电磁感应加热设备的IGBT驱动电路制造技术

技术编号:7774512 阅读:224 留言:0更新日期:2012-09-15 09:37
本实用新型专利技术涉及一种电磁感应加热设备的IGBT驱动电路。包括IGBT驱动信号发生电路及IGBT驱动信号放大电路,其中IGBT驱动信号发生电路与IGBT驱动信号放大电路之间还设有IGBT驱动信号保护电路,IGBT驱动信号发生电路的输出端与IGBT驱动保护电路的输入端连接,IGBT驱动保护电路的输出端与IGBT驱动信号放大电路的输入端连接。本实用新型专利技术IGBT信号发生电路将IGBT驱动信号输入到IGBT驱动保护电路,IGBT驱动保护电路的输出信号输入到IGBT信号放大电路。当受到外界干扰,IGBT信号发生电路输出的IGBT驱动信号不受控制,驱动信号宽度超过设计要求时,IGBT保护电路起保护作用,保护IGBT不被损坏。防止损坏电磁感应加热设备的情况发生。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电磁感应加热设备的IGBT驱动电路,特别是一种能够保护IGBT驱动信号、使IGBT驱动信号发生异常时保护IGBT不受损坏的电磁感应加热设备的IGBT驱动电路。
技术介绍
电磁感应加热设备的IGBT驱动信号一般由单片机发出,经过放大电路后直接驱动IGBT工作。由于电磁感应加热是一种复杂的感应加热,加热过程中电路会产生复杂的电磁干扰,受干扰后IGBT驱动信号往往会出现异常,IGBT驱动宽度发出后不受单片机控制,·出现宽度超过设计最大值时往往出现功率异常,从而损坏IGBT。传统的电磁感应加热保护电路例如过压保护、过流保护、浪涌保护等等都是对于电磁感应加热设备整个工作状态的保护,IGBT驱动信号受到干扰宽度发生异常时,以上所述的保护电路一般不会起到保护作用。
技术实现思路
本技术的目的在于考虑上述问题而提供一种设计巧妙,可靠性高的电磁感应加热设备的IGBT驱动电路。本技术可避免电磁感应加热设备内部电路受到不可预知干扰情况下,IGBT驱动信号宽度异常而导致IGBT损坏。为了实现上述技术目的,本技术方案为本技术的电磁感应加热设备的IGBT驱动电路,包括IGBT驱动信号发生电路及IGBT驱动信号放大电路,其中IGBT驱动信号发生电路与IGBT驱动信号放大电路之间还设有IGBT驱动信号保护电路,IGBT驱动信号发生电路的输出端与IGBT驱动保护电路的输入端连接,IGBT驱动保护电路的输出端与IGBT驱动信号放大电路的输入端连接。所述的IGBT驱动保护电路包括信号处理模块和信号宽度限制模块,其中信号处理模块的输出信号为信号宽度限制模块的输入信号。所述信号处理模块包括电阻Rl、R2、R3和R4 ;电容Cl和C2以及比较器U1,电阻Rl的一端与IGBT驱动信号发生电路的输出端连接,电阻Rl的另一端与比较器Ul的正输入端连接;电阻R2的一端与比较器Ul的正输入端连接,电阻R2的另一端接地;电容Cl的一端与比较器Ul的正输入端连接,电容Cl的另一端接地;电阻R3的一端与电源VCC连接,电阻R3的另一端与比较器Ul的负输入端连接;电阻R4的一端与比较器Ul的负输入端连接,电阻R4的另一端接地;电容C2的一端与比较器Ul的负输入端连接,电容C2的另一端接地。所述信号宽度限制模块包括电阻R5、R6、R7、R8,电容C3、C4,二极管Dl和比较器U2,电阻R5的一端与电源VCC连接,电阻R5的另一端与比较器U2的正输入端连接;电阻R6的一端与比较器U2的正输入端连接,电阻R6的另一端接地;电容C3的一端与比较器U2的正输入端连接,电容C3的另一端接地;电阻R7的一端与电源VCC连接,电阻R7的另一端与比较器U2的负输入端连接;电容C4的一端与比较器U2的负输入端连接,电容C4的另一端接地;二极管Dl的正极与比较器U2的正输入端连接,二极管Dl的负极与比较器U2的负输入端连接;比较器U2的输出端与电阻R8连接。所述IGBT信号放大电路为推挽型放大电路。所述IGBT驱动信号发生电路为单片机的内置电路。本技术由于采用在IGBT驱动信号发生电路与IGBT驱动信号放大电路之间还设有IGBT驱动信号保护电路的结构,IGBT信号发生 电路将IGBT驱动信号输入到IGBT驱动保护电路,IGBT驱动保护电路的输出信号输入到IGBT信号放大电路。当受到外界干扰,IGBT信号发生电路输出的IGBT驱动信号不受控制,驱动信号宽度超过设计要求时,IGBT保护电路起保护作用,保护IGBT不被损坏。防止由IGBT驱动信号发生电路发出的IGBT驱动信号受到外界不可预知干扰的情况下驱动宽度超过限制从而损坏电磁感应加热设备的情况发生。附图说明图I为本技术的电路框图;图2为本技术的电路原理图;图3、图4为本技术电路驱动信号在正常状态下各种情况的波形示意图;图中,A表不MCU正常输出的IGBT原级驱动信号的波形,B表不A经过信号处理模块后输出的信号;C为B经过宽度限制模块从电阻上输出IGBT次级驱动信号。