本发明专利技术公开了一种制造银钨复合触头材料的加工方法，将钨粉置于反应器皿中加水及适量的还原剂后，在搅拌情况下缓慢喷入银氨络合溶液，银钨包覆粉经清洗至中性干燥后，再经高能球磨机进行均匀球磨处理，通过对银钨粉去应力处理后初压成形，在还原性气氛保护下经预烧结、熔渗烧结、复压成银钨复合触头材料。本发明专利技术工艺先进简单，利用化学镀原理的包覆工艺改善钨颗粒在银基体中的分布，选用高能球磨工艺使粉末颗粒反复产生冷焊、断裂，导致粉末颗粒中原子扩散，提高材料的机械性能、物理性能、电性能等；采用高温预烧工艺，提高材料致密性，导电率大幅优化，电阻率低，并能提高抗电弧腐蚀能力。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于制造断路器、重负载开关、电磁开关、调压开关等电器开关使用的银钨复合触头材料的生产工艺方法。
技术介绍
在低压电器电触头材料中，银钨触头材料被广泛应用于各类塑壳断路器、框架式万能断路器、汽车电器上。银钨触头中的高熔点钨粒子在银基体中呈弥散分布，该材料具有良好的耐电弧腐蚀性、耐磨性、低而稳定的接触电阻。在国内，普遍采用机械混粉或普通的熔渗工艺生产，此工艺简单易行、流程少、对设备要求低、材料利用率高、生产成本低，但所制得的触点组织不均勻、致密性较差、电弧侵蚀率高。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述现有技术存在的不足，提供，使制造出来的银钨复合触头材料金相组织均勻细小，具有优异的机械物理性能，材料密度大，导电率大幅优化，并且提高抗电弧腐蚀能力。本专利技术的目的是这样实现的，，其特征是， 将钨粉置于反应器皿中加水及适量的还原剂后，在搅拌情况下缓慢喷入银氨络合溶液，银钨包覆粉经清洗至中性干燥后，再经高能球磨机进行均勻球磨处理，通过对银钨粉去应力处理后初压成形，在还原性气氛保护下经预烧结、熔渗烧结、复压成银钨复合触头材料；所述银氨络合溶液的浓度为50 500g/l ； 所述球磨处理的球料比为100 20 :1，球磨时间为5 20小时； 所述去应力处理工艺参数是保护气氛为氢气或氨分解氢气，退火温度为700 900°C，保温时间为2 5小时；所述初压成形的单位压力为4 7T/cm2 ；所述预烧结工艺参数是保护气氛为氢气或氨分解气，烧结温度为1000 1250°C，保温时间为0. 5 3小时；所述熔渗烧结工艺参数是保护气氛为氢气或氨分解气，烧结温度为1100 1250°C， 保温时间为10 30分钟；所述复压成形的单位压力为10 15T/cm2。所述钨粉为2 IOMm钨粉。以重量百分比计，所述银钨粉中银为5 35%，钨为95% 65%。所述钨粉置于反应器皿中的同时加入添加物，添加物占银钨粉总重量为0. 1 1. 0%。所述添加物为镍或铜。所述还原剂为常见的还原剂(如水合胼，甲醛，等)。本专利技术工艺先进简单，利用化学镀原理的包覆工艺改善钨颗粒在银基体中的分布，提高不润湿材料间的物理结合强度；选用高能球磨工艺使粉末颗粒反复产生冷焊、断裂，导致粉末颗粒中原子扩散，从而获得合金化粉末，提高材料的机械性能、物理性能、电性能等；采用高温预烧工艺，充分保证坯体毛细孔管道相通，从而避免产生封闭空洞，提高材料致密性。本专利技术制造的银钨复合触头材料金相组织均勻细小，具有优异的机械物理性能， 密度大，导电率大幅优化，电阻率低，并且提高了抗电弧腐蚀能力。具体实施例方式1.工艺流程将钨粉置于反应器皿中加水及适量的还原剂后，在搅拌情况下缓慢喷入银氨络合溶液，银钨包覆粉经清洗至中性干燥后，再经高能球磨机进行均勻球磨处理，通过对银钨粉去应力处理后初压成形，在还原性气氛保护下经预烧结、熔渗烧结、复压成银钨复合触头材料。其工艺流程钨粉一包覆银粉一高能球磨处理一去应力处理一初压成形一预烧结一熔渗烧结一表面处理一复压一表面处理一成品。