晶体硅太阳能增强栅线导电性方法技术

本发明专利技术设计的晶体硅太阳能增强栅线导电性方法，包括如下步骤：1.太阳电池通过制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷、烧结生产；2.在太阳电池正面沉积上一层透明导电薄膜，或通过喷涂/焊接方式在电极区域，覆盖上导电材料。其中所述的导电材料为金、银、铜。本发明专利技术所得到的晶体硅太阳能增强栅线导电性方法与现有技术相比具有的优点是：1)减少印刷浆料的用量，印刷、烧结只要满足接触性即可；2)增强导电性，电流的收集能力进一步增强，且并没有增加遮光面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急，能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时，越来越多的国家开始实行“阳光计划”，开发太阳能资源，寻求经济发展的新动力。目前行业内，普通丝网印刷印刷烧结，浆料的设计为了保持与硅的接触性，导电性会削弱，加上高温烧结对导电性损失很大。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种增加栅线导电性，减少印刷浆料，提高电流收集能力的。为了达到上述目的，本专利技术设计的，包括如下步骤1.太阳电池通过制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷、烧结生产；2.在太阳电池正面沉积上一层透明导电薄膜，或通过喷涂/焊接方式在电极区域，覆盖上导电材料。其中所述的导电材料为金、银、铜。本专利技术所得到的与现有技术相比具有的优点是1)减少印刷浆料的用量，印刷、烧结只要满足接触性即可；2)增强导电性，电流的收集能力进一步增强，且并没有增加遮光面积。具体实施例方式下面通过实施例对本专利技术作进一步的描述。实施例1 本实施例描述的是太阳电池通过制绒、扩散、 刻蚀、PECVD、丝网印刷、烧结生产；然后在电池正面通过化学气相沉积形成ZNO薄膜。实施例2本实施例描述的是太阳电池通过制绒、扩散、 刻蚀、PECVD、丝网印刷、烧结生产；然后在电池电极区域，通过焊接方法焊接铜丝。权利要求1.一种，其特征在于包括如下步骤1)太阳电池通过制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷、烧结生产；2)在太阳电池正面沉积上一层透明导电薄膜，或通过喷涂/焊接方式在电极区域，覆盖上导电材料。2.根据权利要求1所述的，其特征是所述的导电材料为金、银、铜。全文摘要本专利技术设计的，包括如下步骤1.太阳电池通过制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷、烧结生产；2.在太阳电池正面沉积上一层透明导电薄膜，或通过喷涂/焊接方式在电极区域，覆盖上导电材料。其中所述的导电材料为金、银、铜。本专利技术所得到的与现有技术相比具有的优点是1)减少印刷浆料的用量，印刷、烧结只要满足接触性即可；2)增强导电性，电流的收集能力进一步增强，且并没有增加遮光面积。文档编号H01L31/18GK102437235SQ20111036985公开日2012年5月2日 申请日期2011年11月18日 优先权日2011年11月18日专利技术者崔鹏超, 李华, 李文, 钱应五 申请人:浙江正国太阳能科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔鹏超，李华，李文，钱应五，
申请(专利权)人：浙江正国太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：