图5、图6为本技术电路驱动信号异常状态下各种情况的波形示意图;图中,D表示MCU输出的IGBT原级驱动信号发生异常的波形,其信号宽度超过设计值,E表示D经过信号处理模块后输出的信号对宽度限制模块中的电容进行充电后产生的波形。F表示宽度限制模块中电源VCC通过电阻对电容充电后产生的波形。当E信号幅值小于F信号幅值时,比较器翻转,输出低电平,输出信号如G所不。具体实施方式以下结合附图以及实施例对该技术的具体实施方式做进一步描述。如图I所示,本技术的电磁感应加热设备的IGBT驱动电路,包括IGBT驱动信号发生电路I及IGBT驱动信号放大电路3,其中IGBT驱动信号发生电路I与IGBT驱动信号放大电路3之间还设有IGBT驱动信号保护电路2,IGBT驱动信号发生电路I的输出端与IGBT驱动保护电路2的输入端连接,IGBT驱动保护电路2的输出端与IGBT驱动信号放大电路3的输入端连接。所述的IGBT驱动保护电路2包括信号处理模块21和信号宽度限制模块22,其中信号处理模块21的输出信号为信号宽度限制模块22的输入信号。所述信号处理模块21包括电阻R1、R2、R3和R4 ;电容Cl和C2以及比较器U1,电阻Rl的一端与IGBT驱动信号发生电路(I)的输出端连接,电阻Rl的另一端与比较器Ul的正输入端连接;电阻R2的一端与比较器Ul的正输入端连接,电阻R2的另一端接地;电容Cl的一端与比较器Ul的正输入端连接,电容Cl的另一端接地;电阻R3的一端与电源VCC连接,电阻R3的另一端与比较器Ul的负输入端连接;电阻R4的一端与比较器Ul的负输入端连接,电阻R4的另一端接地;电容C2的一端与比较器Ul的负输入端连接,电容C2的另一端接地。所述信号宽度限制模块22包括电阻R5、R6、R7、R8,电容C3、C4,二极管Dl和比较器U2,电阻R5的一端与电源VCC连接,电阻R5的另一端与比较器U2的正输入端连接;电阻R6的一端与比较器U2的正输入端连接,电阻R6的另一端接地;电容C3的一端与比较器U2的正输入端连接,电容C3的另一端接地;电阻R7的一端与电源VCC连接,电阻R7的另一端与比较器U2的负输入端连接;电容C4的一端与比较器U2的负输入端连接,电容C4的另一端接地;二极管Dl的正极与比较器U2的正输入端连接,二极管Dl的负极与比较器U2的负输入端连接;比较器U2的输出端与电阻R8连接。本实施例中,所述IGBT驱动信号发生电路I为单片机的内置电路。IGBT信号放大 电路3为推挽型放大电路。IGBT信号发生电路I将IGBT驱动信号输入到IGBT驱动保护电路2,IGBT驱动保护电路2的输出信号输入到IGBT信号放大电路3。当受到外界干扰,IGBT信号发生电路I输出的IGBT驱动信号不受控制,驱动信号宽度超过设计要求时,IGBT保护电路2起保护作用,保护IGBT不被损坏。如图3、4所示,A表示MCU正常输出的IGBT原级驱动信号的波形,B表示A经过信号处理模块21后输出的信号;C为B经过宽度限制模块22从电阻R8上输出IGBT次级驱动信号。正常情况下,A与C信号宽度一致,IGBT驱动保护电路2不起作用。如图5、6所示,D表示M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电磁感应加热设备的IGBT驱动电路,包括IGBT驱动信号发生电路(I)及IGBT驱动信号放大电路(3),其特征在于IGBT驱动信号发生电路(I)与IGBT驱动信号放大电路(3)之间还设有IGBT驱动信号保护电路(2),IGBT驱动信号发生电路(I)的输出端与IGBT驱动保护电路(2)的输入端连接,IGBT驱动保护电路(2)的输出端与IGBT驱动信号放大电路(3)的输入端连接。2.根据权利要求I所述的电磁感应加热设备的IGBT驱动电路,其特征在于所述的IGBT驱动保护电路(2)包括信号处理模块(21)和信号宽度限制模块(22),其中信号处理模块(21)的输出信号为信号宽度限制模块(22)的输入信号。3.根据权利要求2所述的电磁感应加热设备的IGBT驱动电路,其特征在于所述信号处理模块(21)包括电阻Rl、R2、R3和R4 ;电容Cl和C2以及比较器Ul,电阻Rl的一端与IGBT驱动信号发生电路(I)的输出端连接,电阻Rl的另一端与比较器Ul的正输入端连接;电阻R2的一端与比较器Ul的正输入端连接,电阻R2的另一端接地;电容Cl的一端与比较器Ul的正输入端连接,电容Cl的另一端接地;电阻R3的一端与电源VCC连接,电阻R3的另...

【专利技术属性】
技术研发人员:李宝刚刘文奇
申请(专利权)人:美的集团有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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