触控面板及其触碰感应层的制造方法技术

一种触控面板及其触碰感应层的制造方法，触控面板包含：一触碰感应层，包含一第一透明电极及一第二透明电极，该第一透明电极的走向可垂直于该第二透明电极的走向，且该第一透明电极及第二透明电极皆包含堆栈且电性连接的两透明金属图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，特别是有关于一种，其透明电极包含有堆栈且电性连接的两透明金属图案。
技术介绍
近年来触控面板有关的技术突飞猛进，例如电阻式触控面板、电容式触控面板、音波式触控面板、及光学式触控面板，已被广泛应用于通讯产品、计算机装置及消费性电子产品上，藉以大幅增加所应用的电子产品的效能及使用上的便利性。参考图1，先前技术揭不一种触控面板(touch panel)10,其包含一触碰感应层(touch sensor) 12，由横纵交错隔开的透明导电线路所构成。触控面板利用手指对横纵交错的透明导电线路所产生的电场干扰进行侦测，读出不同横纵轴的感应信号，以判定触碰位置。由于目前触控面板的透明导电材料皆为非晶铟锡氧化物(amorphous IT0)，因此在图案化制程(例如微影蚀刻制程)为使用草酸蚀刻出图案化的铟锡氧化物。若铟锡氧化物膜厚太厚，则在成膜制程(例如溅镀制程)中可能会使铟锡氧化物多晶(poly)化。当使用草酸蚀刻多晶铟锡氧化物时，会发生有铟锡氧化物残留，而需以王水(例如硝酸加盐酸)蚀刻。因此，受限于图案化制程，铟锡氧化物的膜厚无法太厚。图2为公知触碰感应层的X走向及Y走向的透明电极(XY-Trace)的剖面示意图。一金属连接线20配置于一透明基板22上。一绝缘层24配置于该透明基板22及该金属连接线20上，并裸露该金属连接线20的一部份。X走向的透明电极26及Y走向的透明电极28配置于该绝缘层上，且X走向的透明电极26电性连接于该金属连接线20的裸露部份。一保护层30覆盖该绝缘层24的裸露部分、X走向的透明电极26及Y走向的透明电极28。然而，X走向的透明金属透明电极及Y走向的透明电极28受限于铟锡氧化物的膜厚无法太厚的条件下，触碰感应层的X走向及Y走向的透明金属透明电极会有较高的电阻值。因此，便有需要提供一触控面板，能够解决前述的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种触控面板，其包含一触碰感应层，包含一第一透明电极及一第二透明电极。该第一透明电极包含一第一透明金属图案及一第二透明金属图案，该第二透明金属图案堆栈且电性连接于该第一透明金属图案。该第二透明电极包含一第三透明金属图案及一第四透明金属图案，该第四透明金属图案堆栈且电性连接于该第三透明金属图案，其中该第一透明金属图案与该第三透明金属图案藉由同一制程以相同材料而形成，且该第二透明金属图案与该第四透明金属图案藉由同一制程以相同材料而形成。本专利技术利用双层透明金属图案的结构，可改善目前触控面板的非晶铟锡氧化物厚度无法太厚的问题。本专利技术使用双层透明金属图案的结构，可降低整体电极的电阻值，并可利用透明金属图案的膜厚，以调整触控面板的色偏问题。为了让本专利技术的上述和其它目的、特征、和优点能更明显，下文将配合所附图示，作详细说明如下。附图说明图I为公知触控面板的触碰感应层的平面示意 图2为公知触控面板的触碰感应层的剖面示意 图3为本专利技术的第一实施例的触控面板的触碰感应层的平面示意图，其中保护层被省略而不显示； 图4为本专利技术的第一实施例的触控面板的触碰感应层的剖面示意图，其显示沿图3的首丨J线B-B，的首丨洒； 图5为本专利技术的第一实施例的触控面板的触碰感应层的剖面示意图，其显示沿图3的剖线C-C’的剖面； 图6A为本专利技术的第一实施例的第一及第三透明金属图案的平面示意 图6B为本专利技术的第一实施例的第二及第四透明金属图案的平面示意 图7为本专利技术的一实施例的触控面板的触碰感应层的制造方法的流程 图8为本专利技术的另一实施例的第二及第四透明金属图案的平面示意 图9为本专利技术的另一实施例的触控面板的触碰感应层的剖面示意图，其显示沿图8的首丨J线D-D，的首丨洒； 图10为本专利技术的另一实施例的触控面板的触碰感应层的剖面示意图，其显示沿图8的首丨J线E-E，的首丨洒； 图11为本专利技术的第二实施例的触控面板的触碰感应层的平面示意图，其中保护层被省略而不显示； 图12为本专利技术的第二实施例的触控面板的触碰感应层的剖面示意图，其显示沿11的首丨J线F-F，的首丨洒； 图13为本专利技术的第二实施例的触控面板的触碰感应层的剖面示意图，其显示沿图11的剖线G-G’的剖面； 图14A为本专利技术的第二实施例的第一及第三透明金属图案的平面示意 图14B为本专利技术的第二实施例的第二及第四透明金属图案的平面示意 图15为本专利技术的另一实施例的第二及第四透明金属图案的平面示意 图16为本专利技术的另一实施例的触控面板的触碰感应层的剖面示意图，其显示沿图15的首丨J线H-H，的首丨洒； 图17为本专利技术的另一实施例的触控面板的触碰感应层的剖面示意图，其显示沿图15的剖线1-1’的剖面； 图18为本专利技术的第三实施例的触控面板的触碰感应层的平面示意图，其中保护层被省略而不显示； 图19为本专利技术的第三实施例的触控面板的触碰感应层的剖面示意图，其显示沿18的首丨J线J-J，的首丨J面; 图20为本专利技术的第三实施例的触控面板的触碰感应层的剖面示意图，其显示沿图18的剖线K-K’的剖面； 图21为本专利技术的第四实施例的触控面板的触碰感应层的剖面示意图；以及 图22及23为本专利技术的另一实施例的触控面板的触碰感应层的剖面示意图。