或者将钨粉、铜粉及添加物按一定比例配比置于反应器皿中加水及适量的还原剂后，在搅拌情况下缓慢喷入定量银氨络合溶液，银钨包覆粉经清洗至中性干燥后，再在高能球磨机进行均勻处理，通过对银钨粉去应力处理后初压成形，在还原性气氛保护下经预烧结、熔渗烧结、复压成银钨复合触头材料。其工艺流程钨粉、铜粉及添加物一包覆银粉一高能球磨处理一去应力处理一初压成形一预烧结一熔渗烧结一表面处理一复压一表面处理一成品。2.原料成分、所占重量百分比原材料2 IOMffl钨粉、50 500g/l银氨络合溶液。以重量百分比计，银钨粉中银为 5 35%，钨为95% 65%。添加物为镍或铜，为银钨粉总重量的0. 1 1. 0%。3.工艺参数3. 1包覆银粉工艺参数银氨络合溶液浓度为50 500g/l。3. 2高能球磨工艺参数球料比为100 20 :1，球磨时间为5 20小时。3. 3去应力处理工艺参数保护气氛为氢气或氨分解氢气，退火温度为700 900°C，保温时间为2 5小时。3. 4初压成形工艺参数初压成形单位压力为4 7T/cm2。3. 5预烧结工艺参数保护气氛为氢气或氨分解气，烧结温度为1000 1250°C，保温时间为0. 5 3小时。3.6熔渗烧结工艺参数保护气氛为氢气或氨分解气，烧结温度为1100 1250°C，保温时间为10 30分钟。3. 7复压成形工艺参数复压成形单位压力为10 15T/cm2。权利要求1.，其特征是，将钨粉置于反应器皿中加水及适量的还原剂后，在搅拌情况下缓慢喷入银氨络合溶液，银钨包覆粉经清洗至中性干燥后， 再经高能球磨机进行均勻球磨处理，通过对银钨粉去应力处理后初压成形，在还原性气氛保护下经预烧结、熔渗烧结、复压成银钨复合触头材料；所述银氨络合溶液的浓度为50 500g/l ；所述球磨处理的球料比为100 20 :1，球磨时间为5 20小时；所述去应力处理工艺参数是保护气氛为氢气或氨分解氢气，退火温度为700 900°C，保温时间为2 5小时；所述初压成形的单位压力为4 7T/cm2 ；所述预烧结工艺参数是保护气氛为氢气或氨分解气，烧结温度为1000 1250°C，保温时间为0. 5 3小时；所述熔渗烧结工艺参数是保护气氛为氢气或氨分解气，烧结温度为1100 1250°C， 保温时间为10 30分钟；所述复压成形的单位压力为10 15T/cm2。2.根据权利要求1所述的，其特征是，所述钨粉为2 IOMm钨粉。3.根据权利要求1或2所述的，其特征是，以重量百分比计，所述银钨粉中银为5 35%，钨为95% 65%。4.根据权利要求3所述的，其特征是，所述钨粉置于反应器皿中的同时加入添加物，添加物占银钨粉总重量为0. 1 1. 0%。5.根据权利要求4所述的，其特征是，所述添加物为镍或铜。全文摘要本专利技术公开了，将钨粉置于反应器皿中加水及适量的还原剂后，在搅拌情况下缓慢喷入银氨络合溶液，银钨包覆粉经清洗至中性干燥后，再经高能球磨机进行均匀球磨处理，通过对银钨粉去应力处理后初压成形，在还原性气氛保护下经预烧结、熔渗烧结、复压成银钨复合触头材料。本专利技术工艺先进简单，利用化学镀原理的包覆工艺改善钨颗粒在银基体中的分布，选用高能球磨工艺使粉末颗粒反复产生冷焊、断裂，导致粉末颗粒中原子扩散，提高材料的机械性能、物理性能、电性能等；采用高温预烧工艺，提高材料致密性，导电率大幅优化，电阻率低，并能提高抗电弧腐蚀能力。文档编号C22C1/04GK102392170SQ20111035563公开日2012年3月28日 申请日期2011年11月11日 优先权日2011年11月11日专利技术者孔欣, 谢平云, 陈建新, 陶淳钏 申请人:扬州乐银合金科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢平云，陈建新，孔欣，陶淳钏，
申请(专利权)人：扬州乐银合金科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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