晶体硅太阳能电池选择性发射极的磷扩散方法技术

本发明专利技术的晶体硅太阳能电池选择性发射极的磷扩散方法包括如下步骤：1)硅片放入扩散炉中，采用双面扩散，温度升高到850-950摄氏度；2)温度稳定后，通入氮气流量10-30slm，氧气0.5-3slm，携磷源氮气2-5slm，扩散时间10-20min；3)降低温度，温度下降为750-850摄氏度，过程中与第(2)步流量一致，扩散时间10-20min；4)停止通携磷源氮气，并停止通氧气，温度下降为600-700摄氏度，氮气流量10-30slm，推进时间10-20min。本发明专利技术所得到的方法与现有技术相比具有吸杂作用强，易于在发射区内形成高内建电场，浓度梯度大的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶体硅太阳能电池选择性发射极磷扩散方法。
技术介绍
当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急，能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时，越来越多的国家开始实行“阳光计划”，开发太阳能资源，寻求经济发展的新动力。传统太阳电池在欧姆接触和表面复合的矛盾很难缓和，选择性发射极电池缓和了矛盾，在电极处重掺杂，非电极处浅掺杂。目前行业内，选择性发射极的一种方法是制绒，重扩，印刷腐蚀性浆料或化学药瓶，清洗，刻蚀去磷硅玻璃，PECVD，丝网印刷。恒温扩散、推进，磷扩散浓度在结的深处的浓度梯度比较小，扩散腐蚀一部分结后，浓度梯度很小，不利于在发射区形成高内建电场，少子的收集量会少。恒温扩散、推进，磷吸杂有限，正常使用单面扩散只在单面吸杂。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种吸杂作用强，易于在发射区内形成高内建电场，浓度梯度大的。为了达到上述目的，本专利技术设计的，包括如下步骤1)硅片放入扩散炉中，采用双面扩散，温度升高到850-950摄氏度；2)温度稳定后，通入氮气流量10-30slm，氧气0. 5-3slm，携磷源氮气24slm，扩散时间 10-20min ；3)降低温度，温度下降为750-850摄氏度，过程中与第(2)步流量一致，扩散时间 10-20min ；4)停止通携磷源氮气，并停止通氧气，温度下降为600-700摄氏度，氮气流量 10-30slm，推进时间 10-20min。本专利技术所得到的与现有技术相比具有的优点是1、采用双面扩散，重磷扩散和变温扩散吸杂作用相对要强，背面吸杂对于太阳电池的电流响应有很好的帮助。2、降温吸杂，开始高温后逐渐降低，增加杂质原子在吸杂区域的分凝，增加吸杂作用。3、温度从高到低，低温推进，可以使浓度梯度做大，便于在发射区形成高的内建电场，无氧推进进一步增加扩散的浓度梯度。具体实施方式下面通过实施例对本专利技术作进一步的描述。实施例1 本实施例描述的是将待处理硅片， 放入扩散炉中进行双面扩散，温度上升到900°C，待温度稳定好，通入氮气流量20slm，携磷源氮气流量4slm，氧气流量klm，扩散时间lOmin。温度下降，达到820°C，通气流量不变，继续扩散时间lOmin。最后待程温度下降到700 0C，停止通携磷源氮气，并停止通氧气，氮气流量20s lm, 推进lOmin。权利要求1. 一种，其特征在于包括如下步骤1)硅片放入扩散炉中，采用双面扩散，温度升高到850-950摄氏度；2)温度稳定后，通入氮气流量10-30slm，氧气0.5-3slm，携磷源氮气2_klm，扩散时间 10-20min ；3)降低温度，温度下降为750-850摄氏度，过程中与第( 步流量一致，扩散时间 10-20min ；4)停止通携磷源氮气，并停止通氧气，温度下降为600-700摄氏度，氮气流量 10-30slm，推进时间 10-20min。全文摘要本专利技术的包括如下步骤1)硅片放入扩散炉中，采用双面扩散，温度升高到850-950摄氏度；2)温度稳定后，通入氮气流量10-30slm，氧气0.5-3slm，携磷源氮气2-5slm，扩散时间10-20min；3)降低温度，温度下降为750-850摄氏度，过程中与第(2)步流量一致，扩散时间10-20min；4)停止通携磷源氮气，并停止通氧气，温度下降为600-700摄氏度，氮气流量10-30slm，推进时间10-20min。本专利技术所得到的方法与现有技术相比具有吸杂作用强，易于在发射区内形成高内建电场，浓度梯度大的特点。文档编号H01L21/22GK102403203SQ20111036668公开日2012年4月4日 申请日期2011年11月18日 优先权日2011年11月18日专利技术者崔鹏超, 李华, 李文, 钱应五 申请人:浙江正国太阳能科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔鹏超，李华，李文，钱应五，
申请(专利权)人：浙江正国太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：