有机电致发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了有机电致发光显示装置及其制造方法。有机电致发光显示装置包括：基板，包括像素区域以及晶体管区域；透明电极，形成于所述基板的像素区域以及晶体管区域上；栅电极，形成于所述透明电极的上部；栅绝缘膜，形成于所述栅电极的上部；半导体层，形成于所述栅绝缘膜的上部；源/漏电极，一端与所述半导体层连接，另一端与所述像素区域的透明电极连接；像素限定膜，覆盖所述源/漏电极的上部，形成有开口部以向外部露出所述透明电极，从而限定所述像素区域；光阻断层，以与所述像素限定膜相同的图案形成于所述像素限定膜的上部；以及有机发光层，在所述开口部形成于所述透明电极的上部。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光显示装置及其制造方法
本专利技术涉及有机电致发光显示装置及其制造方法，尤其涉及可以防止由光引起的稳定性下降的有机电致发光显示装置及其制造方法。
技术介绍
AMOLED(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode)面板是指，使电流通过作为自发光器件的有机发光器件(OrganicLight-EmittingDiode，简称为OLED)从而发光的面板。例如，图1图示了使用有机发光器件的有机电致发光显示装置。即，基板上依次形成有栅电极、半导体层、源电极以及漏电极，并且还形成有覆盖其上部的像素限定膜。此时，对于背面发光的情况，若由像素区域上部的有机发光器件发光，则光经过透明基板发射至外部。但是，若这种有机发光器件在一定时间内持续发光，则随着时间的流逝，即使让相同的电流持续通过，也会导致发光的量减少或者错误操作的次数增加，从而会发生稳定性下降的问题。其原因在于，尤其对于使用氧化物半导体的有机电致发光显示装置，因有机发光器件的自发光而使得对水分以及热量较敏感的氧化物半导体发生劣化，进而导致光稳定性下降。因此，需要改善因劣化而导致的氧化物半导体稳定性下降的现象。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题在于，提供有机电致发光显示装置及其制造方法，所述有机发光显示装置通过防止由光引起的劣化，从而提高氧化物半导体层的器件稳定性。本专利技术所要解决的另一问题在于，提供有机电致发光显示装置及其制造方法，所述有机发光显示装置在像素限定膜的上部还包括具有阻光效果的光阻断层，从而提高氧化物半导体层的器件稳定性。本专利技术所要解决的技术问题并不局限于上述的技术问题，所属
的技术人员能够理解由下述技术延伸的其他未提及的技术问题。为了实现所述技术问题，根据本专利技术一实施例的有机电致发光显示装置包括：具有像素区域以及晶体管区域的基板；分别形成于所述基板的像素区域以及晶体管区域上的透明电极；形成于所述透明电极的上部的栅电极；形成于所述栅电极的上部的栅绝缘膜；形成于所述栅绝缘膜的上部的半导体层；一端与所述半导体层连接的、另一端与所述像素区域的透明电极连接的源/漏电极；覆盖所述源/漏电极的上部的、形成有开口部以使所述透明电极向外部露出从而限定所述像素区域的像素限定膜；以与所述像素限定膜相同的图案形成于所述像素限定膜的上部的光阻断层；以及在所述开口部形成于所述透明电极的上部的有机发光层。为了实现所述技术问题，根据本专利技术另一实施例的有机电致发光显示装置包括：具有像素区域以及晶体管区域的基板；分别形成于所述基板的像素区域以及晶体管区域上的透明电极；形成于所述透明电极的上部的栅电极；形成于所述栅电极的上部的栅绝缘膜；形成于所述栅绝缘膜的上部的半导体层；一端与所述半导体层连接的、另一端与所述像素区域的透明电极连接的源/漏电极；覆盖所述源/漏电极的上部的、形成有开口部以使所述透明电极向外部露出从而限定所述像素区域的第一像素限定膜；以与所述第一像素限定膜相同的图案形成于所述第一像素限定膜的上部的光阻断层；形成于所述第一像素限定膜以及光阻断层的上部的第二像素限定膜；以及在所述开口部形成于所述透明电极的上部的有机发光层；其中，相比所述第一像素限定膜以及第二像素限定膜，所述光阻断层的端部向远离所述开口部的中心的方向缩进。