本发明专利技术涉及一种单层ITO的布线结构，所述单层ITO上设有若干电极块，分别交错排列形成若干纵行和纵列，所述电极块的形状是由上、下两排等幅度、方向相反的矩形波封闭围成，所述上排矩形波与下排矩形波之间形成空隙，且所述空隙的长度与上排矩形波的波峰长度以及下排矩形波的波谷长度相同。本发明专利技术所述单层ITO的布线结构不但简单，而且可以保证触碰时的电容量以及信号强度，使其在触碰侦测时更加稳定；再者，本发明专利技术所采用的布线结构，其划线效果较传统更佳。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种ITO的 布线结构，尤其是ー种单层ITO的布线结构。
技术介绍
所谓ITO (铟锡氧化物)是ー种用于生产液晶显示器的关键材料，目前，其在仪器仪表、计算机、电子表、游戏机和家用电器等领域都有了极为广泛的应用。近年来市场上大热的电容式触摸屏也是利用ITO来完成侦测触摸的动作，而电容触摸屏上ITO的布线一般是双层，其主要原理是利用人体电场，当使用者触摸时，表面行或列的交叉处感应単元的互电容(也称耦合电容)会有变化，根据上述变化最終可检测出触摸点的具体位置。由于ITO本身价格较贵，而且两层ITO布设在触控屏上的エ艺较为复杂，因此利用单层ITO的触控屏不仅仅在价格上更具优势，且较为简单的エ艺步骤也成了触控屏未来发展的一大趋势。现阶段，单层触控屏上所采用的ITO的布图一般是三角形。对于这种结构而言，由于是通过两个対称的三角形组成ー组电极组分别布设在ITO层上，所以对所述触控屏的大小就有一定的限制，随着三角形角度的逐渐递减，触控对象如手指触碰的位置就不能快速的分辨，从而不能准确的判断触控点的具体位置坐标；再者，此种结构的布局也存在触碰侦测不稳定、电源噪声干扰较大、画线效果不佳的问题。因此有必要为广大用户提供一种能够改善传统单层ITO布线结构侦测不稳定的问题，而且能够提高电极感应能力的布线结构。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种侦测时结构更稳定、且能够提高电极感应能力的单层ITO布线结构。为了实现上述目的，本专利技术提供一种单层ITO的布线结构，所述单层ITO上设有若干电极块，分别交错排列形成若干纵行和纵列，所述电极块的形状是由上、下两排等幅度、方向相反的矩形波封闭围成，所述上排矩形波与下排矩形波之间形成空隙，且所述空隙的长度与上排矩形波的波峰长度以及下排矩形波的波谷长度相同。与现有技术相比，本专利技术所述单层ITO的布线结构不但简单，而且可以保证触碰时的电容量以及信号強度，使其在触碰侦测时更加稳定；再者，本专利技术所采用的布线结构，其划线效果较传统更佳。附图说明图I是本专利技术所述第一种电极结构示意 图2是根据本专利技术所述第一种单层ITO布线结构示意 图3是根据本专利技术所述第二种电极结构示意 图4是根据本专利技术所述第二种单层ITO布线结构示意图。具体实施例下面结合附图和实施例对本专利技术作进ー步的说明。请參考图I所示，本专利技术涉及一种单层ITO的布线结构，所述单层ITO I上设有若干电极块10，形成若干纵行和纵列，即每个纵行或者纵列均由复数个触控电极块10组成。所述电极块10的形状是由上、下两排等幅度、方向相反的对称矩形波封闭围成，其中所述上排矩形波为101，下排矩形波为102，且所述上排矩形波101与下排矩形波102之间形成空隙100，其长度用“a”表示。在ー个方向上看所述电极块10的形状大致是由“土”字状组成，可以看成是由ー个“土”字状组成，也可以看成是由若干个“土”字状连接组成。所述电极块10中任意ー排矩形波的波峰和波谷的长度不同，上排矩形波101中波谷处的长度大于波峰处的长度，而下排矩形波102中波峰处的长度大于波谷处的长度。请參考图2所示，所述单层ITO布线时，电极块10分别交错排列形成若干纵行和 纵列，即任意相邻两行电极块10中，若某一行电极块10中的上排矩形波101波峰处则分别对应设置相邻该行电极块10中的下排矩形波102的波峰处，若所述某一行电极块10中的上排矩形波101波谷处则分别对应设置相邻该行电极块10中下排矩形波102的波谷处；同理，若某一行电极块10中的下排矩形波102波峰处则分别对应设置相邻该行电极块10中的上排矩形波101波峰，若所述某一行电极块10中的下排矩形波102波谷处则分别对应设置相邻该行电极块10中上排矩形波101的波谷处。所述每行电极块10中空隙100的长度“a”与上排矩形波101的波峰长度“A”相同，同时，每行电极块10中空隙100的长度“a”也与下排矩形波102的波谷长度“A”相同。通过上述电极布线结构，可以保证触碰时的电容量以及信号強度，使其在触碰侦测时更加稳定。在图2所示的布线结构中，为了使其布图更加紧凑，所述第一行和最后一行都只是电极块10的一半，如此以来，也提高了所述ITO层I的侦测灵敏度和线性度。本专利技术并不限于上述实施例，为了达到上述相同的效果，可以对所述单层ITO的电极作出改进，如图3所示，所述电极块11的形状是由上、下两排等幅度、方向相反的不对称矩形波封闭围成，其中所述上排矩形波为111，下排矩形波为112，且所述上排矩形波111与下排矩形波112之间形成空隙110，其长度用“ a”表示。在ー个方向上看所述电极块11的形状大致是由“凸”字状组成，可以看成是由ー个“凸”字状组成，也可以看成是由若干个“凸”字状连接组成。所述电极块11中任意ー排矩形波的波峰和波谷的长度不同，上排矩形波111的波谷处的长度大于波峰处的长度，而下排矩形波112的波峰处的长度大于波谷处的长度。请參考图4所示，所述单层ITO布线时，电极块11也是分别交错排列形成若干纵行和纵列，即所述单层ITO中任意一行电极块的上、下排矩形波的波峰、波谷处分别设置在与其相邻行电极块的下、上排矩形波的波峰、波谷处。所述每行电极块11中空隙Iio的长度“a”与上排矩形波111的波峰长度“A”相同，同时，每行电极块10中空隙110的长度“a”也与下排矩形波112的波谷长度“A”相同。上述无论是第一实施例还是第二实施例中，所述单层ITO的布线结构不但简単，而且可以保证触碰时的电容量以及信号強度，使其在触碰侦测时更加稳定；再者，本专利技术所采用的布线结构，其划线效果更佳、电源噪声干扰也较小，因此值得推广应用。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单层ITO的布线结构，所述单层ITO上设有若干电极块，分别交错排列形成若干纵行和纵列，其特征在于所述电极块的形状是由上、下两排等幅度、方向相反的矩形波封闭围成，所述上排矩形波与下排矩形波之间形成空隙，且所述空隙的长度与上排矩形波的波峰长度以及下排矩形波的波谷长度相同。2.如权利要求I所述单层ITO的布线结构，其特征在于所述电极块的形状是由上、下两排等幅度、方向相反的对称矩形波封闭围成，且大致是由“土”字状组成。3.如权利要求2所述单层ITO的布线结构，其特征在于所述电极块可以由一个“土”字状组成，也可以由若干个“土”字状连接组成。4.如权利要求I所述单层ITO的布线结构，其特征在于所述电极块的形状是由上、下两排等幅度、方向相反的不...
【专利技术属性】
技术研发人员：张开立，
申请(专利权)人：苏州瀚瑞微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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