一种MASK表面附着有机物的清除方法技术

本发明专利技术公开了一种MASK表面附着有机物的清除方法，包括以下步骤：步骤1)：将MASK放入第一真空箱中加热真空蒸发有机物，加热温度大于有机物的升华温度，小于有机物的玻璃化温度；步骤2)：覆盖MASK的化合物蒸发完毕，将MASK移入第二真空箱中，进行真空空烧，使附着在MASK表面的杂质变质分解；真空空烧的温度大于将MASK表面的杂质分解温度，且小于使MASK发生形变或MASK发生形变后不可恢复的温度；步骤3)：将经过步骤2)处理的MASK冷却(自然冷却或通入惰性气体、N2等)至室温，然后用纯水清洗后风干即可。本发明专利技术方法流程简单，容易控制，即对MASK无损害还可以实现有机物的回收利用，又不产生有害气体。

【技术实现步骤摘要】
—种MASK表面附着有机物的清除方法
本专利技术涉及掩膜版的清洗
，特别涉及一种有机电致发光显示器件蒸镀用MASK(掩膜)表面附着有机物的清除方法。背景技木蒸镀用MASK经过一段时间的使用，MASK上会覆盖ー层有机物，若有机物达到一定厚度后会堵塞MASK pattern孔，或者有机物在MASK上粘结不牢会掉下来，对产品造成很大的影响，此时需要进行清洗，把MASK上的有机物或其他物质处理掉后才可以继续使用目前的状况清洗MASK—般有两种，一种为干法清洗，一种为湿法清洗。所谓干法清洗，是用C2F8气体在一定的条件下跟有机物进行反应，产生一些其他容易处理的物质，这种方法对MASK的损害不是很大，如果选择对MASK基本不腐蚀的气体又能跟有机物反应，该种方法是比较好的，但一般能跟有机物反应的气体都有一定的腐蚀性，会对MASK产生腐蚀，，反应产生的尾气对环境有污染，尾气不能直接排放，需要増加尾气处理装置进行尾气处理，需要的费用不少，还需要有特气，危险性很大。所谓湿法清洗，是把用过的MASK浸泡在溶液中，再加以其他辅助作用，使MASK上的有机材料溶解在溶液中，然后对溶液进行蒸馏提纯循环使用，使用的有机溶液，多少会有腐蚀作用，对MASK腐蚀不能忽略，经过清洗以后，MASK会变薄，经过几次清洁后MASK需要进行更换，增加了 MASK的购买成本，另外产生的废液也有污染，需要进行处理才可排出。以上两种清洗方式都会对MASK产生影响，并且对蒸镀有机物的回收利用等于零，产生的废液废气处理也比较困难。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供ー种MASK表面附着有机物的清除方法，以解决上述技术问题。为达到以上目的，本专利技术采用如下技术方案ー种MASK表面附着有机物的清除方法，包括以下步骤步骤I):将使用过的MASK放入第一真空箱中，该MASK上附着有若干种有机物；将MASK在第一真空箱中加热真空蒸发所述若干种有机物；步骤2):附着在MASK上的若干种有机物蒸发完毕，将MASK移入第二真空箱中，进行真空空烧，使附着在MASK表面的杂质分解；真空空烧的温度大于将MASK表面的杂质分解的温度，且小于使MASK发生形变或MASK发生形变后不可恢复的温度；步骤3):将经过步骤2)处理的MASK冷却至室温，然后用纯水清洗后风干即可。本专利技术进一步的改进在于步骤I)中真空加热蒸发所述若干种有机物时，蒸发每ー种有机物时的加热温度大于该有机物的升华温度，小于该有机物的玻璃化温度。本专利技术进一步的改进在于步骤I)中按照有机物升华温度从低到高的顺序依次 真空加热蒸发所述若干种有机物。本专利技术进一步的改进在于步骤2)中真空空烧的温度为500 600度。本专利技术进一步的改进在于MASK的材质为SUS或INVER合金等热膨胀系数小的材质。本专利技术进一步的改进在于步骤I)中采用电阻加热或涡流加热方式加热。本专利技术进一步的改进在于步骤3)中MASK自然冷却或通入惰性气体、氮气辅助冷却至室温。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点本专利技术方法，通过在第一真空箱中真空蒸发掉附着在MASK表面的有机物，然后再在第二真空箱中真空空烧，分解掉附着在MASK表面的杂质，冷却后用纯水清洗即可完全清楚掉附着在MASK表面的有机物；本专利技术方法流程简単，容易控制，即对MASK无损害还可以实现有机物的回收利用，又不产生有害气体。