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低频无极灯镇流器制造技术

技术编号:7618753 阅读:193 留言:0更新日期:2012-07-28 20:26
本发明专利技术涉及电子镇流器,具体为一种低频无极灯镇流器,解决了在低频无极灯首次启动时,镇流器中的MOS管驱动电路驱动电压不足,不能获得稳定的13.5V供电电压的问题。一种低频无极灯镇流器,包括EMC滤波电路,桥式整流电路,直流升压电路,包含FM2822芯片(U2)的MOS管驱动电路,MOS管功率输出电路,第三晶体三极管(BG3),15V第三稳压管(DW3),第五电容(C5),第八晶体二极管(D8)和第一零五电阻(R105);还包括第二复合晶体三极管(BG2)及13.5V控制电路。本发明专利技术结构简单、设计合理、成本低廉,大大提高了无极灯的启动性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子镇流器,具体为一种低频无极灯镇流器
技术介绍
低频无极灯是一种长寿命、高光效、高显色指数、无光闪、节能环保、可做大功率输出的新型光源。现有低频无极灯主要由镇流器、耦合器、灯管三部分组成。如图I所示,镇流器包括EMC滤波电路、桥式整流电路、直流升压电路、MOS管驱动电路、MOS管功率输出电路、第三晶体三极管BG3、15V第三稳压管DW3及第五电容C5。EMC 滤波电路由第一跨线电容Cl、第一共模电感器LI、第二跨线电容C2、第二共模电感器L2及第三跨线电容C3依次连接组成。桥式整流电路由四个整流二极管D1、D2、D3、D4连接组成。 直流升压电路是包括L6561D芯片Ul、第三高频变压器T3、第一 MOS管Ql、第六晶体二极管 D6、第九晶体二极管D9的400V升压典型应用电路,其中,第三高频变压器T3的初级绕组一端与第六晶体二极管D6的阳极端连接,第六晶体二极管D6的阴极端是直流升压电路输出端A (启动后输出直流电压400V);第三高频变压器T3的次级绕组一端接地、其另一端与第九晶体二极管D9的阳极端连接,第九晶体二级管D9的阴极端是高频变压器次级绕组输出端B (启动后输出直流电压25伏),第九晶体二极管D9的阴极端经第四电容C4接地。MOS 管驱动电路包括FM2822芯片U2。MOS管功率输出电路包括第二 MOS管Q2、第三MOS管Q3、 第四高频变压器T4,其中,第二 MOS管Q2的源极S和第三MOS管Q3的漏极D的公共端为 MOS管功率输出电路的输出端,即镇流器的输出端。现有低频无极灯的镇流器连接结构如下EMC滤波电路的第一、二输出端分别与桥式整流电路的第一、二输入端连接,桥式整流电路的第一输出端接地、其第二输出端与直流升压电路的输入端连接,高频变压器次级绕组输出端B与第三晶体三极管BG3的集电极连接,第三晶体三极管BG3的基极经15V第三稳压管DW3接地,且第三晶体三极管BG3的基极和集电极之间并联第一零五电阻R105,15V第三稳压管DW3两端并联第五电容C5 ;第三晶体三极管BG3的发射极与MOS管驱动电路中的FM2822芯片U2的第十二引脚连接,且第三晶体三极管BG3的发射极经第八晶体二极管D8与直流升压电路中的L6561D芯片Ul的第八引脚连接;直流升压电路的输出端A与MOS管功率输出电路中的第二 MOS管Q2的漏极D连接,MOS管驱动电路中FM2822芯片U2的第九、i^一引脚分别与MOS管功率输出电路连接,MOS管功率输出电路的输出端即为现有镇流器的输出端。现有低频无极灯的工作原理是220V交流电经EMC滤波电路、桥式整流电路、直流升压电路后,由直流升压电路输出端A输出400V电压对MOS管功率输出电路供电,同时,直流升压电路中的高频变压器次级绕组输出端B输出25V电压,触发第三晶体三极管BG3导通,向MOS管驱动电路输入13. 5V电压,进而MOS管驱动电路驱动MOS管功率输出电路输出射频电流至耦合器,使耦合器产生一个交变磁场,该交变磁场感应到无极灯V的灯管内,使无极灯V的灯管内的气体发生电离,从而激发荧光粉发出可见光。3现有低频无极灯镇流器存在如下缺点镇流器中,MOS管驱动电路由13. 5V电压驱动供电,13. 