固态成像器件和制造固态成像器件的方法技术

本发明专利技术提供了固态成像器件和制造固态成像器件的方法。固态成像器件包括：包含杂质扩散层的传感器，其设置在半导体衬底的表面层中；以及含碳的氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜设置在所述传感器上并覆盖所述传感器，其中所述氧化物绝缘膜被设置作为具有固定负电荷的负电荷累积层，并且所述氧化物绝缘膜使用金属氧化物构成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及固态成像器件和和制造固态成像器件的方法。更具体而言，本专利技术涉及其中具有执行光电转换的传感器的、半导体衬底的表面的界面状态可以被补偿的固态成像器件。
技术介绍
在诸如C⑶或CMOS图像传感器的固态成像器件中，已知由光电二极管构成的传感器中的晶体缺陷以及传感器的表面和布置在其上的膜之间的界面处的界面状态成为产生暗电流的原因。空穴积累二极管(HAD)结构被已知作为用于抑制由于界面状态(上述的原因之一)导致的暗电流产生的技术。图8A示出了没有应用HAD结构的结构。在图8A所示的结构中，形成在半导体衬底201的表面侧的传感器203的上部直接由绝缘膜205覆盖。结果，由于在传感器203和绝缘膜205之间的界面处形成的界面状态产生的电子以暗电流的形式流入传感器203。相反，图8B示出了应用了 HAD结构的结构。在图8B所示的结构中，由P型扩散层构成的空穴积累层207被设置在传感器203上以覆盖半导体衬底201的表面，并且绝缘膜205被设置在空穴积累层207上。结果，由于构成半导体衬底的表面的空穴积累层207和绝缘膜205 之间的界面状态所产生的电子消失在空穴积累层207中，由此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：押山到，宫波勇树，桧山晋，田中和树，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：