附图说明图I为本专利技术方法的流程图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进ー步详细描述。请參阅图I所示，本专利技术ー种MASK表面附着有机物的清除方法，包括以下步骤步骤I :使用过的MASK根据以前蒸镀时的情况，便可以知道其上附着有机物的种类；将使用过的MASK放入第一真空箱中，该MASK上附着有若干种有机物(根据该MASK的使用记录便可以知道其上附着有机物的种类)JfMASK在第一真空箱中按照有机物升华温度从低到高的顺序依次真空加热蒸发所述若干种有机物；蒸发每ー种有机物时的加热温度大于该有机物的升华温度，小于该有机物的玻璃化温度；通过涡流等加热方式使金属MASK自身产生热量，使有机物融化或升华，从MASK上脱离，使覆盖MASK的第一化合物蒸发完毕；步骤2 :将经过步骤I)处理的MASK移入第二真空箱中，进行真空空烧，使附着在MASK表面的杂质分解；真空烧结的温度为500 600度，即能真空分解掉MASK表面的杂质，又不会使金属材质的MASK发生形变，或发生形变可以还原；步骤3):将经过步骤2)处理的MASK自然冷却或通入惰性气体、氮气辅助冷却至室温，然后用纯水清洗后风干即可。本专利技术方法不会对MASK造成腐蚀损害，可以更多次利用MASK。有机物从金属MASK中脱离沉积在第一真空箱中，性质不发生变化，对金属MASK也没有物理性损害，沉积在第一真空箱中的有机物达到一定的数量可以收集起来进行提纯重新利用，即对MASK无损害还可以达到有机物的回收利用，又不产生有害气体。本专利技术方法步骤I)中，如果某几种有机物具有重叠的蒸发温度区间，即该蒸发温度区间满足，该蒸发温度区间的温度下线大于上述某几种有机物的升华温度，小于上述某几种有机物的玻璃化温度；这样在该蒸发温度区间加热蒸发时，可以同时蒸发掉上述某几种有机物，提闻步骤I)真空蒸发的效率。金属MASK的材质要有比较高的熔沸点，有机物有相对低的熔沸点，高温下金属MASK不会发生形变或发生形变可以还原。本专利技术中MASK的材质为SUS或INVAR合金等热膨胀系数小的材质。本专利技术中采用电阻加热或涡流加热方式加热。金属MASK的熔点相对比较高，有机物的熔点相对较低，把使用过的MASK送入真空腔室，控制温度在有机物蒸镀时的温度或稍微高一点(有机物不变质即可)，处理一段时间，有机物融化从MASK上脱离，即达到清洗的效果，然后再把MASK放在温度偏高的地方进行再次处理，分解其中的杂质，最后进行纯水冲洗。金属MASK在一定的高温真空环境下，性质不会发生变化，达不到固定的有机物在真空特定高温情况下发生物理变化，从金属MASK中脱离沉积在腔室中，性质不发生变化，对金属MASK也没有物理性损害，沉积在腔室中的有机物达到一定的数量可以收集起来进行提纯重新利用，即对MASK无损害还可以达到有机物的回收利用，又不产生有害气体，最后进行清水处理，洗掉粘在MASK上的分解后的杂质。 以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种MASK表面附着有机物的清除方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤I):将使用过的MASK放入第一真空箱中，该MASK上附着有若干种有机物^fMASK在第一真空箱中真空加热蒸发所述若干种有机物； 步骤2):覆盖MASK的若干种有机物蒸发完毕，将MASK移入第二真空箱中，进行真空空烧，使附着在MASK表面的杂质分解；真空空烧的温度大于将MASK表面的杂质分解的温度，且小于使MASK发生形变或MASK发生形变后不可恢复的温度； 步骤3):将经过步骤2)处理的MASK冷却至室温，然后用纯水清洗后风干即可。2.根据权利要求I所述的ー种MASK表面附着有机物的清除方法，其特征在于，步骤I)中真空加热蒸发所述若干种有机物时，蒸发每ー种有机物时的加热温度大于该有机物的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王信超，
申请(专利权)人：彩虹佛山平板显示有限公司，
类型：发明
国别省市：