不均匀光功率分路器芯片制造技术

本实用新型专利技术所设计的一种不均匀光功率分路器芯片，它的结构主要包括衬底、下包层、芯层和上包层，在芯层上设有光路，光路设置有一个输入端或两个输入端，光路的输出端分为两支路，输出端的其中一支路以一分为二的方式分裂成总数为2n路的输出端，输出端的另一支路不分裂或以一分为二的方式分裂，且总数小于2n路，n为大于或等于1的自然数。该不均匀光功率分路器芯片，实现对光进行不均匀分路，且具有以下优点：它拥有多种大小不同的光功率输出端，因此可以根据用户的终端机的距离和本身的灵敏度来选择相应的输出端口，做到按需分配，提高资源利用的效率；它的输出端的支路也可以通过进一步的光分路做到进一步的功率分配调节，具有很大的灵活性。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光通讯应用领域，是一种不均勻光功率分路器芯片。
技术介绍
芯片是光分路器中的核心部分，传统的光分路器芯片对光进行的是平均分路，在各个支路中得到的光功率是一样大的。因此在应用中会带来以下不便(1)、每个用户端所接入的用户数量不一定相同，每个用户端到OLT的路径距离也可能各异，所以它们所需的光信号功率可能会有很大差异，并可能随时变化。而目前PON中使用的都是均勻光功率分配器，这样不利于光功率资源的有效分配。O)、在FTTH推广的初始阶段，并不是每个节点中(如一个门栋里)每家都愿意参加FTTH计划，一个门栋中2家，4家，8家的情况都有。这种情况下，采用均勻光分路器会使成本较高。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种可以实现多种大小不同的光功率输出，且功率分配调节更加灵活的不均勻光功率分路器芯片。为了达到上述目的，本技术所设计的不均勻光功率分路器芯片，它主要包括衬底、下包层、芯层和上包层，在芯层上设有光路，光路设置有一个输入端或两个输入端，光路的输出端分为两支路，输出端的其中一支路以一分为二的方式分裂成总数为2"路的输出端，输出端的另一支路不分裂或以一分为二的方式分裂，且总数小于2n路，η为大于或等于 1的自然数，输出端的每相邻两支路间的距离是127um、250um或者是127um、250um的整倍数。这种结构特点实现了输出端对光不平均分配，可以得到多种大小不同的光功率输出。本技术所得到的不均勻光功率分路器芯片，它实现了对光进行不均勻分路， 它具有以下优点(1)、它拥有多种大小不同的光功率输出端口，因此可以根据用户终端机的距离和本身的灵敏度来选择相应的输出端口，做到按需分配，提高资源利用的效率。O)、它的输出端支路也可以通过进一步的光分路做到进一步的功率分配调节，具有很大的灵活性。(3)、它还可以作为不同比例的光分路器用于光纤CATV网络中，并且还可用作其他光器件的组件。如可用于光放大器的可调增益均衡器，自适应光放大器等。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的光路总支路为3路的光路结构示意图；图3为本技术的光路总支路为5路的光路结构示意图；图4为本技术的光路总支路为6路的光路结构示意图；图5为本技术的光路总支路为9路的光路结构示意图；图6为本技术的光路总支路为10路的光路结构示意图；图7为本技术的光路总支路为17路的光路结构示意图；图8为本技术的光路总支路为18路的光路结构示意图；图9为本技术的光路总支路为33路的光路结构示意图；图10为本技术的光路总支路为34路的光路结构示意图。具体实施方式下面通过实施例结合附图对本技术作进一步的描述。实施例1 如图1所示，本实施例描述的不均勻光功率分路器芯片，它的结构主要包括衬底 1、下包层2、芯层3和上包层4，在芯层3上设有光路5，光路5设置有一个输入端或两个输入端，光路5的输出端分为两支路，输出端的其中一支路以一分为二的方法分裂成总数为2n 路的输出端，输出端的另一支路不分裂或以一分为二的方法分裂，且总数小于2n路，η为大于或等于1的自然数。