一种保护完善的IGBT驱动器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种保护完善的IGBT驱动器，包括IGBT、与IGBT栅极连接的IGBT驱动电路，还包括与IGBT驱动电路输入端连接的电平转换电路，与电平转换电路连接的光耦隔离电路、IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路、故障报警输出电路，与IGBT发射极连接的负电压产生电路。通过调节电阻R61、R62来调节IGBT栅极的充电和放电速度；IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路在IGBT过流时对IGBT进行过流保护，并通过故障报警输出电路进行故障报警；负电压产生电路能使IGBT关断时更加可靠，防止干扰源对IGBT所造成的误导通，对延长IGBT工作寿命起到积极作用。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种IGBT功率器件，更具体地说，是涉及一种保护完善的IGBT驱动器。
技术介绍
IGBT(绝缘栅双极型功率管)具有驱动功率小、开关速度高、饱和压降低、耐高电压、大电流等一系列优点，成为大功率开关电源等电力装置的首选功率器件。但IGBT运行性能的好坏受驱动电路的影响很大，如开关时间、开关损耗、短路电流保护能力等，因此，对 IGBT的驱动电路进行合理设计，充分发挥IGBT的性能非常重要。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中上述缺陷提供一种能对IGBT过流保护， 还能降低关断时对IGBT所造成的冲击，提高IGBT工作的可靠性；且IGBT栅极充电和放电的速度分别可调的一种保护完善的IGBT驱动器。为实现上述目的，本技术提供的技术方案如下提供一种保护完善的IGBT驱动器，包括IGBT、与IGBT栅极连接的IGBT驱动电路，还包括与IGBT驱动电路输入端连接的电平转换电路，与电平转换电路连接的光耦隔离电路、IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路。还包括与所述电平转换电路连接的故障报警输出电路，与IGBT发射极连接的负电压产生电路。本技术所述一种保护完善的IGBT驱动器的有益效果是通过将IGBT栅极与 IGBT驱动电路连接，IGBT驱动电路输入端与电平转换电路连接，电平转换电路与光耦隔离电路、IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路连接，还包括与所述电平转换电路连接的故障报警输出电路，与IGBT发射极连接的负电压产生电路。通过调节电阻R61、 R62来调节IGBT栅极的充电和放电速度；IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路在IGBT过流时对IGBT进行过流保护，并通过故障报警输出电路进行故障报警；负电压产生电路能使IGBT关断时更加可靠，防止干扰源对IGBT所造成的误导通，提高IGBT工作的可靠性，对延长IGBT工作寿命起到积极作用。以下结合附图和实施例对本技术所述的一种保护完善的IGBT驱动器作进一步说明附图说明图1是本技术所述一种保护完善的IGBT驱动器的结构方框图；图2是本技术所述一种保护完善的IGBT驱动器的电路原理图。具体实施方式以下本技术所述一种保护完善的IGBT驱动器的最佳实施例，并不因此限定本技术的保护范围。参照图1、图2，提供一种保护完善的IGBT驱动器，包括IGBT1、与IGBTl栅极连接的IGBT驱动电路2，还包括与IGBT驱动电路2输入端连接的电平转换电路3，与电平转换电路3连接的光耦隔离电路10、IGBT过流检测电路4、降栅压电路5、延时电路6、软关断电路7。所述IGBT驱动电路2是由电阻R15、R61、R62、R60，稳压二极管S)3、S)4，电容 ClO和三极管Q3、Q4、Q6、Q7组成，电阻R61的一端与三极管Q6的发射极连接，其另一端与 IGBTl栅极连接，电阻R62的一端与三极管Q4的发射极连接，其另一端与IGBTl栅极连接， 通过调节电阻R61、R62来调节IGBTl栅极的充电和放电速度。所述IGBT过流检测电路4是由电阻R3、R4、R5、R21、R60，二极管D7、D27，电容Cl、 C56和比较器IC2组成。所述降栅压电路5是由电阻R19、R13，二极管D1、D2和稳压二极管ZD1，以及比较器IC2组成。所述延时电路6是由电阻R9，二极管D6，电容C57和比较器IC2组成。所述软关断电路7是由电阻R17、R10，电容C58、C5，二极管D4、D8和三极管Q1，Q2组成。还包括与所述电平转换电路3连接的故障报警输出电路8，该故障报警输出电路8 是由电阻R67，R66、R66-1，电容C67，二极管D9和光耦IC3组成，通过故障报警输出电路8 进行故障报警。还包括与IGBTl发射极连接的负电压产生电路9，该负电压产生电路9是由电阻 R16、R63，%WC6、C9、C60、C61、C62、C63、C64 和稳压二极管 ZD2 组成，IGBTl 关断时，负电压产生电路能使IGBT关断时更加可靠，防止干扰源对IGBT所造成的误导通。PWM输入信号经过光电耦合器进行隔离后，通过电平转换电路3送到IGBT驱动电路2，放大后输出+15V和-9V的PWM信号到IGBT栅极，并且可通过调节R61和R62来调节 IGBT栅极的充电和放电速度，当过流检测电路4检测到IGBT过流时(Vce的电压上升)，降栅压电路5动作，同时延时电路6开始计时，PWM信号由15V降到IOV左右，可提高IGBT的过流承受能力，在延时一个时间t后，软关断电路7动作，对IGBT驱动信号进行软关断，同时关闭PWM输入信号(过流保护自锁)和输出报警信号，告知主控MCU，IGBT发生了短路或过载情况，MUC随即关断PWM信号。上述实施例为本技术较佳的实施方式，但本技术的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种保护完善的IGBT驱动器，包括IGBT(l)、与IGBT(I)栅极连接的IGBT驱动电路 O)，其特征在于，还包括与IGBT驱动电路( 输入端连接的电平转换电路(3 与电平转换电路⑶连接的的光耦隔离电路(10)、IGBT过流检测电路G)、降栅压电路(5)、延时电路 (6)、软关断电路(7)。2.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器，其特征在于，所述IGBT驱动电路(2)是由电阻R15、R61、R62、R60，稳压二极管ZD3.ZD4,电容ClO和三极管Q3、Q4、Q6、Q7 组成，电阻R61的一端与三极管Q6的发射极连接，其另一端与IGBT(I)栅极连接，电阻R62 的一端与三极管Q4的发射极连接，其另一端与IGBT(I)栅极连接，通过电阻R61、R62来调节IGBT(I)栅极的充电和放电速度。3.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器，其特征在于，所述IGBT过流检测电路(4)是由电阻R3、R4、R5、R21、R60，二极管D7、D27，电容Cl、C56和比较器IC2组成。4.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器，其特征在于，所述降栅压电路(5)是由电阻R19、R13，二极管D1、D2和稳压二极管ZDl，以及比较器IC2组成。5.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器，其特征在于，所述延时电路(6)是由电阻R9，二极管D6，电容C57和比较器IC2组成。6.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器，其特征在于，所述软关断电路(7)是由电阻R17、R10，电容C58、C5，二极管D4、D8和三极管Ql，Q2组成。7.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器，其特征在于，还包括与所述电平转换电路C3)连接的故障报警输出电路(8)，该故障报警输出电路(8)是由电阻R67， R66、R66-1，电容C67，二极管D9和光耦IC3组成。8.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器，其特征在于，还包括与 IGBT(I)发射极连接的负电压产生电路(9)，该负电压产生电路(9)是由电阻R16、R63，电容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周杰，
申请(专利权)人：东莞市精诚电能设备有限公司，
类型：实用新型
国别省市：