ITO图形显性消除工艺制造技术

一种ITO图形显性消除工艺，其特征在于它包括如下的步骤：使用通用平板清洗设备依次进行如下的分段式清洗基板，喷淋压力设置：1～1.8kg，带速：1.5～3m/min；采用通用涂胶装置和刮涂+旋涂方式涂胶，旋涂速度：700～800转，旋涂时间：8～10S，膜厚控制在1.8～2.2um；光学膜层的材料为：有机高透明绝缘材料，其折射率为1.65～1.75；采用遂道式紫外线热板烘烤，IR烘烤温度：110℃，烘烤时间为100-120秒；采用平行光曝光，可控波长I线365nm，工艺参数为：曝光量：150～300mj，基板和掩膜板的间隙为：150-300um；显影工艺要求：显影液浓度：0.7％氢氧化钾KOH，显影温度：24℃，显影时间：90-110秒；固化温度为220-240℃：固化时间为：40-60分钟。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种ITO图形显性消除工艺，它属于电子触摸屏加工
，特别是为了消除电容屏ITO X/Y电极图形，在反射光下图形显性明显的技术。
技术介绍
ITO即氧化铟锡是所有电容技术触摸屏都用到的主要材料，实际上电阻和电容技术触摸屏的工作面就是ITO涂层针。由于ITO图形视角明显现象，即电容屏ITO X/Y电极图形，在反射光下图形显性明显的问题，在加工生产电子触摸屏时，需要使用ITO图形显性消除技术。对ITO图形显性消除技术方面，目前采用的方法多样化，采用光学薄膜贴附在贴合反面，解决图形显性问题，具体操作方式将ITO Sensor即氧化铟触摸屏的锡贴合面朝上， 取光学薄膜均勻涂覆在ITO knsor非贴合面，通过光学反射效果，在视角方面，改变ITO图形明显程度，此种方式主要存在几方面问题1)增加客户加工成本；幻贴膜过程，效率低且有一定的良率损失；3)透过率低；由于上述的原因，目前生产电子触摸屏其整体产品成本性都有所影响，同时也影响到了最终产品的质量。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种加工成本低，良率损失少，可以保证产品品质的ITO图形显性消除工艺。本专利技术的目的是这样实现的一种ITO图形显性消除工艺，其特征在于它包括如下的步骤A 基板清洗采用由氧化铟锡ITO+玻璃基板GLASS+氧化铟锡ITO+绝缘材料INS+钼铝钼膜层 MOALMO构成的基板，使用通用平板清洗设备依次进行如下的分段式清洗滚刷刷洗、纯水喷淋、超声波清洗、纯水喷淋、高压喷淋、中压喷淋、纯水喷淋、末端纯水喷淋；清洗的工艺参数为喷淋压力设置:1 1. 8kg，带速1. 5 3m/min ；B 涂光学膜层采用通用涂胶装置和刮涂+旋涂方式进行涂胶，工艺参数为旋涂速度700 800转，旋涂时间8 10S，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在1. 8 2. 2um ；光学膜层的材料为有机高透明绝缘材料，其折射率为1. 65 1. 75 ；C: IR 烘烤采用遂道式紫外线热板烘烤，即紫外光透掩膜板MASK使光学膜层内组成溶剂初步挥发，使光学材料表面初步硬化，工艺参数JR烘烤温度110°C，烘烤时间为100-120 秒；D:曝光采用紫外光透掩膜板MASK，掩膜板图形根据客户图形要求制作，照射在基板上，曝光为平行光，可控波长I线365nm，工艺参数为曝光量150 300mj，基板和掩膜板的间隙，即 GAP 量:150-300um ；E 显影首先依次通过显影喷淋段，纯水喷淋段，高压喷淋，中压喷淋，纯水喷淋，风干步骤使未曝光部分的光学材料去除，保留曝光部位光学材料；显影工艺要求显影液浓度 0. 7%氢氧化钾Κ0Η，显影温度:M°C，显影时间:90-110秒；F:固化采用固化炉进行膜层硬化处理，使光学膜层充分硬化，组成溶济充分挥发；工艺参数固化温度为220-240°C 固化时间为40-60分钟。所述的ITO图形显性消除工艺各步骤中采用的具体工艺参数为基板清洗喷淋压力设置1kg，带速1. 5m/min ；涂光学膜层的工艺参数为旋涂速度700转，旋涂时间8 秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在1.8um，光学膜层的材料的折射率为1.65 JR烘烤的工艺参数JR烘烤温度110°C，烘烤时间为100秒；曝光的工艺参数为 曝光量150mj，基板和掩膜板的间隙，即GAP量150um ；显影工艺要求显影液浓度0. 