5V电压由直流升压电路中高频变压器的一组绕组获得,通过第三晶体三极管 BG3输出13. 5V电压,然而稳定的13. 5V电压需等到无极灯启辉以后,即400V直流电压有了负载以后才能获得,所以,在无极灯首次启动时,经多次测试,第三晶体三极管BG3输出电压均低于10V,是一个逐渐增大到13. 5V电压的过程。同样,首次启动时,400V直流电压也不足,这是因为13. 5V电压与400V直流电压都接有滤波电容,充满电需要一定的时间。所以,无极灯首次启动时,第三晶体三极管BG3多次输出电压均达不到设计值13. 5V,就很容易造成MOS管的驱动电压不足,使其不能彻底导通,同时,直流升压电路输出端A输出的直流电压小于400V,造成镇流器对耦合器输出的电流偏小,又给无极灯启辉带来一定的困难, 如此不良循环,MOS管驱动电路由于导通不够,极易击穿,造成镇流器烧毁。因此,有必要对现有的镇流器做一些改进,提高低频无极灯的启动性能。
技术实现思路
本专利技术为了解决在低频无极灯首次启动时,镇流器中的MOS管驱动电路驱动电压不足,不能获得稳定的13. 5V供电电压的问题,提供了一种新型的低频无极灯镇流器。本专利技术是采用如下技术方案实现的一种低频无极灯镇流器,包括EMC滤波电路, 桥式整流电路,直流升压电路,包含FM2822芯片U2的MOS管驱动电路,MOS管功率输出电路,第三晶体三极管BG3,15V第三稳压管DW3,第五电容C5,第八晶体二极管D8和第一零五电阻R105。所述直流升压电路包含L6561D芯片Ul、第三高频变压器T3、第一 MOS管Q1、第六晶体二极管D6、第九晶体二极管D9 ;其中,第三高频变压器T3的初级绕组一端与第六晶体二极管D6的阳极端连接,第六晶体二极管D6的阴极端是直流升压电路的输出端A ;第三高频变压器T3的次级绕组一端接地、其另一端与第九晶体二极管D9的阳极端连接,第九晶体二级管D9的阴极端是高频变压器次级绕组输出端B。所述EMC滤波电路连接桥式整流电路,桥式整流电路连接直流升压电路,直流升压电路输出端A与MOS管功率输出电路的输入端连接,直流升压电路中高频变压器次级绕组输出端B与第三晶体三极管BG3的集电极连接,第三晶体三极管BG3的发射极与MOS管驱动电路输入端连接且通过第八晶体二极管D8与直流升压电路中L6561D芯片Ul的第八引脚连接,第三晶体三极管BG3的基极通过15V第三稳压管DW3接地,15V第三稳压管DW3 两端并联第五电容C5,MOS管驱动电路连接MOS管功率输出电路。还包括第二复合晶体三极管BG2及13. 5V控制电路。所述第二复合晶体三极管BG2用于直接替换第三晶体三极管BG3。所述13. 5V控制电路包括由第一零一电阻RlOl和第一零二电阻R102串联构成的第一电压米样电路、第一晶体三极管BGl及光电稱合器ICl。第一电压采样电路的一端与直流升压电路输出端A连接、其另一端接地,且当直流升压电路输出端A输出电压为400V时,第一零一电阻RlOl和第一零二电阻R102的中间节点的电压为20V。第一晶体三极管BGl的基极经第一零三电阻R103和18V第二稳压管DW2与第一零一电阻RlOl和第一零二电阻R102的中间节点连接,第一晶体三极管BGl的集电极与光电耦合器ICl中的发光二极管DlOl的阴极连接,第一晶体三极管BGl的发射极接地,第一晶体三极管BGl的基极与发射极之间并联第一零二电容C102。光电耦合器ICl中发光二极管DlOl的阳极端经第一零四电阻R104和18V第一稳压管DWl与高频变压器次级绕组输出端B连接,且发光二极管DlOl的阳极端与地之间并联有第一零一电容C101。光电耦合器ICl中光敏三极管BG4的集电极与第二复合晶体三极管BG2的集电极连接,且其发射极经第一零五电阻R105与第二复合晶体三极管BG2的基极连接。工作时,无极灯首次启动时,在13. 5V控制电路作用下,第二复合晶体三极管BG2 可以直接输出稳本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:洪路张天龙
申请(专利权)人:洪路张天龙
类型:发明
国别省市:

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