控制太阳能真空管空晒温度的方法技术

技术编号:7585192 阅读:1244 留言:0更新日期:2012-07-20 05:41
本发明专利技术提供了一种控制太阳能真空管空晒温度的方法。该方法是通过改变太阳能真空管吸热体背部表面的发射率,来控制太阳能真空管的空晒温度。采用本发明专利技术的方法,能够有效控制真空集热管的空晒温度,使得该空晒温度低于系统能够承受的设定温度,从而延长太阳能真空集热管系统的使用寿命,并降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于太阳能应用领域,具体地讲有关于ー种。
技术介绍
目前,太阳能真空管的加热不受控是太阳能热利用装置制造和系统设计考虑的首要考虑问题。由于太阳光谱选择性吸收涂层吸收率高,涂层的发射率低,(吸收率大于 96%、发射率小于6% ),采用这类太阳光谱选择性吸收涂层的真空管集热器的虽然效率比较高,但是空晒温度也很高,在太阳辐照度为800W/m2吋,空晒温度可达到300°C以上。太阳能真空管集热器的空晒温度过高,使得系统存在如下问题1、温度高,需要选用耐高温的材料,造成成本高;2、温度高造成系统内部的压カ高,使得需提高系统承压能力,造成成本高。3、高温高压,造成系统寿命短、可靠性降低、维护费用提高等。如何保持真空管集热器低温工作时的高效率,并在设定的高温段效率较低,从而降低在无负荷(热沉)时的空晒温度,是目前需要解决的问题。因此,有必要提供ー种方法,来根据实际需要来控制太阳能真空管的空晒温度,以避免上述因为空晒温度过高而产生多种问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在干,提供一种,其能够有效控制真空集热管的空晒温度,从而延长太阳能真空集热管系统的使用寿命,并降低制造成本。经研究发现,金属物质的辐射都发生在表面的几微米之内,因此发射率值的大小取决物质的表面状态。并且,金属材料的表面发射率会随者温度变化,一般是随着温度升高,总发射率都要増大。有两个因素促使总发射率的这ー増大,第一,温度比较高吋,表面发射的辐射能中有比较大的一部分集中在短波范围内,而在任何温度下金属的单色发射率的最大值都出现在这一范围内;第二,所有波长的单色发射率都随温度的升高而増大。总发射率数值表权利要求1.一种,其特征在于,该方法是通过改变太阳能真空管吸热体背部表面的发射率,来控制太阳能真空管的空晒温度。2.如权利要求1所述的,其特征在于,通过增加太阳能真空管吸热体背部表面的发射率,来降低太阳能真空管的空晒温度。3.如权利要求1或2所述的,其特征在于,通过改变太阳能真空管吸热体背部表面的表面状态来改变该表面的发射率。4.如权利要求3所述的,其特征在于,通过机械和/ 或化学处理,来改变太阳能真空管吸热体背部表面的表面状态。5.如权利要求3所述的,其特征在于,通过改变太阳能真空管吸热体背部表面的表面粗糙度来改变该表面的发射率。6.如权利要求3所述的,其特征在于,通过增加太阳能真空管吸热体背部表面的氧化程度来改变该表面的发射率。7.如权利要求1所述的,其特征在于,通过在太阳能真空管吸热体背部表面进行真空镀膜,来增加该表面的发射率。8.如权利要求1所述的,其特征在于,通过在太阳能真空管吸热体背部表面进行真空镀膜,使该表面某个温度点的发射率增加。9.如权利要求1所述的,其特征在于,通过实验找到,在确定吸热体正面太阳光谱选择性吸收涂层性能的情况下,与设定空晒温度对应的吸热体背部表面的设定表面发射率值,然后通过改变吸热体背部表面的表面状态来使得吸热体背部表面的发射率值大于或等于设定发射率值,从而控制空晒温度。10.如权利要求1所述的,其特征在于,可通过电镀、电子束蒸发、氧化、烧结、喷涂或磁控溅射的方法,来改变太阳能真空管吸热体背部表面的发射率。全文摘要本专利技术提供了一种。该方法是通过改变太阳能真空管吸热体背部表面的发射率,来控制太阳能真空管的空晒温度。采用本专利技术的方法,能够有效控制真空集热管的空晒温度,使得该空晒温度低于系统能够承受的设定温度,从而延长太阳能真空集热管系统的使用寿命,并降低制造成本。文档编号F24J2/46GK102589166SQ20111000855公开日2012年7月18日 申请日期2011年1月14日 优先权日2011年1月14日专利技术者孙伟, 葛洪川, 蒋富林 申请人:北京金阳科创太阳能技术有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:葛洪川蒋富林孙伟
申请(专利权)人:北京金阳科创太阳能技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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