一种采用COB工艺的LED灯板制造技术

本实用新型专利技术是有关于一种采用COB工艺的LED灯板，包括基板以及以COB工艺封装在所述基板上的LED裸片和交流驱动芯片裸片，所述交流驱动芯片裸片与所述LED裸片通过电路连接。本实用新型专利技术将LED?Chip(LED裸片)和Drive?IC?Chip(驱动集成电路芯片)一同邦定在基板上，弥补了现有LED?COB灯板的缺陷，功率因数达0.95以上、总谐波(THD)≤20％、电磁兼容符合EN55015、EN61547等国际标准，适于各种高要求使用环境及大面积应用。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED照明器具领域,特别是涉及ー种采用COB (Chip on Board,芯片邦定在基板上)エ艺的LED灯板。
技术介绍
COB是现有应用较为广泛的LED灯板封装エ艺，但是，由于现有的灯板驱动部件零件数量较多、体积较大，大都作为独立安装的部件来设计，因此，通常只能将LED裸片(LEDChip)邦定在基板上，而驱动部件与灯板完全分离，无法用COBエ艺将它们邦定在一起。上述现有的LED COB灯板，都是工作在低压状态(工作电压从几伏至十几伏)，虽可满足LED发光部件的基本要求，但是其技术指标，例如功率因数、谐波及EMC(电磁兼容) 等都非常差，在实际使用吋，对电网会造成很大影响。因此，使用会受到很大的局限性，在要求高的环境及大面积使用还会带来严重的后果。由此可见，上述现有的LED灯板在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一歩改进。如何能创设ー种适于高要求使用环境及大面积应用的新型结构的采用COBエ艺的LED灯板，实属当前本领域的重要改进目标之一。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种采用COBエ艺的LED灯板，使其适于高要求使用环境及大面积应用，从而克服现有LED灯板的不足。为解决上述技术问题，本技术一种采用COBエ艺的LED灯板，包括基板以及以COBエ艺封装在所述基板上的LED裸片和交流驱动芯片裸片，所述交流驱动芯片裸片与所述LED裸片通过电路连接。作为本技术的一种改进，所述的交流驱动芯片裸片包括电压输入模块、电压分配模块以及多组缓冲-电压比较模块和半导体场效应晶体管M0SFET，其中第一个MOSFET的源极与地电位连接，栅极直接连接于本组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED裸片的串联线路上；其它MOSFET的源极通过能够等效为电阻的元件组与地电位连接，栅极连接于本组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于前ー组缓冲-电压比较模块的输出端，漏极作为驱动芯片的输出端连接至LED裸片的串联线路上；上述缓冲-电压比较模块的另ー输入端与电压分配模块连接；电压输入模块的输出端还与LED裸片串联线路的起始端连接，并通过电压分配模块连接于地电位。所述的电压输入模块为半导体场效应晶体管，其栅极与外部电压输入端连接，漏极经能够等效为电阻的元件组连接于地电位，源极即为电压输入模块的输出端。所述的交流驱动芯片裸片还包括功率因数校正电路，该功率因数校正电路为三极管，其集电极通过ー个正向连接的ニ极管与电压输入模块的栅极连接、并通过电感与外部电压输入端连接，发射极通过反向连接的ニ极管与地电位连接。所述的半导体场效应晶体管MOSFET为V型槽场效应晶体管VM0S。所述的电压输入模块为增强型金属-氧化层-半导体场效应晶体管。采用这样的设计后，本技术将LED Chip (LED裸片)和Drive IC Chip (驱动集成电路芯片)一同邦定在基板 上，弥补了现有LED COB灯板的缺陷，功率因数达0.95以上、总谐波(THD)彡20%、电磁兼容符合EN55015、EN61547等国际标准，适于各种高要求使用环境及大面积应用。附图说明上述仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，以下结合附图与具体实施方式对本技术作进ー步的详细说明。