为了实现所述技术问题，根据本专利技术一实施例的有机电致发光显示装置的制造方法包括：在基板上部的像素区域以及晶体管区域上形成透明电极；在所述晶体管区域的透明电极上部形成栅电极；在所述晶体管区域的上部形成半导体层；在所述半导体层的上部形成源/漏电极，所述源/漏电极的一端与所述半导体层连接、另一端与所述像素区域上的透明电极连接；形成像素限定膜，所述像素限定膜覆盖所述源/漏电极的上部；在所述像素限定膜形成开口部以使所述像素区域上的透明电极向外部露出；在所述像素限定膜的上部以与所述像素限定膜相同的图案形成光阻断层；以及在所述开口部的所述透明电极的上部形成有机发光层。为了解决所述技术问题，根据本专利技术另一实施例的有机电致发光显示装置的制造方法包括：在基板的上部的像素区域以及晶体管区域上形成透明电极；在所述晶体管区域的透明电极上部形成栅电极；在所述晶体管区域的上部形成半导体层；在所述半导体层的上部形成源/漏电极，所述源/漏电极的一端与所述半导体层连接、另一端与所述像素区域上的透明电极连接；形成第一像素限定膜，所述第一像素限定膜覆盖所述源/漏电极的上部；在所述第一像素限定膜形成开口部以使所述像素区域上的透明电极向外部露出；在所述第一像素限定膜的上部以与所述第一像素限定膜相同的图案形成光阻断层；在所述第一像素限定膜以及光阻断层的上部形成第二像素限定膜；以及在所述开口部的所述透明电极的上部形成有机发光层；其中，所述形成光阻断层的步骤中形成所述光阻断层以相比所述像素限定膜，所述光阻断层的端部向远离所述开口部的中心的方向缩进。对于其他实施例的具体说明，请参见具体实施方式以及附图。附图说明图1是现有的有机电致发光显示装置的简要截面图；图2是根据本专利技术一实施例的有机电致发光显示装置的简要截面图；图3至图9是依次显示根据本专利技术一实施例的有机电致发光显示装置的制造方法的示意图；图10是显示根据本专利技术一实施例的有机电致发光显示装置中像素限定膜和光阻断层的形成过程的流程图；图11是根据本专利技术另一实施例的有机电致发光显示装置的简要截面图；图12至图14是依次显示根据本专利技术另一实施例的有机电致发光显示装置的制造方法的示意图；图15是显示根据本专利技术另一实施例的有机电致发光显示装置中像素限定膜和光阻断层的形成过程的示意图。附图标记说明10：基板12：透明电极18：半导体层24：源/漏电极26、30：像素限定膜28：光阻断层具体实施方式参照附图和后述的详细实施例，可了解本专利技术的优点、特征以及实现该优点和特征的方法。然而，本专利技术并不局限于下面所公开的实施例，而是将会以多种不同的形态实施。本说明书中实施例的目的仅在于，使本专利技术所公开的内容更加完整，使所属
技术人员能够完整地理解本专利技术的范围。本专利技术所要保护的范围应由权利要求的范围所决定。为了便于说明，可能放大显示附图中组成要素的尺寸以及相对尺寸。在说明书全文中，相同的附图标记代表相同的组成要素，“和/或”包括所提及的每一个技术特征以及所有一个以上的技术特征的组合。说明书中使用的术语仅用于说明实施例，并不用于对本专利技术加以限制。在本说明书中，若没有特别的说明，单数术语包括多数的含义。在说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“组成(madeof)”中提及的组成要素、步骤、动作和/或器件并不排除存在或增加另外的一个以上的组成要素、步骤、动作和/或器件。虽然第一、第二等术语用于说明多种组成要素，但所述组成要素不限于所述术语。使用所述术语的目的仅在于区别一个组成要素与另一个组成要素。从而，在不脱离本专利技术的技术思想的前提下，下面提及的第一组成要素还可以是第二组成要素。在说明书中描述的实施例，将参照如平面图以及截面图等本专利技术的理想简要图进行说明。因此，示意图的形态可能根据制造技术和/或允许的误差等而发生变化。所以，本专利技术的实施例并不局限于所图示的特定形态，还包括根据制造工序而产生的形态变化。因而，附图中示出的区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.18 KR 10-2011-00147171.