基于铌酸锂光子线的光极化分裂器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于铌酸锂光子线的极化分裂器，由铌酸锂基底、二氧化硅覆层和两条平行的铌酸锂光波导组成，其中，两条平行的铌酸锂光波导的高度均为0.73μm，波导的顶部宽度均为0.5μm；构成该极化分裂器的两条平行的光波导的轴间距Sc＝0.74μm，耦合长度Lc＝49.28μm。适合于该极化分裂器的波导参数是：工作波长为1.55μm；LN波导的折射率nLN＝2.2；SiO2区域的折射率nSiO2＝1.44；可被用于基于铌酸锂光子线的高集成度光路。利用OptiFDTD商用软件仿真了该极化分裂器的电场和磁场分布图。该光定向耦合器不仅具有在工作波长上透射率高的优点，而且具有超紧凑结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光子学
的关键部件之一，具体的说，是一种基于铌酸锂光子线(缩写为LN)的超紧凑光极化分裂器。
技术介绍
LN光子线(即，铌酸锂光波导)1_8正在成为未来集成光子学的候选者，这是由于它具有尺寸结构小，优良的电-光、声-光、及非线性光学特性9，易受稀土元素离子参杂得到激光活性材料1°，特别有希望的高效率设备(甚至在适度光学功率值也可能实现)。显然，基于LN光子线的光极化分裂器是由LN光子线构成的集成光路的一个关键部件。然而， 据申请人所进行的资料检索，到目前为止，尚无关于基于LN光子线的光定向耦合器的相关研究报道。以下是专利技术人检索的相关文献1 P.Rabiei，and W.H. Steier, “Lithium niobate ridge waveguides and modulators fabricated using smart guide，“ App 1. Phys. Lett. Vol. 86，no. 16， pp.161115-161118，Apr 2005。2D.Djukic，G. Cerda-Pons，R. M. Roth, R.M.Osgood本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明，席洁，弟寅，陈乐建，董军，
申请(专利权)人：西安邮电学院，
类型：发明
国别省市：