本发明专利技术提供电气可靠性改善的结构体。本发明专利技术的一实施方式涉及的结构体具有包含无定形状态的氧化硅、弹性模量为45GPa以下的第1无机绝缘层11a。本发明专利技术的一个实施方式涉及的结构体的制造方法具有：将包含含有无定形状态的氧化硅的第1无机绝缘粒子14a的无机绝缘溶胶11x涂布的工序，和通过在小于氧化硅的结晶化开始温度下加热第1无机绝缘粒子14a而使它们相互连接，从而形成包含无定形状态的氧化硅、弹性模量为45GPa以下的第1无机绝缘层11a的工序。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在电子设备(例如各种视听设备、家电设备、通信设备、计算机设备及其周边设备)、输送机、建筑物等所有物体中使用的。
技术介绍
目前为止，作为用于电子设备的布线基板，已知具有树脂层和陶瓷层的布线基板。例如，日本特开平2-253941号公报中记载了在金属箔的一面喷镀陶瓷而形成陶瓷层，以与该金属箔的陶瓷层侧相接的方式层叠预浸坯料，进行热压成型而形成的布线基板。但是，一般地，由于陶瓷层与树脂层的粘合強度低，因此对布线基板施加了应カ的情形下，陶瓷层与树脂层容易剥离。因此，由于该剥离引起布线中容易发生断线，致使布线基板的电气可靠性容易降低。因此，优选提供电气可靠性改进的布线基板。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术通过提供电气可靠性改善的结构体，从而解决了上述要求。用于解决课题的手段本专利技术的一个实施方式涉及的结构体具有包含无定形状态的氧化硅、且弹性模量为45GPa以下的无机绝缘层。本专利技术的一个实施方式涉及的结构体的制造方法具有将包含含有无定形状态的氧化硅的无机绝缘粒子的无机绝缘溶胶涂布的エ序，以及通过在小于氧化硅的结晶化开始温度下加热上述无机绝缘粒子而使它们相互连接，从而形成包含无定形状态的氧化硅、且弾性模量为45GPa以下的无机绝缘层的エ序。专利技术的效果根据上述构成，能够提供电气可靠性改善的结构体。 附图说明图IA是将具有本专利技术的第1实施方式涉及的布线基板的安装结构体沿厚度方向切断的剖面图，图IB是放大表示图IA中所示的安装结构体的Rl部分的剖面图。图2A示意地表示2个第1无机绝缘粒子结合的情況，图2B是放大表示图IA中所示的安装结构体的R2部分的剖面图。图3是放大表示图IB中所示的安装结构体的R3部分的剖面图。图4A-图4F是说明图IA中所示的布线基板的制造エ序的沿厚度方向切断的剖面图。图5A-图5C是说明图IA中所示的布线基板的制造ェ序的沿厚度方向切断的剖面图。图6A和图6B是说明图IA中所示的布线基板的制造エ序的沿厚度方向切断的剖面图。图7A和图7B是对将试样1的层叠板沿厚度方向切断的剖面的一部分用场致发射型电子显微镜拍摄的照片。图8A是将图7B的R4部分放大的照片，图8B是对将试样2的层叠板沿厚度方向切断的剖面的一部分用场致发射型电子显微镜拍摄的照片。图9A是将图8B的R5部分放大的照片，图9B是对将试样3的层叠板沿厚度方向切断的剖面的一部分用场致发射型电子显微镜拍摄的照片。图IOA是对将试样4的层叠板沿厚度方向切断的剖面的一部分用场致发射型电子显微镜拍摄的照片，图IOB是将图IOA的R6部分放大的照片。图IlA是对将试样5的层叠板沿厚度方向切断的剖面的一部分用场致发射型电子显微镜拍摄的照片，图IlB是对将试样6的层叠板的无机绝缘层沿厚度方向切断的剖面的一部分用场致发射型电子显微镜拍摄的照片。图12A是对将试样7的层叠板的无机绝缘层沿厚度方向切断的剖面的一部分用场致发射型电子显微镜拍摄的照片，图12B是对将试样8的层叠板的无机绝缘层沿厚度方向切断的剖面的一部分用场致发射型电子显微镜拍摄的照片。图13A是对将试样9的层叠板的无机绝缘层沿厚度方向切断的剖面的一部分用场致发射型电子显微镜拍摄的照片，图13B是对将试样10的层叠板的无机绝缘层沿厚度方向切断的剖面的一部分用场致发射型电子显微镜拍摄的照片。图14是采用激光拉曼分光装置对第1无机绝缘粒子进行分析的測定結果。图15是采用激光拉曼分光装置对第2无机绝缘粒子进行分析的測定結果。具体实施例方式以下根据附图对本专利技术的一个实施方式涉及的布线基板详细说明。