一种有机电致发光显示装置，包括：基板，具有像素区域以及晶体管区域；透明电极，分别形成于所述基板的所述像素区域以及所述晶体管区域上；栅电极，形成于所述透明电极的上部；栅绝缘膜，形成于所述栅电极的上部；半导体层，形成于所述栅绝缘膜的上部；源/漏电极，一端与所述半导体层连接，另一端与所述像素区域的透明电极连接；像素限定膜，覆盖所述源/漏电极的上部，形成有开口部以使所述透明电极向外部露出从而限定所述像素区域；光阻断层，形成于所述像素限定膜的上部；以及有机发光层，在所述开口部形成于所述透明电极的上部。2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，相比所述像素限定膜，所述光阻断层的端部向远离所述开口部的中心的方向缩进。3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，所述有机发光层与光阻断层之间相互间隔，从而互不接触。4.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，所述像素限定膜由光敏聚酰亚胺类、丙烯酰基类、硅氧烷类以及酚醛清漆类中的一种以上物质形成。5.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，所述光阻断层由介电率在3.0以下的物质形成。6.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，所述光阻断层由有色物质形成。7.根据权利要求6所述的有机电致发光显示装置，其中，基于孟赛尔表色系，所述光阻断层的明度在3以下。8.根据权利要求6所述的有机电致发光显示装置，其中，所述光阻断层由黑色物质形成。9.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，所述光阻断层阻断波长为350nm至450nm的光。10.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其中，所述半导体层是由氧化物组成的氧化物半导体层。11.一种有机电致发光显示装置，包括：基板，具有像素区域以及晶体管区域；透明电极，分别形成于所述基板的所述像素区域以及所述晶体管区域上；栅电极，形成于所述透明电极的上部；栅绝缘膜，形成于所述栅电极的上部；半导体层，形成于所述栅绝缘膜的上部；源/漏电极，一端与所述半导体层连接，另一端与所述像素区域的透明电极连接；第一像素限定膜，覆盖所述源/漏电极的上部，形成有开口部以使所述透明电极向外部露出从而限定所述像素区域；光阻断层，形成于所述第一像素限定膜的上部；第二像素限定膜，形成于所述第一像素限定膜以及所述光阻断层的上部；以及有机发光层，在所述开口部形成于所述透明电极的上部；其中，相比所述第一像素限定膜以及所述第二像素限定膜，所述光阻断层的端部向远离所述开口部的中心的方向缩进。12.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，所述第一像素限定膜以及所述第二像素限定膜由光敏聚酰亚胺类、丙烯酰基类、硅氧烷类以及酚醛清漆类中的一种以上物质形成。13.根据权利要求12所述的有机电致发光显示装置，其中，所述第一像素限定膜以及所述第二像素限定膜由相同的物质形成。14.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，所述光阻断层由介电率在3.0以下的物质形成。15.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，基于孟赛尔表色系，所述光阻断层的明度在3以下。16.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，所述光阻断层由黑色物质形成。17.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，所述光阻断层阻断波长为350nm至450nm的光。18.根据权利要求11所述的有机电致发光显示装置，其中，所述半导体层是由氧化物组成的氧化物半导体层。19.一种有机电致发...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴容佑，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：