中，从而制备得到修饰电极； 4)对该修饰电极进行氰戊菊酯模板分子的洗脱，在其聚合物膜上形成对氰戊菊酯分子识别的分子印迹空穴，从而制得氰戊菊酯分子印迹电化学传感器。 进一步地，所述制备步骤I金电极的预处理包括金电极依次经0. 30 Ii m和0. 05 u m的Ci-Al2O3抛光粉悬池液抛光后,然后分别用无水乙醇和去离子水超声清洗一定时间，再将处理后的金电极在一定浓度的硫酸溶液中于一定电位下扫描数圈直至获得稳定的循环伏安响应曲线，最后将金电极取出用二次蒸馏水淋洗待用。所述制备步骤2的聚合液中，邻氨基苯硫酚与氰戊菊酯的体积浓度比为2 8 :1 ;所述制备该步骤4是将覆盖有聚合膜的金电极在适当浓度的H2SO4和乙腈混合溶液中浸泡一定时间，用水洗掉氰戊菊酯模板分子。优选地，所述制备步骤2的聚合液中，邻氨基苯硫酚的浓度为20mmol/L，氰戊菊酯的浓度为5 mmol/L,四丁基高氯酸铵的浓度为0. 5 mmol/L,乙腈作为溶剂；将聚合液置于电解池中，然后利用微型超声仪超声除去体系中的O2，再通入氮气于电解池中，最后将金电极悬在聚合液中室温下自组装一定时间，再装入三电极系统，采用循环伏安法，在-0. 3^1. 4V电位范围内，扫描15 20次，在金电极上聚合有含有氰戊菊酯分子的邻氨基苯硫酚聚合膜；所述制备步骤4是将制备的该修饰电极在浓度为0. 5mol/L的H2SO4和乙腈混合溶液中浸泡一定时间，然后用二次蒸馏水来洗脱掉氰戊菊酯模板分子，便制得氰戊菊酯分子印迹电化学传感器。进一步地,所述制备步骤2中，将0. 1^0. 3mL邻氨基苯硫酹溶于一定量乙腈中，力口入适量浓度的氰戊菊酯乙腈溶液2mL，加入适量浓度的四丁基高氯酸铵lmL，用乙腈定容至10 mL，从而制得聚合液；所述制备该步骤4是将覆盖有聚合膜的金电极在适当浓度的H2SO4和乙腈混合溶液中浸泡一定时间，用水洗掉氰戊菊酯模板分子。进一步地，所述制备步骤3中，将聚合液置于电解池中，然后利用微型超声仪超声除去体系中的O2，再通入氮气于电解池中，最后将金电极悬在聚合液中室温下自组装一定时间，再装入三电极系统，采用循环伏安法，在-0. 3^1. 4V电位范围内，扫描15 20次，在金电极上聚合有含有氰戊菊酯分子的邻氨基苯硫酚聚合膜；所述制备步骤4是将制备的该修饰电极在浓度为0. 5mol/L的H2SO4和乙腈混合溶液中浸泡一定时间，然后用二次蒸馏水来洗脱掉氰戊菊酯模板分子，便制得氰戊菊酯分子印迹电化学传感器。为解决上述技术问题，本专利技术的采取的再一技术方案是氰戊菊酯分子印迹传感器来检测氰戊菊酯的方法，包 括以下检测步骤 1)提供所述氰戊菊酯分子印迹传感器的DPV电化学检测体系，并拟合分子印迹传感器检测氰戊菊酯浓度的计算式； 2)提供待测样液，且调整至待测样液含5mmol/L K3 及0. I mol/L KCl ； 3)通过所述氰戊菊酯分子印迹传感器采用差分脉冲法，对样液进行扫描，记录其峰值电流I样; 4)根据拟合的计算式计算样液中氰戍菊酯的浓度C。进一步地，所述检测步骤I中DPV电化学检测体系是以氰戊菊酯分子印迹电化学传感器作为工作电极，以5 mmol/L K3 及0. I mol/L KCl的混合溶液为背景溶液，以K3 为探针分子；该检测体系的DPV条件为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氰戊菊酯分子印迹传感器，包括：作为基体的金电极以及在金电极表面通过电聚合的方法制备而成的氰戊菊酯分子印迹传感器膜；该传感器膜保留了对氰戊菊酯分子识别的分子印迹空穴；所述氰戊菊酯分子印迹传感器膜是聚邻氨基苯硫酚聚合膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：栾崇林，
申请(专利权)人：深圳职业技术学院，
类型：发明
国别省市：