【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及整流控制电路,特别是涉及一种零电流开通和零电流关断的同步整流控制电路。
技术介绍
现有高频整流二极管在其工作过程中有三种损耗,一是开通损耗,二是关断损耗,三是通态损耗。由于二极管没有控制端,其开通损耗和关断损耗是固定且不可控的,而通态损耗即PN结损耗,是视其工作电压的高低不尽相同的。在低压大电流输出时高频整流二极管的PN结损耗就比较大,往往不能被人们所接受,因此,采用具有控制端、低通态电阻的MOSFET替代高频整流二极管的同步整流电路被广泛应用,出现了各种不同结构的同步整流芯片,这些芯片大多只是发挥了金属氧化物半导体场效应晶体管 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,缩略词为 M0SFET)低通态电阻的优势,而忽略了 MOSFET在开通和关断时的损耗,即同步整流MOSFET仍然工作在硬开关状态,而硬开关电路不利于工作频率的提高,其结果输出回路必须采用大电感、大电容滤波, 无疑这种电路拓扑不利于功率密度的提高,与现代电子产品对电源的要求相悖。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是弥补 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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