输出端每相邻两支路间的距离是127um、250um或者是127um、250um 的整倍数。输入端数为1，输出端支路是3时支路间距是250um或者250um的整数倍；输入端数是1，输出端支路数是5至7时，有两种规格一种是支路间距是250um或者250um的整数倍，一种是支路间距为127um或者127um的整数倍；输入端数为1，输出端支路数大于 8时支路间距是127um或127um的整数倍；输入端数为2，输出端支路数为3时支路间距是 250um或者250um的整数倍；输入端口数为2，输出端支路数大于3时，支路间距是127um或者127um的整数倍。具体衰减情况如附图2所示，信号从左边输入端输入从右边输出端输出，在右端的输出端的上半部分的衰减为7dB，下半部分的衰减为3. 8dB。如附图3所示，信号从左边输入端输入从右边输出端输出，在右端的输出端的上半部分的衰减为10dB，下半部分的衰减为3. 8dB。如附图4所示，信号从左边输入端输入从右边输出端输出，在右端的输出端的上半部分的衰减为10dB，下半部分的衰减为7dB。如附图5所示，信号从左边输入端输入从右边输出端输出，在右端的输出端的上半部分的衰减为13. 2dB，下半部分的衰减为3. 8dB。如附图6所示，信号从左边输入端输入从右边输出端输出，在右端的输出端的上半部分的衰减为13. 2dB，下半部分的衰减为7dB。如附图7所示，信号从左边输入端输入从右边输出端输出，在右端的输出端的上半部分的衰减为16. 7dB，下半部分的衰减为3. 8dB。如附图8所示，信号从左边输入端输入从右边输出端输出，在右端的输出端的上半部分的衰减为16. 7dB，下半部分的衰减为7dB。如附图9所示，信号从左边输入端输入从右边输出端输出，在右端的输出端的上半部分的衰减为20. 4dB，下半部分的衰减为3. 8dB。如附图10所示，信号从左边输入端输入从右边输出端输出，在右端的输出端的上半部分的衰减为20. 4dB，下半部分的衰减为7dB。各种规格的不均分光分路器芯片相应的参数如表1、2中所示表1输入端口数为1的各种规格光分路器芯片的相应参数权利要求1. 一种不均勻光功率分路器芯片，它的结构主要包括衬底、下包层、芯层和上包层，其特征是在芯层上设有光路，光路设置有一个输入端或两个输入端，光路的输出端分为两支路，输出端的其中一支路以一分为二的方式分裂成总数为2"路的输出端，输出端的另一支路不分裂或以一分为二的方式分裂，且总数小于2n路，η为大于或等于1的自然数，输出端的每相邻两支路间的距离是127um、250um或者是127um、250um的整倍数。专利摘要本技术所设计的一种不均匀光功率分路器芯片，它的结构主要包括衬底、下包层、芯层和上包层，在芯层上设有光路，光路设置有一个输入端或两个输入端，光路的输出端分为两支路，输出端的其中一支路以一分为二的方式分裂成总数为2n路的输出端，输出端的另一支路不分裂或以一分为二的方式分裂，且总数小于2n路，n为大于或等于1的自然数。该不均匀光功率分路器芯片，实现对光进行不均匀分路，且具有以下优点它拥有多种大小不同的光功率输出端，因此可以根据用户的终端机的距离和本身的灵敏度来选择相应的输出端口，做到按需分配，提高资源利用的效率；它的输出端的支路也可以通过进一步的光分路做到进一步的功率分配调节，具有很大的灵活性。文档编号G02B6/125GK202204953SQ20112032370公开日2012年4月25日 申请日期2011年8月31日 优先权日2011年8月31日专利技术者刘勇, 朱一鸣 申请人:杭州天野通信设备有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱一鸣，刘勇，
申请(专利权)人：杭州天野通信设备有限公司，
类型：实用新型
国别省市：