具体实施例方式·参考图3、4、5、6A及6B,其显不本专利技术的第一实施例的触控面板的触碰感应层112。参考图3、4及5，触碰感应层112由横纵交错隔开的透明导电线路所构成。触碰感应层112可设置在一液晶显示模块上方(图未示)。触控面板可利用手指对横纵交错的透明导电线路所产生的电场干扰进行侦测，读出不同横纵轴的感应信号，以判定触碰位置。触碰感应层112包含一第一透明电极128(例如Y走向透明电极)及一第二透明电极126 (例如X走向透明电极)，该第一透明电极128的走向可垂直于该第二透明电极126的走向，且该第一透明电极128及第二透明电极126皆包含堆栈且电性连接的两透明金属图案。该透明金属图案的材料可为铟锡氧化物或铟锌氧化物。通常地，该透明金属图案可藉由一成膜制程及一图案化制程而形成。图6B所显示的第二透明金属图案128b及第四透明金属图案126b与图6A所显示的第一透明金属图案128a及第三透明金属图案126a堆栈后，即成为图3所显示的第一透明电极128及第二透明电极126。换言之，该第一透明电极128包含一第一透明金属图案128a (例如Y走向透明金属图案)及一第二透明金属图案128b (例如Y走向的浮动透明金属图案)，该第二透明金属图案128b堆栈且电性连接于该第一透明金属图案128a。该第二透明电极126包含一第三透明金属图案126a(例如X走向的浮动透明金属图案)及一第四透明金属图案126b (例如X走向透明金属图案)，该第四透明金属图案126b堆栈且电性连接于该第三透明金属图案126a。该第一透明金属图案128a与该第三透明金属图案126a藉由同一制程以相同材料而形成，而该第二透明金属图案128b与该第四透明金属图案126b藉由同一制程以相同材料而形成。再参考图6A及图6B，该第一透明金属图案128a包含一左半部140、一跨越部142及一右半部144，该跨越部142接触连接于该左半部140及右半部144，且该第四透明金属图案126b包含一前半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种触控面板,其特征在于,包含 一触碰感应层，包含 一第一透明电极，包含一第一透明金属图案及一第二透明金属图案，该第二透明金属图案堆栈且电性连接于该第一透明金属图案；以及 一第二透明电极，包含一第三透明金属图案及一第四透明金属图案，该第四透明金属图案堆栈且电性连接于该第三透明金属图案， 其中该第一透明金属图案与该第三透明金属图案藉由同一制程以相同材料而形成，且该第二透明金属图案与该第四透明金属图案藉由同一制程以相同材料而形成。2.如权利要求I所述的触控面板，其特征在于，该第一至第四透明金属图案的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物。3.如权利要求I所述的触控面板，其特征在于，该第一透明电极具有一第一走向，该第二透明电极具有一第二走向，该第二走向垂直于该第一走向。4.如权利要求I所述的触控面板，其特征在于，该触碰感应层还包含一金属导线，该金属导线与该第一透明金属图案及该第三透明金属图案藉由同一灰阶光罩以不同材料而形成。5.如权利要求I所述的触控面板，其特征在于，该第一透明金属图案包含一左半部、一跨越部及一右半部，该跨越部接触连接于该左半部及右半部，且该第四透明金属图案包含一前半部、一跨越部及一后半部，该跨越部接触连接于该前半部及后半部。6.如权利要求5所述的用于触控面板，其特征在于，该触碰感应层还包含 一透明基板，其中该第一透明金属图案及该第三透明金属图案分别形成于该透明基板上； 一绝缘层，形成于该透明基板上，用以使该第一透明金属图案的跨越部与第四透明金属图案的跨越部之间电性隔离，进而电性隔离该第一透明电极及第二透明电极；以及一保护层，用以覆盖该第一透明电极、第二透明电极及绝缘层。7.如权利要求6所述的触控面板，其特征在于，该绝缘层包含多个第一镀通孔及多个第二镀通孔，该些第一镀通孔用以将该第二透明金属图案电性连接于该第一透明金属图案，该些第二镀通孔用以将该第四透明金属图案电性连接于该第三透明金属图案。8.如权利要求3所述的触控面板，其特征在于，该第三透明金属图案包含一前半部、一跨越部及一后半部，该跨越部接触连接于该前半部及后半部，且该第四透...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾光义，康良豪，蔡乙诚，
申请(专利权)人：华映视讯吴江有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：