7% 氢氧化钾Κ0Η，显影温度M°C，显影时间90秒；工艺参数固化温度为220°C 固化时间为40分钟。所述的ITO图形显性消除工艺，各步骤中采用的具体工艺参数为基板清洗喷淋压力设置Ukg，带速3m/min ；涂光学膜层的工艺参数为旋涂速度800转，旋涂时间 10秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在2. 2um，光学膜层的材料的折射率为1. 70 JR烘烤的工艺参数JR烘烤温度110°C，烘烤时间为120秒；曝光的工艺参数为曝光量300mj，基板和掩膜板的间隙，即GAP量300um ；显影工艺要求显影液浓度 0. 7%氢氧化钾Κ0Η，显影温度M°C，显影时间110秒；工艺参数固化温度为240°C 固化时间为60分钟。所述的ITO图形显性消除工艺各步骤中采用的具体工艺参数为基板清洗喷淋压力设置1. 4kg，带速2m/min ；涂光学膜层的工艺参数为旋涂速度750转，旋涂时间9 秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在2. Oum，光学膜层的材料的折射率为1. 75 JR烘烤的工艺参数IR烘烤温度100°C，烘烤时间为110秒；曝光的工艺参数为 曝光量220mj，基板和掩膜板的间隙，即GAP量220um ；显影工艺要求显影液浓度0. 7% 氢氧化钾K0H，显影温度M°C，显影时间100秒；工艺参数固化温度为230°C 固化时间为50分钟。本专利技术实现了光学材料均勻覆盖在ITO图案上，且达到消除底影的目的；本专利技术的贴膜过程，效率高；所生产的膜透过率高，同时克服了现有产品局限性不足，在产品外观方面有了质的飞越，大大降低了客户的开模成本，有效的提升产品质品。具体实施例方式实施例1 其特征在于它包括如下的步骤A 基板清洗采用由氧化铟锡ITO+玻璃基板GLASS+氧化铟锡ITO+绝缘材料INS+钼铝钼膜层 MOALMO构成的基板，使用通用平板清洗设备依次进行如下的分段式清洗滚刷刷洗、纯水喷淋、超声波清洗、纯水喷淋、高压喷淋、中压喷淋、纯水喷淋、末端纯水喷淋；清洗的工艺参数为喷淋压力设置1kg，带速1. 5m/min ；B 涂光学膜层采用通用涂胶装置和刮涂+旋涂方式进行涂胶，工艺参数为旋涂速度700转，旋涂时间8秒，主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在1. Sum;光学膜层的材料为有机高透明绝缘材料，其折射率为1. 65 ；C: IR 烘烤采用遂道式紫外线热板烘烤，即紫外光透掩膜板MASK使光学膜层内组成溶剂初步挥发，使光学材料表面初步硬化，工艺参数JR烘烤温度110°C，烘烤时间为100 ；D 曝光采用紫外光透掩膜板MASK，掩膜板图形根据客户图形要求制作，照射在基板上，曝光为平行光，可控波长I线365nm，工艺参数为曝光量150mj，基板和掩膜板的间隙，也就是 GAP 量150um ；E 显影首先依次通过显影喷淋段，纯水喷淋段，高压喷淋，中压喷淋，纯水喷淋，风干步骤使未曝光部分的光学材料去除，保留曝光部位光学材料；显影工艺要求显影液浓度0.7%氢氧化钾Κ0Η，显影温度M°C，显影时间90秒；F:固化采用固化炉进行膜层硬化处理，使光学膜层充分硬化，组成溶济充分挥发；工艺参数固化温度为220°C 固化时间为40分钟。实施例2 在本实施例中，本专利技术的各步骤中采用的具体工艺参数为基板清洗喷淋压力设置1. m^g，带速3m/min ；涂光学膜层的工艺参数为旋涂速度800转，旋涂时间10秒， 主要目的使基板表面覆盖一层光学膜层，膜厚控制在2. 2um，光学膜层的材料的折射率为1.70 ；IR烘烤的工艺参数JR烘烤温度110°C，烘烤时间为120秒；曝光的工艺参数为曝光量300mj，GAP量300um ；显影工艺要求显影液浓度0. 7%氢氧化钾Κ0Η，显影温度 M°C，显影时间110秒；工艺参数固化温度为240°C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘锡钢，王磊，许东东，黄卫华，
申请(专利权)人：深圳市力合光电传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：