【技术实现步骤摘要】
本技术属于IGBT的应用
技术介绍
近年来由于电カ电子的大力发展,使得半导体的应用急剧增加,可是由于生产エ艺的问题,半导体器件的耐压能力在很多情况下达不到使用的要求,特别是在电カ与电机控制中起着决定性作用的IGBT更是如此,在应用较高电压时就必须串联使用,以便达到多级分压,从而达到适应较高电压的目的。但由于多个IGBT的串联使得生产成本大幅提高。
技术实现思路
根据上述的实际情况,本专利技术提供了ー种在一定情况下可以在不増加IGBT使用数量的前提下将电路耐压值提高一倍的方法。本方法的技术方案是在IGBT的输入与输出云端串入一个全桥,这样IGBT与全桥就形成了ー个直流回路,由于全桥的介入,使得整体回路中都变成了双IGBT同向串联电路,但IGBT的总数量却没有増加,而工作电压却是由两个IGBT同时承担,从而起到了分压作用。附图说明附图为直流回转分压法的电原理结构中的(I)、(6)、(11)为斩波IGBT,(2)、(7)、(12)为 RC 电路,(3)、(8)、(13)为单相回转桥,(4)、(9)、(14)为RC电路,(5)、(10)、(15)为供电电源,(16) ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张玉龙,
申请(专利权)人:盘锦恒岳科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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