图IA中所示的布线基板3在例如各种视听设备、家电设备、通信设备、计算机装置或其周边设备等电子设备中使用。该布线基板3包含芯基板5和在芯基板5的上下面形成的ー对布线层6，具有支持电子部件2同时将用于驱动或控制电子部件2的电源、信号供给于电子部件2的功能。需要说明的是，电子部件2是例如IC或LSI等半导体元件，在布线基板3经由焊料等导电材料形成的凸点4进行倒装片式安装。该电子部件2的母材由例如硅、锗、镓砷、 镓砷磷、氮化镓或碳化硅等半导体材料形成。以下对布线基板3的构成详细说明。(芯基板)芯基板5提高布线基板3的刚性的同时，实现ー对布线层6间的导通，其包含支持布线层6的基体7、设置于基体7的通孔、设置在该通孔内且将ー对布线层6彼此电连接的筒状的通孔导体8和被该通孔导体8包围的绝缘体9。基体7具有树脂基体10、在该树脂基体10上下面设置的第1无机绝缘层Ila和以在基体7的最外层配置的方式设置于该第1无机绝缘层Ila的一主面的第1树脂层12a。树脂基体10形成基体7的主要部分，包含例如树脂部和由该树脂部被覆的基材。树脂基体10的厚度设定为例如0. Imm以上3. Omm以下，在平面方向上的热膨胀率设定为例如3ppm/°C以上20ppm/°C以下，在厚度方向上的热膨胀率设定为例如30ppm/°C以上 50ppm/°C以下，介电损耗正切设定为例如0. 01以上0. 02以下。其中，树脂基体10的热膨胀率使用市售的TMA(Thermo-Mechanical Analysis)装置，采用根据JISK7197-1991的測定方法測定。此外，树脂基体10的介电损耗正切采用根据JISR1627-1996的共振器法測定。以下以第1和第2树脂层12a、12b，第1和第2无机绝缘层IlaUlb为代表的各构件的热膨胀率和介电损耗正切与树脂基体10同样地測定。树脂基体10的树脂部可由例如环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、氰酸酯树脂、 聚苯醚树脂、全芳香族聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂等热固化性树脂形成。将上述树脂部的弹性模量设定为例如0. IGPa以上5GPa以下，将硬度设定为例如0. 02GPa以上0. 5GPa以下， 将厚度方向和平面方向上的热膨胀率设定为例如20ppm/°C以上50ppm/°C以下。其中，树脂基体10的树脂部的弹性模量和硬度采用根据IS014577-1 :2002的以下的方法測定。首先，将树脂基体10的树脂部沿厚度方向切断，用氩离子对切断面进行研磨。接下来，使用纳米压痕仪，对该纳米压痕仪的由金刚石制成的BerkoviCh压头施加载荷，将该压头向研磨面压入。接着，通过用对压入的压头施加的载荷除以该压头的接触投影面积，从而算出硬度。此外，由压入时的载荷与压入深度的关系求出载荷-位移曲线，由该载荷-位移曲线算出弹性模量。该测定可使用例如MTS公司制纳米压痕仪XP。以下以第1 和第2树脂层12a、12b，第1和第2无机绝缘层1 la、1 Ib为代表的各构件的弹性模量和硬度与树脂基体10的树脂部同样地測定。树脂基体10中所含的上述基材用于使树脂基体10的平面方向的热膨胀率减小的同吋，提高树脂基体10的刚性。上述基材可由例如多个纤维形成的织布或无纺布或者将多个纤维在一方向上排列的纤维组形成。作为上述纤维，可使用例如玻璃纤维、树脂纤维、碳纤维或金属纤维等。本实施方式中，树脂基体10还含有由无机绝缘材料形成的多个第1填料粒子构成的第1填料13a。其结果能够使树脂基体10的热膨胀率减小，同时提高树脂基体10的刚性。第1填料粒子可由例如氧化硅、氧化铝、氮化铝、氢氧化铝或碳酸钙等无机绝缘材料形成。将第1填料粒子的粒径设定为例如0. 5本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：林桂，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：
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