【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电成像技术，尤其是ー种工作于线性模式APD阵列的主动成像读出电路。属于微电子及光电子
技术介绍
近几十年，由于电荷耦合器件(CXD)，CMOS图像传感器及红外成像器件的发展，光电成像技术在包括人们日常生活在内的诸多领域得到了广泛应用。但在要求检测极其微弱 光信号的应用中，这些器件显得无能为カ或者需要极低温度或低噪声电路才能满足要求。雪崩光电ニ极管(APD)是ー种新型高灵敏光电探测与传感器件。它借助内部强电场作用产生雪崩倍增效应，因此具有很高的内部増益，并且响应速度非常快。由于这些特点，APD探测器已广泛应用于微弱信号检测、光纤通信、光电测距、星球定向和军事测控等领域。焦平面阵列主要由探测器阵列和读出电路(ROIC)阵列组成，读出电路的作用是将探测器接收到的光信号转换成处理机可以处理的电信号(通常为ー个电压信号)，相当于传统APD探測器信号处理电路中的接收机。传统APD探測器信号处理电路中的接收机包含的电路模块通常比较多。如中国专利(专利公开号CN 1384371A)提出的一种高精确度激光测距仪装置，其中包括信号接收电路、峰值保持电路、积...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种工作于线性模式Aro阵列的主动成像读出电路，其特征在于设有探测器、高压保护电路、注入电路、比较器及电压保持电路，探测器输出与高压保护电路的输入连接，高压保护电路的输出与注入电路的输入连接，注入电路的输出与比较器电路的输入连接，t匕较器电路的输出与电压保持电路的输入连接，电压保持电路的输出连接注入电路及后续处理缓冲器电路，注入电路的输出还连接后续处理缓冲器电路，其中 探测器系雪崩光电二极管APD，将光信号转换成电流信号，高压保护电路设有N型高压NMOS管NI，雪崩光电二极管的正极接第一偏置电压，雪崩光电二极管的负极接NMOS管NI的漏极，NMOS管NI的栅极接第二偏置电压； 注入电路设有5个N型NMOS管N2 N6、3个P型PMOS管Pl P3及I个积分电容，NMOS管N2的栅极和漏极、NMOS管N4的栅极以及NMOS管N3的栅极连接在一起并与短路保护电路的NMOS管NI的源极连接，NMOS管N2的源极、NMOS管N5的源极以及积分电容的一端接地，NMOS管N4的漏极、NMOS管N3的漏极、PMOS管P2的源极以及PMOS管P3的源极与PMOS管Pl的漏极连接在一起，为注入电路的输出信号端，PMOS管Pl的源极连接复位电压，PMOS管Pl的栅极和PMOS管P3的栅极分别连接第一时钟信号，NMOS管N4的源极与NMOS管N6的漏极连接，NMOS管N6的源极、NMOS管N5的漏极与NMOS管N3的源极连接在一起，NMOS管N6的栅极连接第二时钟信号，NMOS管N5的栅极连接积分信号，PMOS管P2的漏极及PMOS管P3的漏极与积分电容的另一端连接在一起； 比较器设有5个N型NMOS管N7 Nll及5个P型PMOS管...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐申，何晓莹，杨淼，宋文星，黄秋华，孙伟锋，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：
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