【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的领域关于基片清洗，尤其关于，用于半导体晶片的百万赫频率带域超音波清洗。用以去除微粒污染的一种方法为百万赫频率带域超音波洗擢。百万赫频率带域超音波洗濯涉及到空穴现象。空穴现象是在音波搅动的作用下，液体介质中的微小汽泡的迅速形成与萎陷。音波搅动涉及到使液体遭受冲击波，并且就百万赫频率带域超音波洗濯而言，该冲击波的发生频率介于(含)0.4与1.5Mhz之间。在百万赫频率带域超音波洗濯中，一空穴过的液体喷洒到一自旋的晶片表面上。当一空穴过的液体喷洒到一自旋的晶片上时，晶片表面上形成有一边界层(即，一液体薄层)。当晶片转动时，由于与晶片运动相关联的向心力，边界层液体通常辐射状向外流过晶片表面。一般而言，由于液体在与自旋关联的向心力的作用下更积极地被导向晶片的外部边缘，晶片转动愈快，边界层变得愈薄。边界层液体流过表面，且一旦其达到晶片边缘时，最终飞离晶片。因为被旋出的液体同时由新鲜的喷洒液体所取代，故百万赫频率带域超音波液体的连续喷洒能保持边界层厚度稳定。发生于晶片表面上的边界层液体内的空穴现象活动移开与晶片表面相关联的微粒污染物。汽泡“弹起”，并使污染物松...
【技术保护点】
一种方法，包含：ａ）从一位于一基片上方的喷嘴，喷洒一由百万赫频率带域超音波频率的音波所搅动的液体到该基片上；ｂ）与该液体的喷洒同时，该基片以超过３００ＲＰＭ的转速自旋；以及ｃ）与该液体的喷洒同时，该喷嘴扫过该基片的上方。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗法伯，阿兰M拉德曼，裘莉亚斯沃凯夫斯基，海尔姆斯特利凯，
申请(专利权)人：拉姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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