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一种单管全桥逆变电路制造技术

技术编号:7340669 阅读:250 留言:0更新日期:2012-05-16 21:51
本实用新型专利技术提供了一种单管全桥逆变电路,属于IGBT技术领域。本实用新型专利技术包括四个IGBT组成的逆变桥和一个谐振回路,其中的第一个IGBT和第三个IGBT组成上桥臂,其中的第二个IGBT和第四个IGBT组成下桥臂,所述上桥臂和下桥臂分别串联在谐振回路的两端。本实用新型专利技术需通过四个IGBT组成全桥逆变回路,使全桥逆变回路的结构变得简单,并减少了制造成本。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种单管全桥逆变电路,属于IGBT

技术介绍
传统的感应加热电源全桥逆变方案普遍采用IGBT模块的形式,IGBT模块不仅体积大,而且成本高,对于小功率的感应加热而言,在装配空间小,成本相对又受限的情况下无法满足用户的需求。
技术实现思路
本技术的目的是为解决传统的感应加热电源全桥逆变技术中,采用IGBT模块的成本较高、体积较大的问题,进而提供一种单管全桥逆变电路。本技术的目的是通过以下技术方案实现的一种单管全桥逆变电路,包括四个IGBT组成的逆变桥和一个谐振回路,其中的第一个IGBT和第三个IGBT组成上桥臂,其中的第二个IGBT和第四个IGBT组成下桥臂,所述上桥臂和下桥臂分别串联在谐振回路的两端。本技术需通过四个IGBT逆变桥组成全桥逆变回路,使全桥逆变回路的结构变得简单,并减少了制造成本。附图说明图1为本技术的具体实施方式提供的单管全桥逆变电路的结构示意图。具体实施方式本具体实施方式提供了一种单管全桥逆变电路,如图1所示,包括四个IGBT和一个谐振回路,其中的第一个IGBT和第三个IGBT组成上桥臂,其中的第二个IGBT和第四个 IGBT组成下桥臂,所述上桥臂和下桥臂分别串联在谐振回路的两端。具体的,在图1中,四个IGBT单管组逆变桥,其中Ql和Q3为上桥臂,Q2和Q4为下桥臂,在正半周,Ql和Q4同时导通,母线电压加在电感和电容组成的串联谐振回路上,在负半周,Q2和Q3同时导通,母线电压反方向加在串联谐振回路上。图中的R1、R2、R3、和R4 为驱动电阻,R5、R6、R7和R8为驱动回路的下拉电阻,确保IGBT在加有母线电压而没有驱动信号的情况下不导通。C1、C2、C3和C4为缓冲电容,用于吸收在IGBT开关过程中因杂散电感产生的尖峰电压,电阻R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15和R16为缓冲电容的放电电阻。 电容C5和电感INDUCT0R2组成串联谐振回路。以上所述,仅为本技术较佳的具体实施方式,但本技术的保护范围并不局限于此,任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此,本技术的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。权利要求1. 一种单管全桥逆变电路,其特征在于,包括四个IGBT组成的逆变桥和一个谐振回路,其中的第一个IGBT和第三个IGBT组成上桥臂,其中的第二个IGBT和第四个IGBT组成下桥臂,所述上桥臂和下桥臂分别串联在谐振回路的两端。专利摘要本技术提供了一种单管全桥逆变电路,属于IGBT
本技术包括四个IGBT组成的逆变桥和一个谐振回路,其中的第一个IGBT和第三个IGBT组成上桥臂,其中的第二个IGBT和第四个IGBT组成下桥臂,所述上桥臂和下桥臂分别串联在谐振回路的两端。本技术需通过四个IGBT组成全桥逆变回路,使全桥逆变回路的结构变得简单,并减少了制造成本。文档编号H02M7/48GK202221968SQ20112030945公开日2012年5月16日 申请日期2011年8月22日 优先权日2011年8月22日专利技术者阳勇 申请人:阳春丽本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:阳勇
申请(专利权)人:阳春丽
类型:实用新型
国别省市:

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