【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子
，涉及一种太阳能电池的制作，特别是一种基于GaN纳米柱的以无机物、有机物为材料的体异质结型反转结构太阳能电池的制作方法。具体地说是在以蓝宝石或氧化铟锡ITO导电玻璃为衬底的GaN外延层上通过刻蚀工艺形成GaN纳米柱结构，并在其上面旋涂有机光伏导电薄膜，从而实现光伏特性。
技术介绍
现代工业发展对能源的依赖程度不断加大，如何获取能源逐渐成为各国关注的首要问题。一方面，由于化石燃料的总量在全球范围内短时间很难增加，且随着开采量的不断加大，其获取难度也随之增加。另一方面，人们对环境的重视程度相比以前有了很大提高，碳基能源燃烧过程中带来的二氧化碳和一系列硫化物对全球环境已经产生了不可忽视的破坏性作用，如何得到对环境无污染的绿色能源已经成为各国争相研究的课题。在这样的大环境下，具有安全、可靠、无污染等特点的太阳能逐渐走进了人们的视线，其制造简单、成本低廉的优势也预示着在未来能源工业中终将占有重要地位。目前，常规的薄膜太阳能电池存在着一些缺陷。首先，常规的薄膜太阳能电池一般是以氧化铟锡ITO导电玻璃作为基底，通过在其上面旋涂有机光伏材料并在最外层...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冯倩，张璐，邢韬，李倩，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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