具有可变声学阻抗的超声波换能器晶片制造技术

本发明专利技术是一种具有可变声学特性的晶片。该晶片可以被用作一个用于在其上成形一超声波换能器的基片，一个ＩＣ，或者被用作一个电路板。成形在所述晶片上的超声波换能器可以包括有压电陶瓷换能元件或ＭＵＴ元件。通过对所述晶片的声学阻抗进行控制，该晶片上成形有用于一超声波换能器的集成控制电路，使得该晶片的声学阻抗能够与所述超声波换能器所需的声学阻抗相匹配。另外，通过额外的内部间隙，所述晶片能够减小或消除声学能量穿过所述晶片的横向传播。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种超声波换能器，包括： 一个具有多个元件的超声波传感器；以及 一个被成形在一个晶片上的集成电路，该晶片包括有多个凹腔，这些凹腔限定出了多个立柱，从而利用这些凹腔来改变所述晶片的声学阻抗，其中，所述集成电路被连接在所述超声波传感器上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：DG米勒，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]