图I是本技术一种采用COBエ艺的LED灯板的LED裸片电路原理图。图2是本技术一种采用COBエ艺的LED灯板的交流驱动芯片裸片与LED裸片的电路连接图。图3是本技术采用COBエ艺的LED灯板的交流驱动芯片裸片的电路图。具体实施方式本技术一种采用COBエ艺的LED灯板，包括基板以及以COBエ艺封装在所述基板上的LED裸片和交流驱动芯片裸片，请參阅图I、图2所示，所述交流驱动芯片裸片与所述LED裸片通过电路连接。请配合參阅图3所示，本技术所使用的交流驱动芯片主要包括电压输入模块、电压分配模块以及多组缓冲-电压比较模块21和半导体场效应晶体管MOSFET Ql-Qn。其中，半导体场效应晶体管MOSFET Ql-Qn可采用V型槽场效应晶体管VM0S。MOSFET Ql的源极与地电位相连，栅极直接连接于第一组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，第一组缓冲-电压比较模块的另ー个输入端分别连接至串联电阻Rl和R2之间的连接点处，第一组缓冲-电压比较模块输出端与MOSFET Q2的栅极相连，MOSFET Ql的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED裸片的串联线路上。MOSFET Qn(n > I)的源极通过电阻或能够等效为电阻的元件组与地电位相连，柵极连接于第n组缓冲-电压比较模块的一个输入端、同时连接于前ー组缓冲-电压比较模块的输出端，第n组缓冲-电压比较模块的另ー个输入端连接至串联电阻R2n-1和R2n之间的连接点处，MOSFET Qn的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED裸片的串联线路上。电压分配模块即由上述Rl和R2，R2n-1和R2n组成的n条支路并联组成。电压输入模块可采用增强型金属-氧化层-半导体场效应晶体管M0SFETQ0，其输出端与LED裸片的串联线路的起始端连接，并通过电压分配模块连接于地电位。此外，交流驱动芯片还包括功率因数校正电路，该功率因数校正电路为三极管Qi，其集电极通过ー个正向连接的ニ极管Dl与电压输入模块QO的栅极连接、并通过电感L与外部电压输入端VIN连接，发射极通过反向连接的ニ极管D2与地电位连接。电压输入模块QO的栅极与外部电压输入端VIN连接，QO的漏极经ー电阻Rx连接于地电位，QO的源极即为电压输入模块的输出端、经电压分配模块连接于地电位。图中驱动的LED裸片为6个LED灯段，以每个灯段全亮时两端电压为36V为例来说。当线路电压从VIN端输入时，与VIN端ロ相连的QO的栅极电压处于高电位，QO开始导通，QO的源极之输出电压即VDD随之上升；则晶体管MOSFET Ql的栅极电压上升，Ql就开始导通，第一灯段开始点亮发光；同时第一组缓冲-电压比较模块的输入端IA为高电位；若电压输入端VIN的电压较低,第一组缓冲-电压比较模块的输入端IB为低电位,第一组缓冲-电压比较模块输出低电位，Q2的栅极处于地电位，Q2处于截止状态。以此类推，Q3-Q6也处于截止状态。随着VIN端输入电压增加，Ql开始进入饱和状态且电阻Rl分担的电压增加，IB端点电压逐渐升高达到施密特触发器的正向阈值电压，施密特触发器被触发，第二组缓冲-电压比较模块输出高电位，此时Q2导通，当输入电压 超过36V时第二灯段开始点亮发光。此时预先设定的R3和R4的电阻值的比值，仍可使端点2B处的第二组电压低于缓冲-电压比较模块内的施密特触发器的正向阈值电压，Q3-Q6仍处于截止状态。随着VIN端输入电压的继续增加，Q2开始进入饱和状态且电阻R3分担的电压增加至第二组缓冲-电压比较模块内施密特触发器的正向阈值电压，施密特触发器被触发，Q3导通，当输入电压超过72V时第三灯段开始点亮发光，Q4-Q6截止。以此类推，随着输入电压逐渐升高，当输入电压值超过180V吋，Q6导通，第四灯段点亮；当输入电压值超过216V时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张高柏，陈卫平，
申请(专利权)人：陈卫平，
类型：实用新型
国别省市：