【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种电子设备、即应用电子工学技术的电气产品。本专利技术的电子设备中，当然包括在基板上配置了电子部件的一般的电子设备，而且还包括太阳电池、太阳能发电装置、使用发光二极管的发光装置、照明装置、信号灯等的电子设备等。
技术介绍
周知，电子设备是在基板的一面上形成具有规定的图形的布线图形、在该布线图形上钎焊有源部件及无源部件等的电子部件而成。布线图形通过在基板上预先形成的Cu箔上涂敷抗蚀剂之后、将Cu箔通过光刻エ序进行图形化而得到。在基板上形成由热硬化性环氧树脂等构成的阻焊剂皮膜，使得在布线图形之中，只有需要钎焊电子部件的部分的Cu箔露出，在不需要钎焊的部分不沾上焊料。并且，在露出的Cu箔上钎焊电子部件。 这样，在以往的电子设备中，必须通过覆铜箔基板的准备、抗蚀剂涂敷エ序、光刻エ序、阻焊剂涂敷エ序以及部件安装エ序这样的多个エ序来制造。因此，在降低成本及提高批量生产率方面有限。与上述方法不同，有时采用在基板上直接将导电膏进行丝网印刷的方法。此时使用的导电膏是将作为导电成分的金属粉末或合金粉末分散到有机展色料中而成的。有机展色料包含热硬化性绝缘树脂、或热可塑性...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.08 JP 050361/20111.ー种电子设备，包括基板和电子部件， 上述基板具有金属化布线； 上述金属化布线包括金属化层和绝缘层； 上述金属化层包含高熔点金属成分和低熔点金属成分，上述高熔点金属成分以及上述低熔点金属成分相互扩散接合， 上述绝缘层与上述金属化层同时形成，覆盖上述金属化层的外面； 上述电子部件与上述金属化层电连接。2.如权利要求I记载的电子设备， 上述高熔点金属成分包含从Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中选择的至少I种； 上述低熔点金属成分包含从Sn、In、Bi或Ga的群中选择的至少I种。3.如权利要求I记载的电子设备， 上述金属化布线包含碳纳米管。4.如权利要求I记载的电子设备， 上述金属化布线形成在金属膜之上，上述金属化层附着于上述金属膜之上。5.如权利要求I记载的电子设备， 上述电子设备是从计算机、移动信息设备、计算机周边终端装置、OA设备、通信设备、业务用信息終端及自动识别装置、汽车电子设备，产业用机械、娱乐设备、音响设备、影像设备或家庭用电气设备的群中选择的至少ー种。6.一种电子部件，将多个芯片部件层叠而成， 上述多个芯片部件由金属化布线接合； 上述金属化布线包括金属化层和绝缘层； 上述金属化层包含高熔点金属成分和低熔点金属成分，上述高熔点金属成分以及上述低熔点金属成分相互扩散接合； 上述绝缘层与上述金属化层同时形成，覆盖上述金属化层的外面； 上述芯片部件的端子电极与上述金属化层电连接。7.如权利要求6记载的电子部件， 上述高熔点金属成分包含从Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中选择的至少I种； 上述低熔点金属成分包含从Sn、In、Bi或Ga的群中选择的至少I种。8.如权利要求6记载的电子部件， 上述金属化布线包含碳纳米管。9.ー种太阳电池，包括半导体基板、第I金属化布线以及第2金属化布线， 上述半导体基板具有η型半导体层以及P型半导体层； 上述第I金属化布线与上述η型半导体层连接； 上述第2金属化布线与上述P型半导体层连接； 上述第I金属化布线包括金属化层和绝缘层，上述第2金属化布线包括金属化层和绝缘层； 上述金属化层包含高熔点金属成分和低熔点金属成分，上述高熔点金属成分及上述低熔点金属成分相互扩散接合； 上述绝缘层与上述金属化层同时形成，覆盖上述金属化层的外面。10.如权利要求9记载的太阳电池， 上述高熔点金属成分包含从Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中选择的至少I种； 上述低熔点金属成分包含从Sn、In、Bi或Ga的群中选择的至少I种。11.如权利要求9记载的太阳电池， 上述金属化布线包含碳纳米管。12.—种太阳能发电装置，包括太阳电池， 上述太阳电池包括半导体基板、第I金属化布线以及第2金属化布线； 上述半导体基板具有η型半导体层以及P型半导体层； 上述第I金属化布线与上述η型半导体层连接； 上述第2金属化布线与上述P型半导体层连接； 上述第I金属化布线包括金属化层和绝缘层，上述第2金属化布线包括金属化层和绝缘层； 上述金属化层包含高熔点金属成分和低熔点金属成分，上述高熔点金属成分及上述低熔点金属成分相互扩散接合； 上述绝缘层与上述金属化层同时形成，覆盖上述金属化层的外面。13.如权利要求12记载的太阳能发电装置， 上述高熔点金属成分包含从Ag、Cu、Au、Pt、Ti、Zn、Al、Fe、Si或Ni的群中选择的至少I种； 上述低熔点金属成分包含从Sn、In、Bi或Ga的群中选择的至少I种。14.如权利要求12记载的太阳能电池， 上述金属化布线包含碳纳米管。15.—种发光二极管,包括发光兀件、第I金属化布线以及第2金属化布线， 上述发光元件包括将η型半导体层、P型半导体层层叠而成的构造； 上述第I金属化布线与上述η型半导体层连接； 上述第2金属化布线与上述P型半导体层连接； 上述第I金属化布线包括金属化层和绝缘层，上述第2金属化布线包括金属化层和绝缘层； 上述金属化层包含高熔点金属成分和低熔点金属成分，上述高熔点金属成分及上述低熔点金属成分相互扩散接...
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