一种导电多壁管制造技术

本实用新型专利技术公开一种导电多壁管，包括位于内层的绝缘层和位于外层的导电层。导电多壁管进一步包括导磁层，导磁层在导电多壁管内的结构方式包括以下几种：第一种，导磁层设于绝缘层和导电层之间；第二种，导磁层邻近绝缘层的内壁面设置；第三种，导磁层邻近导电层的外壁面设置。本实用新型专利技术导电多壁管的绝缘层能够起到绝缘密封的作用，导电层能够屏蔽高频电磁信号。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种多壁管，尤其涉及一种导电多壁管。
技术介绍
目前，导磁多壁热缩管用于屏蔽电磁元器件工作时产生的磁场，使待保护器件既不对其它元器件产生电磁干扰，也保护待保护器件不受其它元器件的电磁干扰。然而，上述导磁多壁热缩管的导磁功能主要屏蔽低频电磁信号，对高频电磁信号的屏蔽有限。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种能够屏蔽高频电磁信号的导电多壁管。为实现上述目的，本技术所提供导电多壁管包括位于内层的绝缘层和位于外层的导电层。优选地，所述导电多壁管包括导磁层，导磁层在导电多壁管内的结构方式包括以下几种第一种，所述导磁层设于所述绝缘层和导电层之间。第二种，所述导磁层邻近所述绝缘层的内壁面设置。第三种，所述导磁层邻近所述导电层的外壁面设置。优选地，所述导电多壁管为导电多壁热缩管。优选地，所述绝缘层为热熔胶层、PVC层或PET层。优选地，所述导电层由复合型导电高分子材料制成。优选地，所述导磁层由高导磁率高分子材料制成。如上所述，本技术导电多壁管包括位于内层的绝缘层和位于外层的导电层， 导电层能够屏蔽高频电磁信号。附图说明图1为本技术导电多壁管第一实施例的示意图；图2为本技术导电多壁管第二实施例的示意图；图3为本技术导电多壁管第三实施例的示意图；图4为本技术导电多壁管第四实施例的示意图。图中各附图标记说明如下绝缘层10导电层20导磁层30/30，/30”具体实施方式为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1，其揭示了本技术导电多壁管的第一实施例，包括位于内层的绝缘层10和位于外层的导电层20。导电多壁管可为导电多壁热缩管，也可为普通导电多壁管。绝缘层10可为热熔胶层、PVC层或PET层，主要起绝缘密封作用。导电层20可由复合型导电高分子材料制成，能够对高频信号进行有效的屏蔽。复合型导电高分子材料是指经物理改性后具有导电性的高分子复合材料，它以非导电型高分子材料为基体，加入一定数量的导电材料。导电材料包括碳系导电材料(石墨、炭黑、碳纤维)、金属系导电材料(金属粉、金属纤维、金属氧化物)等。请参阅图2，其揭示了本技术导电多壁管的第二实施例，本实施例与第一实施例类似，其区别在于导电多壁管进一步包括导磁层30，导磁层30设于绝缘层10和导电层 20之间。导磁层30可由高导磁率高分子材料制成。导磁层30可由高导磁率高分子材料制成。高导磁率高分子材料是以高分子材料为基材，加入一定数量的高导磁率材料共混而成。高导磁率材料包括锰锌铁氧体材料、镍锌铁氧体材料、铜锌铁氧体材料、铁硅铝材料、羰基铁等。请参阅图3，其揭示了本技术导电多壁管的第三实施例，本实施例与第一实施例类似，其区别在于导电多壁管进一步包括导磁层30’，导磁层30’邻近绝缘层10的内壁面设置。请参阅图4，其揭示了本技术导电多壁管的第四实施例，本实施例与第一实施例类似，其区别在于导电多壁管进一步包括导磁层30”，导磁层30”邻近导电层20的外壁面设置。导磁层30”可由高导磁率高分子材料制成。本技术导电多壁管第二实施例、第三实施例、第四实施例具有能够对高频信号进行有效的屏蔽导电层20，同时进一步包括能够对低频信号进行有效屏蔽的导磁层 30/30’ /30”，能够对高频信号、低频信号进行全方位的屏蔽。本技术导电多壁管的形状并不局限于圆筒状，根据需要其截面形状也可为N 边菱形状(N彡3，N为自然数)。本技术并不局限于上述具体实施方式，熟悉本
的人员还可据此做出多种变化，但任何与本技术等同或相类似的变化都应涵盖在本技术权利要求的范围内。权利要求1.一种导电多壁管，其特征在于包括位于内层的绝缘层和位于外层的导电层。2.如权利要求1所述的导电多壁管，其特征在于所述电电多壁管进一步包括导磁层。3.如权利要求2所述的导电多壁管，其特征在于所述导磁层设于所述绝缘层和导电层之间。4.如权利要求2所述的导电多壁管，其特征在于所述导磁层邻近所述绝缘层的内壁面设置。5.如权利要求2所述的导电多壁管，其特征在于所述导磁层邻近所述导电层的外壁面设置。6.如权利要求1、2、3、4或5所述的导电多壁管，其特征在于所述导电多壁管为导电多壁热缩管。7.如权利要求6所述的导电多壁管，其特征在于所述绝缘层为热熔胶层、PVC层或 PET 层。8.如权利要求6所述的导电多壁管，其特征在于所述导电层由复合型导电高分子材料制成。9.如权利要求6所述的导电多壁管，其特征在于所述导磁层由高导磁率高分子材料制成。专利摘要本技术公开一种导电多壁管，包括位于内层的绝缘层和位于外层的导电层。导电多壁管进一步包括导磁层，导磁层在导电多壁管内的结构方式包括以下几种第一种，导磁层设于绝缘层和导电层之间；第二种，导磁层邻近绝缘层的内壁面设置；第三种，导磁层邻近导电层的外壁面设置。本技术导电多壁管的绝缘层能够起到绝缘密封的作用，导电层能够屏蔽高频电磁信号。文档编号H05K9/00GK202340363SQ20112050836公开日2012年7月18日 申请日期2011年11月24日 优先权日2011年11月24日专利技术者周和平, 张定雄, 张明明, 陈锦龙, 饶喜梅 申请人:深圳市沃尔核材股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈锦龙，张定雄，张明明，饶喜梅，周和平，
申请(专利权)人：深圳市沃尔核材股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：